 |
2 3 4 6 นิ้ว Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / กึ่งสังเคราะห์ SiC
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | ZMKJ |
| หมายเลขรุ่น: | แท่งโลหะ 2 นิ้ว |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | แพคเกจเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด 100 เกรด |
| เวลาการส่งมอบ: | 1-6weeks |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T ตะวันตกสหภาพ MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 1-50pcs / เดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | SiC ผลึกเดี่ยวชนิด 4H-N | ระดับ: | ดัมมี่/เกรดการผลิต |
|---|---|---|---|
| หนา: | 6-15มม | ซูราเฟซ: | LP/as-cut |
| แอปพลิเคชัน: | การทดสอบการขัดเงาของผู้ผลิตอุปกรณ์ | เส้นผ่านศูนย์กลาง: | 50.8±0.3มม |
| แสงสูง: | พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์,เวเฟอร์ sic |
||
รายละเอียดสินค้า
2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว/6 นิ้ว 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC แท่ง/ความบริสุทธิ์สูง 4H-N 4 นิ้ว 6 นิ้ว เส้นผ่านศูนย์กลาง 150 มม. ซิลิคอนคาร์ไบด์ผลึกเดี่ยว (sic) พื้นผิวเวเฟอร์ แท่งผลึก sicพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ sic,เวเฟอร์คริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์ / เวเฟอร์ sic sic แบบตัดตามสั่ง
เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คริสตัล
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) หรือที่เรียกว่ากากเพชร เป็นสารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยซิลิคอนและคาร์บอนที่มีสูตรทางเคมี SiCSiC ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ที่ทำงานที่อุณหภูมิสูงหรือแรงดันไฟฟ้าสูง หรือทั้งสองอย่าง SiC ยังเป็นหนึ่งในส่วนประกอบ LED ที่สำคัญ เป็นสารตั้งต้นยอดนิยมสำหรับอุปกรณ์ GaN ที่กำลังเติบโต และยังทำหน้าที่เป็นตัวกระจายความร้อนในอุณหภูมิสูง ไฟ LED พลังงาน
| คุณสมบัติ | 4H-SiC ผลึกเดี่ยว | 6H-SiC ผลึกเดี่ยว |
| พารามิเตอร์ขัดแตะ | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| ลำดับการซ้อน | เอบีซีบี | เอแบค |
| ความแข็งของโมห์ส | ≈9.2 | ≈9.2 |
| ความหนาแน่น | 3.21 ก./ตร.ซม | 3.21 ก./ตร.ซม |
| เทอร์ม.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว | 4-5×10-6/ก | 4-5×10-6/ก |
| ดัชนีการหักเหของแสง @750nm |
ไม่ = 2.61 เน่ = 2.66 |
ไม่ = 2.60 เน่ = 2.65 |
| ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | ค~9.66 | ค~9.66 |
| การนำความร้อน (ชนิด N, 0.02 ohm.cm) |
ก~4.2 วัตต์/ซม.·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| การนำความร้อน (กึ่งฉนวน) |
ก~4.9 วัตต์/ซม.·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
ก~4.6 ก./ซม.·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| วงช่องว่าง | 3.23 อีโวลต์ | 3.02 อีโวลต์ |
| สนามไฟฟ้าพังทลาย | 3-5×106V/ซม | 3-5×106V/ซม |
| ความเร็วดริฟท์ความอิ่มตัว | 2.0×105ม./วินาที | 2.0×105ม./วินาที |
ข้อมูลจำเพาะของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) เส้นผ่านศูนย์กลาง 4 นิ้วที่มีความบริสุทธิ์สูง
|
ประเภท 4H-N / เวเฟอร์ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง / ลิ่ม
2 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง
3 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์ 4 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง เวเฟอร์/แท่ง SiC 4H ชนิด N ขนาด 6 นิ้ว |
4H กึ่งฉนวน / ความบริสุทธิ์สูงSiC เวเฟอร์ เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 2 นิ้ว 4H
3 นิ้ว 4H เวเฟอร์กึ่งฉนวน SiC เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4 นิ้ว 4H เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4H ขนาด 6 นิ้ว |
|
เวเฟอร์ 6H N-Type SiC
2 นิ้ว 6H N-Type SiC เวเฟอร์/ลิ่ม |
ขนาดที่กำหนดเองสำหรับ 2-6 นิ้ว
|
เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ
ZMKJ สามารถจัดหาเวเฟอร์ SiC ผลึกเดี่ยวคุณภาพสูง (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ให้กับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์เวเฟอร์ SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไปที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์และคุณสมบัติทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม เมื่อเทียบกับเวเฟอร์ซิลิคอนและ GaAs เวเฟอร์ SiC นั้นเหมาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูงและพลังงานสูงSiC เวเฟอร์มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2-6 นิ้ว มีทั้ง SiC 4H และ 6H, N-type, Nitrogen doped และ Semi-insulatingโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม
คำถามที่พบบ่อย:
ถาม: วิธีการจัดส่งและค่าใช้จ่ายคืออะไร
A:(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, EMS เป็นต้น
(2) ไม่เป็นไร หากคุณมีบัญชีด่วนของคุณเอง หากไม่มี เราสามารถช่วยคุณจัดส่งและ
ค่าขนส่งคือฉันน ตามข้อยุติที่แท้จริง
ถาม: วิธีการชำระเงิน
A: T/T มัดจำ 100％ ก่อนส่งมอบ
ถาม: MOQ ของคุณคืออะไร
A: (1) สำหรับสินค้าคงคลัง MOQ คือ 1 ชิ้นถ้า 2-5 ชิ้นจะดีกว่า
(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ commen ที่กำหนดเอง MOQ คือ 10 ชิ้นขึ้นไป
ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A: (1) สำหรับสินค้ามาตรฐาน
สำหรับสินค้าคงคลัง: การจัดส่งคือ 5 วันทำการหลังจากที่คุณสั่งซื้อ
สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 -4 สัปดาห์หลังจากที่คุณสั่งซื้อติดต่อ
ถาม: คุณมีผลิตภัณฑ์มาตรฐานหรือไม่?
A: สินค้ามาตรฐานของเราในสต็อกเช่นเดียวกับพื้นผิว 4 นิ้ว 0.35 มม.