Si-Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2INCH สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์

ข้อมูลพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด: ประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: zmkj
หมายเลขรุ่น: GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2 นิ้ว
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1pcs
ราคา: 1000~2500usd/pc
รายละเอียดการบรรจุ: กล่องเวเฟอร์เดี่ยวโดยแพ็คเกจสูญญากาศ
เวลาการส่งมอบ: 1-5weeks
เงื่อนไขการชำระเงิน: T / T, Wester N Union
สามารถในการผลิต: 50 ชิ้นต่อเดือน
วัสดุ: GaN ผลึกเดี่ยว ขนาด: 2inch
ความหนา: 0.35mm พิมพ์: N-type/undoped,เจือปน,
ใบสมัคร: เครื่องฉายภาพเลเซอร์, อุปกรณ์จ่ายไฟ การเจริญเติบโต: HVPE

 

 

เทมเพลตพื้นผิว GaN ขนาด 2 นิ้ว, เวเฟอร์ GaN สำหรับ LeD, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับ ld, เทมเพลต GaN, mocvd GaN Wafer, พื้นผิว GaN แบบตั้งอิสระตามขนาดที่กำหนดเอง, เวเฟอร์ GaN ขนาดเล็กสำหรับ LED, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์ mocvd แกลเลียม 10x10 มม., 5x5 มม., 10x5 มม. GaN เวเฟอร์, พื้นผิว GaN ที่ไม่มีขั้วอิสระ (a-plane และ m-plane)

 

GaN Wafer ลักษณะ

  1. III-ไนไตรด์(GaN,AlN,InN)

แกลเลียมไนไตรด์เป็นสารกึ่งตัวนำแบบช่องว่างกว้างชนิดหนึ่งสารตั้งต้นแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) คือ

พื้นผิวผลึกเดี่ยวคุณภาพสูงผลิตขึ้นด้วยวิธี HVPE ดั้งเดิมและเทคโนโลยีการแปรรูปแผ่นเวเฟอร์ ซึ่งเดิมได้รับการพัฒนามานานกว่า 10 ปีในประเทศจีนคุณสมบัติเป็นผลึกสูง มีความสม่ำเสมอที่ดี และคุณภาพพื้นผิวที่เหนือกว่าพื้นผิว GaN ใช้สำหรับการใช้งานหลายประเภท สำหรับ LED สีขาวและ LD (สีม่วง สีฟ้า และสีเขียว) นอกจากนี้ การพัฒนายังมีความก้าวหน้าสำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังและความถี่สูง

 

ความกว้างของแถบต้องห้าม (การเปล่งแสงและการดูดกลืนแสง) ครอบคลุมรังสีอัลตราไวโอเลต แสงที่มองเห็นได้ และอินฟราเรด

 

แอปพลิเคชั่น

GaN สามารถใช้ได้ในหลายพื้นที่ เช่น จอแสดงผล LED, การตรวจจับและการถ่ายภาพพลังงานสูง,
เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ

 

  • อุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูงการตรวจจับและจินตนาการพลังงานสูง
  • เทคโนโลยีไฮโดรเจนโซลาร์พลังงานใหม่ การตรวจจับสิ่งแวดล้อมและยาชีวภาพ
  • แหล่งกำเนิดแสงวงเทอร์เฮิร์ตซ์
  • เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ การจัดเก็บวันที่
  • ไฟส่องสว่างแบบประหยัดพลังงาน จอแสดงผล FL แบบสีเต็มรูปแบบ
  • การฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง

Si-Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2INCH สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์ 0

ข้อกำหนดพื้นผิว GaN ตั้งอิสระขนาด 2 นิ้ว

Si-Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2INCH สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์ 1

วิสัยทัศน์องค์กร Factroy ของเรา
เราจะจัดหาวัสดุพิมพ์และเทคโนโลยีการใช้งาน GaN คุณภาพสูงสำหรับอุตสาหกรรมพร้อมกับโรงงานของเรา
วัสดุ GaN คุณภาพสูงเป็นปัจจัยจำกัดสำหรับการใช้งาน III-ไนไตรด์ เช่น อายุการใช้งานยาวนาน
และ LDs ที่มีความเสถียรสูง อุปกรณ์ไมโครเวฟกำลังสูงและความน่าเชื่อถือสูง ความสว่างสูง
และ LED ประหยัดพลังงานประสิทธิภาพสูง

-คำถามที่พบบ่อย-
ถาม: คุณสามารถจัดหาโลจิสติกส์และต้นทุนอะไรได้บ้าง
(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF และอื่น ๆ
(2) หากคุณมีหมายเลขด่วนของคุณเองจะดีมาก
ถ้าไม่เราสามารถช่วยคุณส่งมอบได้Freight=USD25.0(น้ำหนักตัวแรก) + USD12.0/kg

ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
(1) สำหรับสินค้ามาตรฐาน เช่น แผ่นเวเฟอร์ขนาด 2 นิ้ว 0.33 มม.
สำหรับสินค้าคงคลัง: การจัดส่งคือ 5 วันทำการหลังจากสั่งซื้อ
สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 หรือ 4 สัปดาห์ทำงานหลังจากสั่งซื้อ

ถาม: วิธีการชำระเงิน
100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, การชำระเงินที่ปลอดภัยและการประกันการค้า

ถาม: MOQ คืออะไร?
(1) สำหรับสินค้าคงคลังขั้นต่ำคือ 1 ชิ้น
(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง ขั้นต่ำคือ 5 ชิ้น-10 ชิ้น
ขึ้นอยู่กับปริมาณและเทคนิค

ถาม: คุณมีรายงานการตรวจสอบวัสดุหรือไม่?
เราสามารถจัดหารายงาน ROHS และเข้าถึงรายงานสำหรับผลิตภัณฑ์ของเราได้

 

บรรจุุภัณฑ์

Si-Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2INCH สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์ 2

รายละเอียดการติดต่อ
Manager

หมายเลขโทรศัพท์ : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596