 |
ไม่มีสี SrLaAlO4 MgAl2O4 Wafer Substrate Crystal สำหรับจุดต่อตัวนำยิ่งยวด
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| หมายเลขรุ่น: | เวเฟอร์ |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | แพ็คเกจแผ่นเวเฟอร์เดี่ยวในห้องทำความสะอาดเกรด 100 |
| เวลาการส่งมอบ: | 2-4 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 1000 ชิ้น |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | LaSrAlTaO3 คริสตัลซับสเตรต | ขนาดทั่วไป: | 10x10 20x20 |
|---|---|---|---|
| ปฐมนิเทศ: | <100><110><111> | สี: | ไม่มีสี |
| แอปพลิเคชัน: | เทคโนโลยีทางแยกตัวนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิสูง | ||
| แสงสูง: | คริสตัล mgal2o4 ที่ไม่มีสี,เวเฟอร์จุดเชื่อมต่อตัวนำยิ่งยวด mgal2o4,พื้นผิว SrLaAlO4 ที่ไม่มีสี |
||
รายละเอียดสินค้า
10x10x0.5mmt SrLaAlO4 Wafer Substrate Crystal
รายละเอียดสินค้า
พื้นผิวของ LSATคริสตัลเดี่ยว
LSAT(La0.18Sr0.82Al0.59Ta0.41)O3
คุณสมบัติทางกายภาพทั่วไป:
สินค้าที่เกี่ยวข้องของเรา
พื้นผิวโมโนคริสตัล
|
คริสตัลใหม่
|
|||
|
DyScO3
|
GdScO3
|
PrScO3
|
NdScO3
|
|
MnO
|
CeO2
|
Cu2O
|
Fe3O4
|
|
SnO2
|
Fe2O3
|
ZnO/Al2O3
|
|
|
ตัวนำยิ่งยวด Thin Flm
|
|||
|
SrTiO3
|
LaAlO3
|
YSZ
|
MgO
|
|
NdGaO3
|
KTaO3
|
SrLaAlO4
|
|
|
ฟิล์มบาง Epitaxial ที่ใช้งานได้
|
|||
|
SiO2 + ซิ
|
GaN บนเวเฟอร์ไพลิน
|
Pt/Ti/SiO2/Si เวเฟอร์
|
|
|
พื้นผิวฟิล์มบางแม่เหล็กเฟอร์โรอิเล็กทริก
|
|||
|
พื้นผิว GGG
|
Nb:สารตั้งต้น SrTiO3
|
Fe:สารตั้งต้น SrTiO3
|
พื้นผิว PMN-PT
|
|
พื้นผิวทรานซิสเตอร์ภาพถ่าย
|
|||
|
พื้นผิว TiO2 Rutile
|
SiO2 ควอตซ์โมโนคริสตัลซับสเตรต
|
พื้นผิวแก้วควอทซ์
|
พื้นผิว YAlO3
|
|
พื้นผิว YAG
|
สารตั้งต้น LiNbO3
|
สารตั้งต้น LiTaO3
|
|
|
สารกึ่งตัวนำคริสตัลซับสเตรต
|
|||
|
ซอยศรี+SiO2+ศรี
|
Ge พื้นผิว
|
ศรีพื้นผิว
|
InP ซับสเตรต
|
|
InAs ซับสเตรต
|
InSb พื้นผิว
|
|
|
|
พื้นผิวคริสตัลฟลูออไรด์
|
|||
|
สารตั้งต้น MgF2
|
สารตั้งต้น CaF2
|
สารตั้งต้น BaF2
|
สารตั้งต้น LiF
|
|
สารตั้งต้น KCl
|
สารตั้งต้น NaCl
|
KBr พื้นผิว
|
|
|
พื้นผิวคริสตัล III-V
|
|||
|
เวฟแซฟไฟร์r
|
GaN monocrystal ซับสเตรต
|
สารตั้งต้น LiAlO2
|
สารตั้งต้น MgAl2O4
|
|
พื้นผิวคริสตัล II-VI
|
|||
|
สารตั้งต้นที่มีความต้านทานสูง ZnO
|
สารตั้งต้นที่มีความต้านทานต่ำ ZnO
|
Ga:ZnO พื้นผิว
|
สารตั้งต้น SiC
|
|
พื้นผิวเซรามิก
|
|||
|
Al2O3 96% ซับสเตรต
|
พื้นผิวเซรามิก AlN
|
YSZ เซรามิกซับสเตรต
|
|
|
วัสดุอื่นๆ
|
|||
|
โมโนคริสตัลซับสเตรตโลหะ Cu
|
อัลโลหะ monocrystalsubstrate
|
Mg โลหะ monocrystalsubstrate
|
KTa(1-x)Nb(x)O3
|
|
พื้นผิวกระจก K9
|
หลอดไพลิน
|
หลอดทับทิม
|
|
แซฟไฟร์/ SiC/ GaN/GaAs/ InP/ MgO ผลึกเดี่ยว
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: คุณเป็นบริษัทการค้าหรือผู้ผลิต
A: เราเป็นโรงงานที่ผลิตแผ่นแซฟไฟร์ ＆sic wafers
ถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของคุณนานเท่าไร?
A: โดยทั่วไป 3-5 วันหากสินค้าอยู่ในสต็อกหรือ 7-10 วันถ้าสินค้าไม่มีในสต็อกก็เป็นไปตามปริมาณ
ถาม: คุณให้ตัวอย่างหรือไม่?มันฟรีหรือพิเศษ?
ตอบ: ได้ เราสามารถเสนอตัวอย่างได้ฟรี แต่ไม่ต้องเสียค่าขนส่ง
ถาม: เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร
A: การชำระเงิน <=5000USD ล่วงหน้า 100%การชำระเงิน >=5000USD, 50% T/T ล่วงหน้า สมดุลก่อนจัดส่ง
ต้องการทราบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้