 |
0.4 มม. ฟรีแกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์ HVPE GaN คริสตัลเดี่ยวสำหรับอุปกรณ์
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| หมายเลขรุ่น: | เกรดวิจัย 2 นิ้ว |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 2PCS |
|---|---|
| ราคา: | 1000~2500usd/pc |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เคสเวเฟอร์เดี่ยวโดยแพ็คเกจสูญญากาศ |
| เวลาการส่งมอบ: | 1-5 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T, Western Union |
| สามารถในการผลิต: | 50 ชิ้นต่อเดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | GaN ผลึกเดี่ยว | ขนาด: | 2นิ้ว |
|---|---|---|---|
| ความหนา: | 0.35~0.5mm | พิมพ์: | Si-type/undoped，Fe-doped， |
| แอปพลิเคชัน: | เครื่องฉายภาพเลเซอร์, อุปกรณ์จ่ายไฟ | การเจริญเติบโต: | HVPE |
| พื้นผิว: | ssp หรือ dsp | ปฐมนิเทศ: | 0001 |
| บรรจุุภัณฑ์: | ภาชนะเวเฟอร์เดียว | ||
| แสงสูง: | เวเฟอร์ GaN HVPE 0.4 มม.,คริสตัลเดี่ยว GaN แบบยืนอิสระ,แกลเลียม GaN เดี่ยว Crystal |
||
รายละเอียดสินค้า
เทมเพลตพื้นผิว GaN ขนาด 2 นิ้ว, เวเฟอร์ GaN สำหรับ LeD, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับ ld, เทมเพลต GaN, mocvd GaN Wafer, พื้นผิว GaN แบบตั้งอิสระตามขนาดที่กำหนดเอง, เวเฟอร์ GaN ขนาดเล็กสำหรับ LED, เวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์ mocvd แกลเลียม 10x10 มม., 5x5 มม., 10x5 มม. GaN เวเฟอร์, พื้นผิว GaN ที่ไม่มีขั้วอิสระ (a-plane และ m-plane)
ลักษณะ GaN Wafer
- III-ไนไตรด์(GaN,AlN,InN)
แกลเลียมไนไตรด์เป็นสารกึ่งตัวนำแบบช่องว่างกว้างชนิดหนึ่งสารตั้งต้นของแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) คือ
พื้นผิวผลึกเดี่ยวคุณภาพสูงผลิตขึ้นด้วยวิธี HVPE ดั้งเดิมและเทคโนโลยีการแปรรูปแผ่นเวเฟอร์ ซึ่งเดิมได้รับการพัฒนามานานกว่า 10 ปีในประเทศจีนคุณสมบัติเป็นผลึกสูง มีความสม่ำเสมอที่ดี และคุณภาพพื้นผิวที่เหนือกว่าพื้นผิว GaN ใช้สำหรับการใช้งานหลายประเภท สำหรับ LED สีขาวและ LD (สีม่วง สีฟ้า และสีเขียว) นอกจากนี้ การพัฒนายังมีความก้าวหน้าสำหรับการใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังและความถี่สูง
ความกว้างของแถบห้าม (การเปล่งแสงและการดูดกลืนแสง) ครอบคลุมรังสีอัลตราไวโอเลต แสงที่มองเห็นได้ และอินฟราเรด
แอปพลิเคชั่น
GaN สามารถใช้ได้ในหลายพื้นที่ เช่น จอแสดงผล LED, การตรวจจับและการถ่ายภาพพลังงานสูง,
เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ
- อุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูงการตรวจจับและจินตนาการพลังงานสูง
- เทคโนโลยีไฮโดรเจนโซลาร์พลังงานใหม่ การตรวจจับสิ่งแวดล้อมและยาชีวภาพ
- แหล่งกำเนิดแสงวงเทอร์เฮิร์ตซ์
- เครื่องฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟ ฯลฯ การจัดเก็บวันที่
- ไฟส่องสว่างแบบประหยัดพลังงาน จอแสดงผล FL แบบสีเต็มรูปแบบ
- การฉายภาพด้วยเลเซอร์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง
ข้อกำหนดพื้นผิว GaN ตั้งอิสระขนาด 2 นิ้ว
วิสัยทัศน์องค์กร Factroy ของเรา
เราจะจัดหาวัสดุพิมพ์และเทคโนโลยีการใช้งาน GaN คุณภาพสูงสำหรับอุตสาหกรรมพร้อมกับโรงงานของเรา
วัสดุ GaN คุณภาพสูงเป็นปัจจัยจำกัดสำหรับการใช้งาน III-ไนไตรด์ เช่น อายุการใช้งานยาวนาน
และ LDs ที่มีความเสถียรสูง อุปกรณ์ไมโครเวฟกำลังสูงและความน่าเชื่อถือสูง ความสว่างสูง
และ LED ประหยัดพลังงานประสิทธิภาพสูง
รายละเอียดการจัดส่ง
-คำถามที่พบบ่อย-
ถาม: คุณสามารถจัดหาโลจิสติกส์และต้นทุนอะไรได้บ้าง
(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF และอื่น ๆ
(2) หากคุณมีหมายเลขด่วนของคุณเองจะดีมาก
ถ้าไม่เราสามารถช่วยคุณในการส่งมอบค่าขนส่ง=USD25.0(น้ำหนักตัวแรก) + USD12.0/kg
ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
(1) สำหรับผลิตภัณฑ์มาตรฐานเช่นเวเฟอร์ 2 นิ้ว 0.35 มม.
สำหรับสินค้าคงคลัง: จัดส่ง 5 วันทำการหลังจากสั่งซื้อ
สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 หรือ 4 วันทำการหลังจากสั่งซื้อ
ถาม: วิธีการชำระเงิน
100％T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, การชำระเงินที่ปลอดภัยและการประกันการค้า
ถาม: อะไรคือขั้นต่ำ?
(1) สำหรับสินค้าคงคลังขั้นต่ำคือ 1 ชิ้น
(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง ขั้นต่ำคือ 5 ชิ้น-10 ชิ้น
ขึ้นอยู่กับปริมาณและเทคนิค
ถาม: คุณมีรายงานการตรวจสอบวัสดุหรือไม่?
เราสามารถจัดหารายงาน ROHS และเข้าถึงรายงานสำหรับผลิตภัณฑ์ของเราได้