เลนส์แท่งคริสตัลเดี่ยวกึ่งซิค 4 ชมที่ไม่ได้ขัดเงามีความบริสุทธิ์สูง

การประยุกต์ใช้ SiC

คริสตัล SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบวงกว้างที่สำคัญเนื่องจากมีค่าการนำความร้อนสูง อัตราการเคลื่อนตัวของอิเล็กตรอนสูง ความแรงของสนามพังทลายสูง และคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร จึงใช้กันอย่างแพร่หลายในอุณหภูมิสูง ในความถี่สูงและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูงมีคริสตัล SiC มากกว่า 200 ชนิดที่ค้นพบแล้วในหมู่พวกเขา คริสตัล 4H- และ 6H-SiC มีจำหน่ายในเชิงพาณิชย์ทั้งหมดอยู่ในกลุ่มพอยต์ 6 มม. และมีเอฟเฟกต์ออปติคัลแบบไม่เชิงเส้นอันดับสองผลึก SiC กึ่งฉนวนสามารถมองเห็นได้และมีขนาดปานกลางแถบอินฟราเรดมีการส่งผ่านที่สูงขึ้นดังนั้นอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ผลึก SiC จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น อุณหภูมิสูงและความดันสูงคริสตัล 4H-SiC กึ่งฉนวนได้รับการพิสูจน์แล้วว่าเป็นคริสตัลออปติคัลแบบไม่เชิงเส้นช่วงกลางอินฟราเรดชนิดใหม่เมื่อเทียบกับคริสตัลออปติคัลแบบไม่เชิงเส้นในช่วงกลางอินฟราเรดที่ใช้กันทั่วไป คริสตัล SiC มีช่องว่างแถบกว้าง (3.2eV) เนื่องจากคริสตัล, การนำความร้อนสูง (490W/m·K) และพลังงานพันธะขนาดใหญ่ (5eV) ระหว่าง Si-C เพื่อให้คริสตัล SiC มีขีดจำกัดความเสียหายของเลเซอร์สูงดังนั้นคริสตัล 4H-SiC กึ่งฉนวนในฐานะคริสตัลการแปลงความถี่แบบไม่เชิงเส้นจึงมีข้อดีที่ชัดเจนในการส่งออกเลเซอร์อินฟราเรดกลางกำลังสูงดังนั้น ในด้านของเลเซอร์กำลังสูง คริสตัล SiC เป็นคริสตัลออปติคัลแบบไม่เชิงเส้นที่มีแนวโน้มการใช้งานในวงกว้างอย่างไรก็ตาม การวิจัยในปัจจุบันที่ใช้คุณสมบัติไม่เชิงเส้นของผลึก SiC และการใช้งานที่เกี่ยวข้องยังไม่สมบูรณ์งานนี้ใช้คุณสมบัติเชิงแสงที่ไม่เป็นเชิงเส้นของผลึก 4H- และ 6H-SiC เป็นเนื้อหาการวิจัยหลัก และมีวัตถุประสงค์เพื่อแก้ปัญหาพื้นฐานบางอย่างของผลึก SiC ในแง่ของคุณสมบัติทางแสงที่ไม่เป็นเชิงเส้น เพื่อส่งเสริมการใช้คริสตัล SiC ในภาคสนาม ของเลนส์ไม่เชิงเส้นมีการดำเนินการชุดของงานที่เกี่ยวข้องในทางทฤษฎีและการทดลอง และผลการวิจัยหลักมีดังนี้: ขั้นแรก ศึกษาคุณสมบัติทางแสงที่ไม่เป็นเชิงเส้นพื้นฐานของผลึก SiCการทดสอบการหักเหของอุณหภูมิแบบแปรผันของผลึก 4H- และ 6H-SiC ในแถบอินฟราเรดที่มองเห็นได้และช่วงกลางอินฟราเรด (404.7 นาโนเมตร ~ 2325.4 นาโนเมตร) ได้รับการทดสอบ และติดตั้งสมการ Sellmier ของดัชนีการหักเหของอุณหภูมิแปรผันทฤษฎีแบบจำลองออสซิลเลเตอร์เดี่ยวถูกใช้ในการคำนวณการกระจายตัวของสัมประสิทธิ์เทอร์โมออปติกมีการให้คำอธิบายเชิงทฤษฎีศึกษาอิทธิพลของเอฟเฟกต์เทอร์โมออปติกต่อการจับคู่เฟสของคริสตัล 4H- และ 6H-SiCผลการวิจัยพบว่าการจับคู่เฟสของผลึก 4H-SiC ไม่ได้รับผลกระทบจากอุณหภูมิ ในขณะที่ผลึก 6H-SiC ยังคงไม่สามารถจับคู่เฟสอุณหภูมิได้สภาพ.นอกจากนี้ ปัจจัยความถี่สองเท่าของคริสตัล 4H-SiC กึ่งฉนวนได้รับการทดสอบโดยวิธี Maker fringeประการที่สอง ศึกษาการสร้างพารามิเตอร์ออปติคัลเฟมโตวินาทีและประสิทธิภาพการขยายสัญญาณของคริสตัล 4H-SiCการจับคู่เฟส การจับคู่ความเร็วของกลุ่ม มุมที่ไม่เป็นแนวร่วมที่ดีที่สุด และความยาวคริสตัลที่ดีที่สุดของคริสตัล 4H-SiC ที่สูบด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาที 800 นาโนเมตรจะได้รับการวิเคราะห์ตามหลักวิชาการใช้เลเซอร์เฟมโตวินาทีที่มีความยาวคลื่น 800 นาโนเมตรโดยเลเซอร์ Ti:Sapphire เป็นแหล่งของปั๊มโดยใช้เทคโนโลยีการขยายพาราเมตริกแบบออปติคัลสองขั้นตอนโดยใช้คริสตัล 4H-SiC กึ่งฉนวนหนา 3.1 มม. เป็นคริสตัลออปติคัลแบบไม่เชิงเส้น การจับคู่เฟสต่ำกว่า 90° เป็นครั้งแรกที่เลเซอร์อินฟราเรดช่วงกลางที่มีความยาวคลื่นกลาง 3750 นาโนเมตร พลังงานพัลส์เดี่ยวสูงถึง17μJ และความกว้างพัลส์ 70fs ได้รับจากการทดลองเลเซอร์เฟมโตวินาทีขนาด 532 นาโนเมตรใช้เป็นไฟปั๊ม และคริสตัล SiC นั้นจับคู่เฟส 90° เพื่อสร้างไฟสัญญาณที่มีความยาวคลื่นศูนย์เอาท์พุต 603 นาโนเมตรผ่านพารามิเตอร์ทางแสงประการที่สาม ศึกษาประสิทธิภาพการขยายสเปกตรัมของคริสตัล 4H-SiC กึ่งฉนวนในฐานะสื่อแสงแบบไม่เชิงเส้นผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าความกว้างสูงสุดครึ่งหนึ่งของสเปกตรัมที่ขยายเพิ่มขึ้นตามความยาวของคริสตัลและความหนาแน่นของพลังงานเลเซอร์ที่ตกกระทบบนคริสตัลการเพิ่มขึ้นเชิงเส้นสามารถอธิบายได้ด้วยหลักการของการปรับเฟสตัวเอง ซึ่งส่วนใหญ่เกิดจากความแตกต่างของดัชนีการหักเหของแสงของคริสตัลกับความเข้มของแสงตกกระทบในเวลาเดียวกัน มีการวิเคราะห์ว่าในช่วงเวลา femtosecond ดัชนีการหักเหของแสงแบบไม่เชิงเส้นของผลึก SiC อาจเกิดจากอิเล็กตรอนที่ถูกผูกไว้ในคริสตัลและอิเล็กตรอนอิสระในแถบการนำไฟฟ้าและเทคโนโลยี z-scan ใช้เพื่อศึกษาผลึก SiC เบื้องต้นภายใต้เลเซอร์ 532 นาโนเมตรการดูดซับแบบไม่เชิงเส้นและไม่ใช่

ประสิทธิภาพของดัชนีการหักเหของแสงเชิงเส้น

6นิ้ว สารตั้งต้นกึ่งฉนวน 4H-SiC ความบริสุทธิ์สูง Specifications