DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer

ข้อมูลพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด: ประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: ZMKJ
หมายเลขรุ่น: เวเฟอร์ sic ความบริสุทธิ์สูง 4 นิ้ว
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2pcs
ราคา: by case
รายละเอียดการบรรจุ: แพคเกจเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด 100 เกรด
เวลาการส่งมอบ: 1-4weeks
เงื่อนไขการชำระเงิน: T / T, Wester N Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 1-50pcs / เดือน
วัสดุ: SiC ผลึกเดี่ยว 4h-N เกรด: เกรดการผลิต
Thicnkss: 2 มม. หรือ 0.5 มม Suraface: DSP
ใบสมัคร: EPITAXIAL เส้นผ่าศูนย์กลาง: 4inch
สี: ไม่มีสี MPD: <1 ซม. -2
แสงสูง:

เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์บอรันดัม

,

เวเฟอร์ซิลิคอนเกรดดัมมี่

,

เวเฟอร์ซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ DSPSP

ขนาดที่กำหนดเอง/2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว/6 นิ้ว 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC แท่ง/ความบริสุทธิ์สูง 4H-N 4 นิ้ว 6 นิ้ว dia 150 มม. ซิลิกอนคาร์ไบด์เดี่ยว

un-doped 4 "6" 6 นิ้ว 4h-sic sic wafer 4Inch หุ่นการผลิตเกรด

 

เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)Crystal

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) หรือที่เรียกว่าคาร์บอรันดัม เป็นสารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยซิลิกอนและคาร์บอนที่มีสูตรทางเคมี SiCSiC ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ที่ทำงานที่อุณหภูมิสูงหรือไฟฟ้าแรงสูง หรือทั้งสองอย่าง SiC ยังเป็นหนึ่งในส่วนประกอบ LED ที่สำคัญ เป็นสารตั้งต้นที่ได้รับความนิยมสำหรับอุปกรณ์ GaN ที่กำลังเติบโต และยังทำหน้าที่เป็นตัวกระจายความร้อนใน ไฟ LED

 

1. คำอธิบาย
คุณสมบัติ 4H-SiC, ผลึกเดี่ยว 6H-SiC, ผลึกเดี่ยว
พารามิเตอร์ตาข่าย a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
ลำดับการซ้อน ABCB ABCACB
ความแข็งของโมห์ ≈9.2 ≈9.2
ความหนาแน่น 3.21 ก./ซม.3 3.21 ก./ซม.3
เทอร์ม.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว 4-5×10-6/พัน 4-5×10-6/พัน
ดัชนีหักเหที่ 750nm

ไม่ = 2.61
เน = 2.66

ไม่ = 2.60
เน = 2.65

ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก ค~9.66 ค~9.66
ค่าการนำความร้อน (ชนิด N, 0.02 โอห์ม.ซม.)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 วัตต์/ซม.·K@298K

 
การนำความร้อน (กึ่งฉนวน)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 วัตต์/ซม.·K@298K

Band-gap 3.23 eV 3.02 eV
สนามไฟฟ้าพังทลาย 3-5×106V/ซม. 3-5×106V/ซม.
ความเร็วของความอิ่มตัวของความอิ่มตัว 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

ข้อมูลจำเพาะพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 4H-N 4 นิ้ว

ข้อมูลจำเพาะของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) เส้นผ่านศูนย์กลาง 2 นิ้ว  
ระดับ ศูนย์ MPD เกรด เกรดการผลิต เกรดวิจัย เกรดดัมมี่  
 
เส้นผ่านศูนย์กลาง 100. มม.±0.38 มม. 150±0.5 มม.  
 
ความหนา 500±25um หรือความหนาที่กำหนดเองอื่น ๆ  
 
การวางแนวเวเฟอร์ แกนนอก : 4.0° ไปทาง <1120> ±0.5° สำหรับ 4H-N/4H-SI บนแกน : <0001>±0.5° สำหรับ 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
ความหนาแน่นของไมโครไปป์ ≤0.4cm-2 ≤1cm-2 ≤5cm-2 ≤10 ซม.-2  
 
ความต้านทาน 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
แฟลตหลัก {10-10}±5.0 °  
 
ความยาวแบนหลัก 18.5 มม.±2.0 มม.  
 
ความยาวแบนรอง 10.0 มม.±2.0 มม.  
 
ปฐมนิเทศแบนรอง ซิลิคอนหงายขึ้น: 90° CWจากไพรม์แฟลต ±5.0 °  
 
การยกเว้นขอบ 1 มม.  
 
TTV/โบว์/วาร์ป ≤10μm / ≤10μm / ≤15μm  
 
ความหยาบ โปแลนด์ Ra≤1 nm  
 
CMP Ra≤0.5 นาโนเมตร  
 
รอยแตกจากแสงความเข้มสูง ไม่มี 1 ได้รับอนุญาต ≤2 mm ความยาวสะสม ≤ 10 มม. ความยาวเดียว≤2มม.  
 
