ดูทําไมต้องเลือก อุปกรณ์เลเซอร์ไมโครฟลิวไดค์สําหรับการประมวลผลแผ่นแผ่นครึ่งตัว

วิดีโออื่นๆ
December 16, 2025
การเชื่อมต่อหมวดหมู่: อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์
สรุป: ในการเดินหน้านี้ เราจะเน้นความคิดสําคัญเกี่ยวกับการออกแบบ และวิธีการที่มันแปลเป็นผลงานดูวิธีที่เครื่องมือเลเซอร์ไมโครฟลิวไดซ์ใช้เจ็ตน้ําบางเส้นผมเพื่อนําพลังงานเลเซอร์สําหรับการประมวลผลแผ่นแผ่นครึ่งพัดค้นพบวิธีการหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวดหมวด
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:
  • Hybrid micromachining method coupling a thin water jet with a laser beam for precise energy delivery.
  • Total internal reflection guiding mechanism ensures accurate laser beam transmission to the workpiece.
  • Continuous cooling and debris removal during processing for a cleaner, more stable operation.
  • Reduces heat-affected damage, contamination, oxidation, and microcracks in semiconductor materials.
  • Supports various laser wavelengths (1064 nm, 532 nm, 355 nm) and power levels up to 200 W.
  • Configurable nozzle diameters from 30-150 μm using sapphire or diamond materials.
  • High-precision positioning with accuracy up to ±5 μm and repeatability of ±2 μm.
  • Applicable to advanced packaging, wafer dicing, chip drilling, and defect repair processes.
คำถามที่พบบ่อย:
  • What is microjet laser technology?
    Microjet laser technology is a hybrid micromachining process where a thin, high-velocity water jet guides a laser beam using total internal reflection, delivering precise energy to the workpiece while providing continuous cooling and debris removal.
  • What are the key advantages of microjet laser processing versus dry laser processing?
    Key advantages include reduced heat-affected damage, less contamination and redeposition, lower risk of oxidation and microcracks, minimized kerf taper, and improved edge quality on hard and brittle semiconductor materials.
  • Which semiconductor materials are best suited for microjet laser processing?
    It is particularly well-suited for hard and brittle materials like silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), as well as silicon wafers, ultra-wide-bandgap materials such as diamond and gallium oxide, and selected advanced ceramic substrates.
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง