 |
Optical Square 40x3mmt 6H-N Sic Silicon Carbon Chips
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | ประเทศจีน |
| ชื่อแบรนด์: | ZMKJ |
| หมายเลขรุ่น: | 6 ชม |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 10pcs |
|---|---|
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | แพคเกจเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด 100 เกรด |
| เวลาการส่งมอบ: | 1-6weeks |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, Wester N Union, MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 1-50pcs / เดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | SiC ผลึกเดี่ยว | ความแข็ง: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| รูปร่าง: | กำหนดเอง 40X3x0.33mmt | ความอดทน: | ±0.1mm |
| แอปพลิเคชัน: | ออปติคัล | พิมพ์: | 6h-n |
| ความต้านทาน: | 0.1~1Ω.cm | ความหนา: | โอเค 10-15 มม |
| พื้นผิว: | SSP | ||
| แสงสูง: | Sic Silicon Carbon Chips,6H-N Silicon Carbon Chips,40x3mmt Silicon Carbon Chips |
||
รายละเอียดสินค้า
2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว/6 นิ้ว 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC แท่ง/ความบริสุทธิ์สูง 4H-N 4 นิ้ว 6 นิ้ว dia 150 มม. ซิลิคอนคาร์ไบด์เดี่ยวคริสตัล (sic) พื้นผิวเวเฟอร์,
สี่เหลี่ยมจัตุรัส 40x3mmt รูปร่างที่กำหนดเอง 6H-N ชิปซิลิกอนคาร์บอนซิลิกอนสำหรับออปติคัล
เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)Crystal
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) หรือที่เรียกว่าคาร์บอรันดัม เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีซิลิกอนและคาร์บอนที่มีสูตรทางเคมี SiCSiC ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ที่ทำงานที่อุณหภูมิสูงหรือไฟฟ้าแรงสูง หรือทั้งสองอย่าง SiC เป็นหนึ่งในส่วนประกอบ LED ที่สำคัญ เป็นสารตั้งต้นที่ได้รับความนิยมสำหรับอุปกรณ์ GaN ที่กำลังเติบโต และยังทำหน้าที่เป็นตัวกระจายความร้อนใน ไฟ LED
| คุณสมบัติ | 4H-SiC, ผลึกเดี่ยว | 6H-SiC, ผลึกเดี่ยว |
| พารามิเตอร์ตาข่าย | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| ลำดับการซ้อน | ABCB | ABCACB |
| ความแข็ง Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| ความหนาแน่น | 3.21 ก./ซม.3 | 3.21 ก./ซม.3 |
| เทอร์ม.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว | 4-5×10-6/พัน | 4-5×10-6/พัน |
| ดัชนีหักเหที่ 750nm |
ไม่ = 2.61 เน = 2.66 |
ไม่ = 2.60 เน = 2.65 |
| ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | ค~9.66 | ค~9.66 |
| ค่าการนำความร้อน (ชนิด N, 0.02 โอห์ม.ซม.) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 วัตต์/ซม.·K@298K |
|
| การนำความร้อน (กึ่งฉนวน) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 วัตต์/ซม.·K@298K |
| Band-gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| สนามไฟฟ้าพังทลาย | 3-5×106V/ซม. | 3-5×106V/ซม. |
| ความเร็วของความอิ่มตัวของความอิ่มตัว | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
การประยุกต์ใช้ SiC ในอุตสาหกรรมอุปกรณ์ไฟฟ้า
เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ซิลิกอน อุปกรณ์ไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) สามารถบรรลุประสิทธิภาพการย่อขนาดและน้ำหนักเบาของระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังได้อย่างมีประสิทธิภาพการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ไฟฟ้า SiC มีเพียง 50% ของอุปกรณ์ Si และการสร้างความร้อนเป็นเพียง 50% ของอุปกรณ์ซิลิกอน SiC ยังมีความหนาแน่นกระแสไฟที่สูงขึ้นที่ระดับพลังงานเดียวกัน ปริมาตรของโมดูลพลังงาน SiC นั้นเล็กกว่าโมดูลพลังงานซิลิคอนอย่างมากยกตัวอย่าง IPM โมดูลพลังงานอัจฉริยะโดยใช้อุปกรณ์จ่ายไฟ SiC ระดับเสียงของโมดูลจะลดลงเหลือ 1/3 ถึง 2/3 ของโมดูลพลังงานซิลิคอน
ไดโอดพลังงาน SiC มีสามประเภท: ไดโอด Schottky (SBD), ไดโอด PIN และไดโอด Schottky ควบคุมสิ่งกีดขวางทางแยก (JBS)เนื่องจากสิ่งกีดขวาง Schottky SBD มีความสูงของสิ่งกีดขวางทางแยกที่ต่ำกว่า ดังนั้น SBD จึงมีข้อได้เปรียบของแรงดันไฟไปข้างหน้าต่ำการเกิดขึ้นของ SiC SBD ได้ขยายช่วงการใช้งานของ SBD จาก 250V เป็น 1200Vนอกจากนี้ ลักษณะของมันที่อุณหภูมิสูงนั้นดี กระแสไฟรั่วย้อนกลับไม่เพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องเป็น 175 ° C ในด้านการใช้งานของวงจรเรียงกระแสที่สูงกว่า 3kV ไดโอด SiC PiN และ SiC JBS ได้รับความสนใจอย่างมากเนื่องจากแรงดันพังทลายที่สูงขึ้น , ความเร็วในการเปลี่ยนที่เร็วกว่า, ขนาดที่เล็กกว่าและน้ำหนักเบากว่าวงจรเรียงกระแสแบบซิลิกอน
อุปกรณ์ MOSFET แบบ SiC มีความต้านทานเกตที่เหมาะสม ประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูง ความต้านทานออนต่ำ และความเสถียรสูงเป็นอุปกรณ์ที่ต้องการในด้านอุปกรณ์ไฟฟ้าที่ต่ำกว่า 300Vมีรายงานว่า MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีแรงดันบล็อก 10kV ได้รับการพัฒนาเรียบร้อยแล้วนักวิจัยเชื่อว่า SiC MOSFET จะครอบครองตำแหน่งที่ได้เปรียบในด้าน 3kV - 5kV
SiC Insulated Gate Bipolar Transistor (SiC BJT, SiC IGBT) และ SiC Thyristor (SiC Thyristor) อุปกรณ์ IGBT SiC P-type ที่มีแรงดันบล็อก 12 kV มีความสามารถในกระแสไฟไปข้างหน้าได้ดีเมื่อเปรียบเทียบกับทรานซิสเตอร์สองขั้ว Si ทรานซิสเตอร์สองขั้ว SiC มีการสูญเสียการสวิตชิ่งที่ต่ำกว่า 20-50 เท่าและแรงดันไฟเมื่อเปิดเครื่องลดลงSiC BJT ส่วนใหญ่แบ่งออกเป็น BJT ของ epitaxial emitter และตัวปล่อยการฝังไอออน BJT อัตราขยายปัจจุบันโดยทั่วไปอยู่ระหว่าง 10-50
| คุณสมบัติ | หน่วย | ซิลิคอน | SiC | กาน |
| ความกว้างของ Bandgap | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| เขตข้อมูลรายละเอียด | MV/ซม. | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| ดริฟท์ valocity | 10^7 ซม./วินาที | 1 | 2.7 | 2.5 |
| การนำความร้อน | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
การประยุกต์ใช้ SiC ในอุตสาหกรรม LED
ในปัจจุบัน คริสตัลแซฟไฟร์เป็นตัวเลือกแรกสำหรับวัสดุซับสเตรตที่ใช้ในอุตสาหกรรมอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ แต่แซฟไฟร์มีข้อบกพร่องบางอย่างที่ไม่สามารถเอาชนะได้ เช่น แลตทิซไม่ตรงกัน ความเครียดจากความร้อนไม่ตรงกัน ความต้านทานสูงเป็นฉนวน และการนำความร้อนต่ำ .ดังนั้น ลักษณะเด่นของพื้นผิว SiC จึงดึงดูดความสนใจเป็นอย่างมาก และเหมาะกว่าสำหรับใช้เป็นวัสดุพื้นผิวสำหรับไดโอดเปล่งแสง (LED) ที่ใช้แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) และเลเซอร์ไดโอด (LDs)ข้อมูลจาก Cree แสดงให้เห็นว่าการใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ อุปกรณ์ LED ของซับสเตรตสามารถให้อัตราการบำรุงรักษาแสง 70% ได้นานถึง 50,000 ชั่วโมงข้อดีของ SiC เป็นสารตั้งต้น LED:
* ค่าคงที่ขัดแตะของชั้น epitaxial SiC และ GaN ตรงกัน และลักษณะทางเคมีเข้ากันได้
* SiC มีการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม (สูงกว่าไพลินมากกว่า 10 เท่า) และใกล้เคียงกับค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนของชั้น GaN epitaxial
* SiC เป็นเซมิคอนดักเตอร์นำไฟฟ้า ซึ่งสามารถใช้ทำอุปกรณ์โครงสร้างแนวตั้งได้อิเล็กโทรดสองอันถูกแจกจ่ายบนพื้นผิวและด้านล่างของอุปกรณ์ มันสามารถแก้ไขข้อบกพร่องต่าง ๆ ที่เกิดจากโครงสร้างแนวนอนของพื้นผิวไพลิน