 
แผ่นฐานสิบหกด้วยแสงความเข้มสูง พื้นที่สะสม ≤1% พื้นที่สะสม ≤1% พื้นที่สะสม ≤3%  
 
พื้นที่ Polytype ด้วยแสงความเข้มสูง ไม่มี พื้นที่สะสม ≤2% พื้นที่สะสม ≤5%  
 
 
รอยขีดข่วนด้วยแสงความเข้มสูง 3 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม 5 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม 5 รอยขีดข่วนถึง 1×เส้นผ่านศูนย์กลางแผ่นเวเฟอร์ความยาวสะสม  
 
 
ชิปขอบ ไม่มี อนุญาต 3, ≤0.5 มม. ต่อครั้ง อนุญาต 5 ตัวแต่ละ ≤1 มม.  

 

แสดงการผลิตแสดง

 

 DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 1
 
DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 2
DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 3DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 4
แคตตาล็อก ขนาดทั่วไปในรายการสินค้าคงคลังของเรา  
 

 

ประเภท 4H-N / เวเฟอร์ SiC ความบริสุทธิ์สูง/แท่ง
2 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง
3 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์
4 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง
6 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง

4H กึ่งฉนวน / ความบริสุทธิ์สูง SiC เวเฟอร์

เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4 นิ้ว 4 นิ้ว 2 นิ้ว
เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวนขนาด 3 นิ้ว 4H
แผ่นเวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4 นิ้ว 4 นิ้ว
6 นิ้ว 4H เวเฟอร์กึ่งฉนวน SiCH
 
 
6H N-Type SiC เวเฟอร์
2 นิ้ว 6H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง
 
ขนาดที่กำหนดเองสำหรับ 2-6 นิ้ว
 

แอปพลิเคชัน SiC

พื้นที่สมัคร

  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูงและกำลังสูง 1 ตัว ไดโอด Schottky, JFET, BJT, Pin,
  • ไดโอด, IGBT, MOSFET
  • อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ 2 ชิ้น: ส่วนใหญ่ใช้ในวัสดุพื้นผิว LED สีน้ำเงิน GaN/SiC (GaN/SiC) LED

>บรรจุภัณฑ์ – Logistcs
เราคำนึงถึงรายละเอียดของบรรจุภัณฑ์ การทำความสะอาด ป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ช็อกบำบัด

ตามปริมาณและรูปร่างของผลิตภัณฑ์ เราจะใช้กระบวนการบรรจุภัณฑ์ที่แตกต่างกัน!เกือบโดยตลับแผ่นเวเฟอร์เดี่ยวหรือตลับ 25 ชิ้นในห้องทำความสะอาดเกรด 100

คำถามที่พบบ่อย
ไตรมาสที่ 1คุณเป็นโรงงานหรือไม่?
A1.ใช่ เราเป็นผู้ผลิตชิ้นส่วนออปติคัลระดับมืออาชีพ เรามีประสบการณ์มากกว่า 8 ปีในกระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์และเลนส์ออปติคัล
 
ไตรมาสที่ 2MOQ ของผลิตภัณฑ์ของคุณคืออะไร?
A2.ไม่มีขั้นต่ำสำหรับลูกค้าหากผลิตภัณฑ์ของเราอยู่ในสต็อกหรือ 1-10 ชิ้น
 
Q3: ฉันสามารถกำหนดผลิตภัณฑ์ตามความต้องการของฉันได้หรือไม่?
A3.Yes เราสามารถปรับแต่งวัสดุ ข้อกำหนด และการเคลือบด้วยแสงสำหรับส่วนประกอบออปติคัลของคุณได้
 
ไตรมาสที่ 4ฉันจะได้ตัวอย่างจากคุณได้อย่างไร
A4.เพียงส่งความต้องการของคุณมาให้เรา จากนั้นเราจะส่งตัวอย่างตามนั้น
 
Q5.ตัวอย่างจะเสร็จกี่วัน?ผลิตภัณฑ์มวลรวมเป็นอย่างไร?
A5.โดยทั่วไปเราต้องการ 1 ~ 2 สัปดาห์เพื่อสิ้นสุดการผลิตตัวอย่างสำหรับผลิตภัณฑ์มวลรวมนั้น ขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
 
Q6.เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A6.(1) สำหรับสินค้าคงคลัง: เวลาในการจัดส่งคือ 1-3 วันทำการ(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: เวลาในการจัดส่งคือ 7 ถึง 25 วันทำการ
ตามปริมาณ.
 
Q7.คุณควบคุมคุณภาพได้อย่างไร?
A7.ตรวจสอบคุณภาพมากกว่าสี่ครั้งในระหว่างกระบวนการผลิต เราสามารถจัดทำรายงานการทดสอบคุณภาพ
 
Q8.ความสามารถในการผลิตเลนส์ออปติคอลของคุณต่อเดือนเป็นอย่างไร?
A8.ประมาณ 1,000 ชิ้น / เดือน ตามความต้องการรายละเอียด

 

รายละเอียดการติดต่อ
Manager

หมายเลขโทรศัพท์ : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596