การเชื่อมโยงแผ่น

วิดีโออื่นๆ

April 11, 2025

การเชื่อมต่อหมวดหมู่: อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

การพูดคุย ติดต่อเรา

แท็ก:

#เครื่องส่งผ่านแสงเมตรเครื่องส่งผ่านแสงยูวี #มิเตอร์วัดแสง #อุปกรณ์ผสมผสานแผ่นสับในอุณหภูมิห้อง

สรุป: Discover the advanced Wafer Bonder Equipment designed for high-precision bonding of silicon carbide (SiC) wafers. This equipment supports room temperature and hydrophilic bonding for 4, 6, 8, and 12-inch wafers, ideal for SiC-Si and SiC-SiC applications. Perfect for power semiconductor manufacturing and research.

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

สนับสนุนอุณหภูมิห้องและเทคนิคการเชื่อมโยงแบบไฮโดรฟิลิคสําหรับแผ่น SiC
Compatible with 4-inch, 6-inch, 8-inch, and 12-inch wafer sizes.
High-accuracy optical alignment system with ≤ ±1 µm precision.
Adjustable bonding pressure from 0-5 MPa for optimal results.
Temperature range from room temp up to 400°C for pre/post treatment.
High vacuum chamber ensures particle-free bonding environment.
Touchscreen interface with programmable recipes for easy operation.
Optional automatic wafer loading/unloading for high-throughput production.

คำถามที่พบบ่อย:

What's the main advantage of bonding SiC at room temperature?

It avoids thermal stress and material deformation, crucial for brittle or mismatched thermal expansion substrates like SiC.
Can this equipment be used for temporary bonding?

While this unit specializes in permanent bonding, a variant with temporary bonding functionality is available upon request.
How do you ensure alignment for high-precision wafers?

The system uses optical alignment with sub-micron resolution and auto-correction algorithms.

การเชื่อมโยงแผ่น

โวฟเฟอร์ บอนเดอร์ อุปกรณ์อุปกรณ์อุณหภูมิห้อง ผูกพันธะ Hydrophilic Bonding สําหรับ 4 6 8 12 นิ้ว SiC-Si SiC-SiC

High-Speed Laser Communication Components & Terminals – 10 Gbps Space Optical Link Solutions

เครื่องขัดเงาหุ่นยนต์อัจฉริยะสำหรับโดมเวเฟอร์ Sapphire SiC Si

เครื่องพิมพ์เลเซอร์แม่นยําสูง ผลผิวสายรุ้ง

อุปกรณ์เลเซอร์โครมาติก 355nm/532nm/1064nm สำหรับการประมวลผลเอฟเฟกต์พื้นผิวแบบไล่ระดับสีและรุ้ง

การป้องกันหลอดสีสีสีสีเหลือง เลเซอร์แสงแรงดันสูง อุณหภูมิสูง

1 นิ้ว คาเซ็ท กล่องโวฟเวอร์สําหรับ SIC Sapphire Si โวฟเวอร์

ท่อและแท่งแซฟไฟร์คริสตัลเดี่ยวที่ปลูกบนพื้นละเอียดและพื้นผิวมันเงา

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

เครื่องตัดลวดเพชรความแม่นยำสูง ควบคุมแรงตึงคงที่

แผ่นเวเฟอร์ SiC แบบ Epitaxial

4 นิ้วที่กําหนดเอง A Axis Sapphire Wafers สําหรับการเติบโต Epitaxial 430um

อิตเทรียมอะลูมิเนียมโกเมนเวเฟอร์ YAG Ingots Er:YAG Ce:YAG Nd:YAG Yb:YAG

โมซซานิตแชมเปญ

ตลับลูกปืนทับทิม – ตลับลูกปืนอัญมณีความแม่นยำสูงสำหรับประสิทธิภาพสูง