หนา 350 um 2 นิ้ว Single Crystal InP Semiconductor Substrate Prime
เจอร์เมเนียม/ อินเดียมฟอสไฟด์/ แกลเลียมอาร์เซไนด์เวเฟอร์
เวเฟอร์ InP
เวเฟอร์ Epitaxial จากอินเดียมฟอสไฟด์
-
ผลึกเดี่ยว InP อินเดียมฟอสไฟด์เวเฟอร์ 350 - 650um ความหนา
ติดต่อตอนนี้ -
3 นิ้ว InP Indium Phosphide Substrate N-Type Semiconductor วิธีการเติบโตของ VGF 111 100 แนวทาง
ติดต่อตอนนี้ -
ซิลิคอนวอฟเฟอร์ ความหนา 4 นิ้ว 500+/-20 ความต้านทาน 1-10 โอเอ็ม·ซม ออริเอนเตชั่น100 โปลิศด้านคู่
ติดต่อตอนนี้ -
Epi พร้อม 4 นิ้ว InP โฟฟ์ N-type-p-type EPF < 1000cm^2 ความหนา 325um±50um
ติดต่อตอนนี้ -
สายทิศทางของซิลิคอนวอฟเฟอร์ CZ111 ความต้านทาน: 1-10 (ohm.cm) ด้านเดียวหรือสองด้านเลน
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
วิดีโออื่นๆ
August 03, 2022
