3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate

รายละเอียดสินค้า

เวเฟอร์ InP 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว N / P TYPE InP เซมิคอนดักเตอร์พื้นผิวเวเฟอร์เจือ S + / Zn + / Fe +

การเจริญเติบโต (วิธี VFG ที่ปรับเปลี่ยน) ใช้เพื่อดึงผลึกเดี่ยวผ่านสารห่อหุ้มของเหลวบอริกออกไซด์โดยเริ่มจากเมล็ด

สารเจือปน (Fe, S, Sn หรือ Zn) จะถูกเพิ่มเข้าไปในเบ้าหลอมพร้อมกับโพลีคริสตัลใช้แรงดันสูงภายในห้องเพื่อป้องกันการสลายตัวของอินเดียมฟอสไฟด์เขาเป็น บริษัท ได้พัฒนากระบวนการเพื่อให้ได้ stoechiometric อย่างเต็มที่มีความบริสุทธิ์สูงและความหนาแน่นของความคลาดเคลื่อนต่ำ inP single crystal

เทคนิค VFG ได้รับการปรับปรุงตามวิธีการ LEC ด้วยเทคโนโลยีแผ่นกั้นความร้อนที่เกี่ยวข้องกับตัวเลข

การสร้างแบบจำลองสภาพการเติบโตทางความร้อนtCZ เป็นเทคโนโลยีสำหรับผู้ใหญ่ที่คุ้มค่าพร้อมความสามารถในการทำซ้ำที่มีคุณภาพสูงตั้งแต่ลูกเปตองถึงลูกเปตอง

คุณสมบัติ:
1. คริสตัลเติบโตโดยเทคโนโลยีการวาดเส้นตรงปิดผนึกด้วยของเหลว (LEC) ด้วยเทคโนโลยีที่ครบกำหนดและประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่มั่นคง

2 โดยใช้เครื่องมือกำหนดทิศทาง X-ray เพื่อการวางแนวที่แม่นยำค่าเบี่ยงเบนการวางแนวคริสตัลอยู่ที่± 0.5 °เท่านั้น

3 เวเฟอร์ขัดด้วยเทคโนโลยีการขัดเงาทางเคมี (CMP) ความหยาบผิว <0.5 นาโนเมตร

4 เพื่อให้บรรลุข้อกำหนด "กล่องเปิดพร้อมใช้งาน"

5 ตามความต้องการของผู้ใช้การประมวลผลผลิตภัณฑ์ข้อกำหนดพิเศษ

การใช้งาน:
IIt มีข้อได้เปรียบของความเร็วในการดริฟท์ จำกัด อิเล็กทรอนิกส์สูงทนต่อรังสีได้ดีและการนำความร้อนได้ดีเหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูงความเร็วสูงและวงจรรวม

2 นิ้ว SCN / S เจือด้วย InP WAFERS

2 นิ้ว SCN / Fe + จุ่ม InP WAFERS