* SiC ไม่ต้องการชั้นการแพร่กระจายในปัจจุบัน แสงจะไม่ถูกดูดซับโดยวัสดุของชั้นการแพร่กระจายในปัจจุบัน ซึ่งช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการสกัดแสง
ข้อมูลจำเพาะของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC)
ซิลิกอนคาร์ไบด์ SiC คริสตัลพื้นผิวเวเฟอร์ carborundum
สเปคของ 3'' Inch
| ระดับ | การผลิต | เกรดวิจัย | เกรดดัมมี่ | |
| เส้นผ่านศูนย์กลาง | 50.8 มม.±0.38 มม. หรือขนาดอื่น | |||
| ความหนา | 330 ไมโครเมตร±25μm | |||
| การวางแนวเวเฟอร์ | บนแกน: <0001>±0.5° สำหรับ 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI แกนปิด : 4.0° ไปทาง 1120 ±0.5° สำหรับ 4H-N/4H-SI | |||
| ความหนาแน่นของไมโครไปป์ | ≤5 ซม.-2 | ≤15 ซม.-2 | ≤50 ซม.-2 | |
| ความต้านทาน | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 Ω·cm | (90%) >1E5 Ω·cm | ||
| แฟลตหลัก | {10-10}±5.0 ° | |||
| ความยาวแบนหลัก | 22.2 มม.±3.2 มม. | |||
| ความยาวแบนรอง | 11.2 มม. ± 1.5 มม. | |||
| การวางแนวราบรอง | ซิลิคอนหงายขึ้น: 90° CWจากไพรม์แฟลต ±5.0 ° | |||
| การยกเว้นขอบ | 2 มม. | |||
| TTV/โบว์/วาร์ป | ≤15μm / ≤25μm / ≤25μm | |||
| ความหยาบ | โปแลนด์ Ra≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0.5 นาโนเมตร | ||||
| รอยแตกจากแสงความเข้มสูง | ไม่มี | 1 ได้รับอนุญาต≤ 1mm | 1 ได้รับอนุญาต ≤2 mm | |
| แผ่นฐานสิบหกด้วยแสงความเข้มสูง | พื้นที่สะสม≤1 % | พื้นที่สะสม≤1 % | พื้นที่สะสม≤3 % | |
| พื้นที่โพลีไทป์ด้วยแสงความเข้มสูง | ไม่มี | พื้นที่สะสม≤2 % | พื้นที่สะสม≤5 % | |
| รอยขีดข่วนด้วยแสงความเข้มสูง | 3 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม | 5 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม | 8 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม | |
| ชิปขอบ | ไม่มี | อนุญาต 3, ≤0.5 มม. ต่อครั้ง | อนุญาต 5 ตัวแต่ละ ≤1 มม. | |
| การปนเปื้อนด้วยแสงความเข้มสูง | ไม่มี | |||
เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ
ZMKJ สามารถจัดหาแผ่นเวเฟอร์ SiC ผลึกเดี่ยวคุณภาพสูง (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ให้กับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์เวเฟอร์ SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไป โดยมีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์และมีคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เมื่อเทียบกับซิลิคอนเวเฟอร์และเวเฟอร์ GaAs เวเฟอร์ SiC นั้นเหมาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูงและกำลังสูงSiC wafer มีจำหน่ายในขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2-6 นิ้ว มีทั้ง SiC 4H และ 6H SiC ชนิด N ไนโตรเจนเจือ และชนิดกึ่งฉนวนโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม
คำถามที่พบบ่อย:
ถาม: วิธีการจัดส่งและต้นทุนคืออะไร?
A:(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, EMS ฯลฯ
(2) ได้ ถ้าคุณมีบัญชีด่วนของคุณเอง หากไม่มี เราสามารถช่วยคุณจัดส่งและ
ค่าระวางคือiน ตามข้อตกลงจริง
ถาม: วิธีการชำระเงิน
A: T/T 100％ เงินฝากก่อนส่งมอบ
ถาม: MOQ ของคุณคืออะไร
A: (1) สำหรับสินค้าคงคลัง ขั้นต่ำคือ 1 ชิ้นถ้า 2-5 ชิ้นจะดีกว่า
(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ commen ที่กำหนดเอง ขั้นต่ำคือ 10 ชิ้นขึ้นไป
ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A: (1) สำหรับสินค้ามาตรฐาน
สำหรับสินค้าคงคลัง: การจัดส่งคือ 5 วันทำการหลังจากที่คุณสั่งซื้อ
สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งภายใน 2 -4 สัปดาห์หลังจากที่คุณสั่งซื้อติดต่อ
ถาม: คุณมีผลิตภัณฑ์มาตรฐานหรือไม่?
ตอบ: ผลิตภัณฑ์มาตรฐานของเราในสต็อกเช่นเดียวกับพื้นผิว 4 นิ้ว 0.35 มม.