พื้นผิวไพลิน

• LNOI วาเฟอร์ ไลธีียมไนโอเบท บนไอโซเลเตอร์ 2/3/4/6/8 นิ้ว LN หน่วย
• การถ่ายส่งสูง TGV Sapphire Substrate Conductive Aerospace Automotive AR VR
• TGV สับสราทแก้ว ผ่านรูเคลือบครึ่งตัวนําบรรจุ JGS1 JGS2
• สตาร์ดเลเซอร์รูบี้ที่กําหนดเอง Al2O3:Cr3+ กว้าง 2 มม / 4 มม ความยาว 10 มม / 20 มม

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

• แผ่นควอตซ์หล่อหลอมแบบกําหนดเองที่มีรูผ่านแสง
• วีวี / IR เกรด Quartz ผ่านแผ่นรู Custom ตัดอุณหภูมิสูง
• โปรแกรมการกํากับรังสี UV สําหรับระบบเลเซอร์และระบบการถ่ายภาพ
• พริซมออปติกควอตซ์หล่อหลอม โอน UV/VIS มุมที่กําหนดเอง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

• 8 นิ้ว 200 มม. ขัดเงาซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิว Sic Chip Semiconductor
• 8 นิ้ว SiC Epitaxial Wafers ผลิตและประสิทธิภาพ อิเล็กทรอนิกส์พลังงานขนาดใหญ่
• แผ่นเวเฟอร์ SiC Epitaxial – ซับสเตรต 4H/6H SiC ความหนาและการเจือปนแบบกำหนดเอง
• 12 นิ้ว SiC Wafer 300 มิลลิเมตร Silicon Carbide Wafer สายนํา Dummy เกรด N-Type เกรดการวิจัย

หลอดไพลิน

• 25-500um Sapphire ไฟเบอร์ออปติกเคเบิลสายสื่อสาร อลูมิเนียม ไฟเบอร์โคลนเดียว Al2O3
• หลอดเส้นเลือดฝอยฟิวส์ซิลิกา SiO2 อัลตราไฟน์ ชีวการแพทย์ เซมิคอนดักเตอร์
• ขนาดใหญ่ ID ผนังบางหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อ
• อัลลูมิเนียมอ๊อกไซด์ท่อซาฟฟายร์ประเภทออทคิตร

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

• 5x5 / 10x10 มิลลิเมตรแกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์ HVPE แม่แบบยืนชิปฟรีอุตสาหกรรม
• พื้นผิว GaN แบบยืนฟรี HVPE GaN Wafers อุปกรณ์ผง GaN-On-Sapphire GaN-On-SiC
• 4 นิ้ว การวิจัยเกรด 0.4 มิลลิเมตร ฟรียืน GaN วอฟเฟอร์สําหรับครึ่งตัวนํา
• 2 นิ้ว 4 นิ้วบนพื้นฐาน GaN สีฟ้า สีเขียว LED ที่เติบโตบนพื้นที่เรียบหรือ PPS Sapphire MOCVD DSP SSP

สารกึ่งตัวนำ

• 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO2 วอฟเฟอร์ควอตซ์ วอฟเฟอร์ควอตซ์ SiO2 MEMS อุณหภูมิ
• แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO₂ สารกึ่งตัวนำ ออปติคัล
• LiTaO3 Wafer Lithium Tantalate Electro-Optic การปรับปรุงแบบออปติกไม่เป็นเส้น
• LNOI Wafer 2/3/4/6/8 นิ้ว LiNbO3, อุปกรณ์ฟอทอนิกที่สามารถปรับแต่งได้

หินอัญมณีสังเคราะห์

• Cr YAG เลเซอร์ 2 มิลลิเมตร 15 มิลลิเมตร กว้างหรือจานสี่เหลี่ยม 0.2 มิลลิเมตร 5 มิลลิเมตร
• แอมเบอร์บราวน์ โมซซานิต หินแสนแสนแสนพิเศษ ราคาไม่แพง
• นีโอดีเมียมสีน้ําตาล GGG หินแท้ Nd GGG ยอดนิยม
• 10x10x10mmt เลนส์แสง SiC ใส 4H-SEMI ความแข็ง 9.0 รูปแบบตามต้องการ

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

• เครื่องหมายเลเซอร์ UV 355nm 3W / 5W / 10W พลังงานตามต้องการ ความแม่นยํา ± 0.01mm
• เครื่องเลเซอร์ไมโครเจ็ตสําหรับการแปรรูปวัสดุประกอบเมทริกซ์โลหะ การตัดแผ่นแผ่น
• เครื่องเจาะเลเซอร์กระจก ความยาวคลื่นในการแปรรูปซาฟีร์ 532nm ความละเอียดสูง
• เครื่องทําความสะอาดแผ่นเซรามิก-วัคซิ่ง เครื่องบูรณาการ อัตโนมัติอุตสาหกรรมครึ่งประสาท

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

• กล่องนาฬิกาสีชมพู ซาคุระ สีชมพู
• ห้องทดลอง-เติบโตสีเทา-ม่วง Sapphire นาฬิกา Case ปรับแต่งหรูหราทนทานการกวาด
• คริสตัลแซฟไฟร์เดี่ยวสีแดง, คริสตัลแซฟไฟร์แบบกำหนดเองดูใส
• ใส / สีฟ้า / เขียวกลมสี่เหลี่ยม วงกลม วงกลม นาฬิกา ซาฟิอร์ ทนทาน ทนต่อน้ํา ทนต่อกระแทก

กล่องใส่เวเฟอร์

• กล่องควอตซ์ วอฟเฟอร์ ความบริสุทธิ์สูง และทนต่ออุณหภูมิสูง สามารถปรับแต่งได้
• 4inch 6inch 8inch Polypropylene Multi Wafer Box Silicon Carrier Container Box Dark Color
• 6 นิ้ว / 8 นิ้ว POD / FOSB สายไฟเบอร์ออปติก Splice กล่องส่งกล่องเก็บกล่อง RSP ระยะไกลบริการแพลตฟอร์ม FOUP หน้าเปิด
• กล่องขนของ 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 12 นิ้ว PP Anti Static Foam Spacer Static

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

• 2 นิ้ว GSGG Gd3 (Sc2Ga3) O12 วัสดุพื้นผิวคริสตัล SGGG CaMgZr GGG TGG
• แกโดลิเนียมแกลเลียม 2 นิ้ว GGG, วัสดุคริสตัลพื้นผิว Gd3Ga5O12
• ไม่มีสี SrLaAlO4 MgAl2O4 Wafer Substrate Crystal สำหรับจุดต่อตัวนำยิ่งยวด
• 0.5mm LaAlO3 Crystal Wafers LAO พื้นผิวคริสตัลเดี่ยว

ชิ้นส่วนเซรามิก

• อลูมิเนีย เซรามิค / แอร์เมคานิค / ถ้วยดูด / ส่วนโครงสร้างเซรามิค Al2O3
• ถาดกราไฟท์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ SiC ขนาด 6 นิ้ว แผ่นกราไฟต์ทนต่ออุณหภูมิสูง
• ธาตุซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC ผง ธาตุแผ่นสําหรับ ICP etching MOCVD Susceptor Wear ทนทาน
• ตู้เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้ในการสนับสนุนวัสดุ ผงครึ่งตัวนํา ความทนทานต่อการกัดกรองที่ดี