 |
แกนแกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์ HVPE เทมเพลตชิปยืนฟรี 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| หมายเลขรุ่น: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 10PCS |
|---|---|
| ราคา: | 1200~2500usd/pc |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เคสเวเฟอร์เดี่ยวโดยแพ็คเกจสูญญากาศ |
| เวลาการส่งมอบ: | 1-5 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
| สามารถในการผลิต: | 50 ชิ้นต่อเดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | GaN ผลึกเดี่ยว | ขนาด: | 10x10/5x5/5x10 มม. |
|---|---|---|---|
| ความหนา: | 0.35mm | พิมพ์: | N-type |
| แอปพลิเคชัน: | อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ | ||
| แสงสูง: | เวเฟอร์แกนแกลเลียมไนไตรด์,เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์ 5x5,เทมเพลตชิปแบบยืนฟรี GaN Wafer |
||
รายละเอียดสินค้า
แม่แบบพื้นผิว GaN ขนาด 2 นิ้ว, เวเฟอร์ GaN สำหรับ LeD, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับ ld, แม่แบบ GaN, mocvd GaN เวเฟอร์, พื้นผิว GaN แบบอิสระตามขนาดที่กำหนดเอง, เวเฟอร์ GaN ขนาดเล็กสำหรับ LED, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์ mocvd แกลเลียม 10x10 มม., 5x5 มม., 10x5 มม. GaN เวเฟอร์, พื้นผิว GaN ที่ไม่มีขั้วอิสระ (a-plane และ m-plane)
GaN Wafer ลักษณะ
| ผลิตภัณฑ์ | สารตั้งต้นของแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) | ||||||||||||||
| รายละเอียดสินค้า: |
เทมเพลต Saphhire GaN ถูกนำเสนอโดยวิธี Epitxial hydride vapor phase epitaxy (HVPE)ในกระบวนการ HVPE กรดที่เกิดจากปฏิกิริยา GaCl ซึ่งจะทำปฏิกิริยากับแอมโมเนียเพื่อผลิตแกลเลียมไนไตรด์ละลายเทมเพลต Epitaxial GaN เป็นวิธีที่ประหยัดต้นทุนในการเปลี่ยนซับสเตรตผลึกเดี่ยวของแกลเลียมไนไตรด์ |
||||||||||||||
| พารามิเตอร์ทางเทคนิค: |
|
||||||||||||||
| ข้อมูลจำเพาะ: |
ฟิล์ม epitaxial GaN (เครื่องบิน C), N-type, 2 "* 30 ไมครอน, ไพลิน; ฟิล์ม epitaxial GaN (เครื่องบิน C), N-type, 2 "* 5 ไมครอนไพลิน; ฟิล์ม epitaxial GaN (R Plane), N-type, 2 "* 5 ไมครอนไพลิน; ฟิล์ม epitaxial GaN (M Plane), N-type, 2 "* 5 ไมครอนไพลิน ฟิล์ม AL2O3 + GaN (Si เจือชนิด N);ฟิล์ม AL2O3 + GaN (สารเจือชนิด P) หมายเหตุ: ตามความต้องการของลูกค้าการวางแนวปลั๊กพิเศษและขนาด |
||||||||||||||
| บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: | ห้องคลีนรูม 1,000 ถุง ถุงสะอาด 100 ใบหรือบรรจุภัณฑ์กล่องเดียว |
แอปพลิเคชัน
GaN สามารถใช้ได้ในหลายพื้นที่ เช่น จอแสดงผล LED, การตรวจจับและการถ่ายภาพพลังงานสูง,
เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ
- เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ
- การจัดเก็บวันที่
- แสงสว่างที่ประหยัดพลังงาน
- จอแสดงผล FL สีเต็มรูปแบบ
- การฉายภาพด้วยเลเซอร์
- อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง
- อุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูง
- การตรวจจับและจินตนาการพลังงานสูง
- เทคโนโลยีไฮโดรเจนโซลาร์พลังงานใหม่
- การตรวจจับสภาพแวดล้อมและยาชีวภาพ
- แหล่งกำเนิดแสงวงเทอร์เฮิร์ตซ์
ข้อมูลจำเพาะ:
| พื้นผิว GaN แบบไม่มีขั้วอิสระ (a-plane และ m-plane) | ||
| สิ่งของ | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| ขนาด | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| ขนาดที่กำหนดเอง | ||
| ความหนา | 350 ± 25 µm | |
| ปฐมนิเทศ | ระนาบ ± 1° | m-ระนาบ ± 1° |
| TTV | ≤15 µm | |
| คันธนู | ≤20 µm | |
| ประเภทการนำ | N-type | |
| ความต้านทาน (300K) | < 0.5 Ω·cm | |
| ความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ | น้อยกว่า 5x106ซม-2 | |
| พื้นที่ผิวที่ใช้งานได้ | > 90% | |
| ขัด | พื้นผิวด้านหน้า: Ra < 0.2nm.Epi-พร้อมขัด | |
| พื้นผิวด้านหลัง: พื้นดินละเอียด | ||
| บรรจุุภัณฑ์ | บรรจุในสภาพแวดล้อมคลีนรูมคลาส 100 ในคอนเทนเนอร์เวเฟอร์เดี่ยว ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน | |
ถาม: ความต้องการสั่งซื้อขั้นต่ำของคุณคืออะไร?
A:MOQ:10 ชิ้น
ถาม: จะใช้เวลานานเท่าใดในการดำเนินการตามคำสั่งซื้อและจัดส่ง
A:ยืนยันการสั่งซื้อ1วันหลังจากยืนยันการชำระเงินและการจัดส่งใน5วันถ้ามีในหุ้น
ถาม: คุณสามารถให้การรับประกันผลิตภัณฑ์ของคุณได้หรือไม่?
ตอบ: เราสัญญาว่าคุณภาพ หากคุณภาพมีปัญหา เราจะผลิตผลิตภัณฑ์ใหม่หรือคืนเงินให้คุณ
ถาม: วิธีชำระเงิน
A:T/T, Paypal, West Union, โอนเงินผ่านธนาคาร
ถาม: ค่าขนส่งเป็นอย่างไร?
ตอบ: เราสามารถช่วยคุณชำระค่าธรรมเนียมได้หากคุณไม่มีบัญชี
ถ้าสั่งซื้อมากกว่า 10000 usd เราสามารถจัดส่งโดย CIF