 |
หนาคลื่นอ๊อกไซด์ความร้อน SiO2 หนาคลื่น 20um ระบบสื่อสารทางออนไลน์ MEMS
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | China |
| ชื่อแบรนด์: | ZMSH |
| หมายเลขรุ่น: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 5 |
|---|---|
| เวลาการส่งมอบ: | 2-4 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที, |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| จุดเดือด: | 2,230 ° C (4,046 ° F) | ยิ้ม: | O=[Si]=O |
|---|---|---|---|
| ความอดทนความหนาของออกไซด์: | +/- 5% (ทั้งสองข้าง) | ดัชนีการหักเหของแสง: | ประมาณ 144 |
| การนำความร้อน: | ประมาณ 1.4 W/(m·K) @ 300K | น้ำหนักโมเลกุล: | 60.09 |
| พื้นที่ใช้งาน: | การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์เกี่ยวกับแสง ฯลฯ | ดัชนีการหักเหของแสง: | 550nm ของ 1.4458 ± 0.0001 |
| แสงสูง: | ระบบสื่อสารทางออนไลน์ ซิลิคอนไดออกไซด์,สารสกัดอ๊อกไซด์ความร้อน SiO2,20um SiO2 วอฟเฟอร์ |
||
รายละเอียดสินค้า
SiO2 โวฟเฟอร์ อ๊อกไซด์ความร้อน Laver ความหนา 20um + 5% MEMS ระบบสื่อสารทางออนไลน์
คําอธิบายสินค้า:
โวฟเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ SIO2 เป็นองค์ประกอบพื้นฐานในการผลิตครึ่งตัวนํา มีความหนาตั้งแต่ 10μm ถึง 25μmสารสับสราตที่สําคัญนี้มีในขนาด 6 นิ้วและ 8 นิ้วโดยหลักๆ มันทําหน้าที่เป็นชั้นกันไฟที่จําเป็น โดยมีบทบาทสําคัญในมิกรอิเล็กทรอนิกส์ ด้วยการให้ความแข็งแรงทางไฟฟ้าอัตราการหดของมัน, ประมาณ 1.4458 ที่ 1550nm, รับประกันผลงานที่ดีที่สุดในการใช้งานต่าง ๆ
โวฟเฟอร์นี้มีชื่อเสียงในเรื่องของความเรียบร้อยและความบริสุทธิ์ เป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับอุปกรณ์ออทคอลิค, วงจรอินทิกรีต และไมโครเอเล็คทรอนิกส์คุณสมบัติของมันช่วยให้กระบวนการผลิตอุปกรณ์ที่แม่นยําและสนับสนุนความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีนอกเหนือจากบทบาทพื้นฐานในการผลิตครึ่งตัวนํา มันขยายความน่าเชื่อถือและความสามารถในการใช้งานไปยังการใช้งานที่หลากหลาย โดยรับประกันความมั่นคงและประสิทธิภาพ
ด้วยคุณสมบัติพิเศษของมัน โวฟเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ SIO2 ยังคงขับเคลื่อนนวัตกรรมในเทคโนโลยีครึ่งตัวนําอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์การส่งเสริมของมันในเทคโนโลยีที่ล้ําหน้า ย้ําความสําคัญของมันในฐานะวัสดุมุมในด้านการผลิตครึ่งตัวนํา
ลักษณะ:
- ชื่อสินค้า: สับสราทครึ่งตัวนํา
- อัตราการหด: 550nm ของ 1.4458 ± 0.0001
- จุดเดือด: 2,230°C
- ด้านการใช้งาน: การผลิตครึ่งตัวนํา, ไมโครเอเลคทรอนิกส์, อุปกรณ์ออปติกส์, ฯลฯ
- ความหนา: 20um,10um-25um
- น้ําหนักโมเลกุล: 60.09
- วัสดุครึ่งนํา: ใช่
- วัสดุพื้นฐาน: ใช่
- การประยุกต์ใช้: การผลิตครึ่งตัวนํา เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก เครื่องอุปกรณ์ออปติกส์ เป็นต้น
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | รายละเอียด |
| ความหนา | 20mm 10mm 25mm |
| ความหนาแน่น | 2533 กิโลกรัม/ม-3 |
| ความอดทนความหนาของออกไซด์ | +/- 5% (ทั้งสองข้าง) |
| ด้านการใช้งาน | การผลิตครึ่งตัวนํา เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก เครื่องออปติกส์ ฯลฯ |
| จุดละลาย | 1,600° C (2,912° F) |
| ความสามารถในการนําความร้อน | ประมาณ 1.4 W/(m·K) @ 300K |
| อัตราการหด | ประมาณ 144 |
| น้ําหนักโมเลกุล | 60.09 |
| คออฟชั่นของการขยาย | 0.5 × 10^-6/°C |
| อัตราการหด | 550nm ของ 1.4458 ± 0.0001 |
| ผงซิลิคอนอ๊อกไซด์หนาเกิน | การใช้งาน |
| การออกซิเดนผิว | โวฟเฟอร์บางมาก |
| ความสามารถในการนําความร้อน | ประมาณ 1.4 W/(m·K) @ 300K |
การใช้งาน:
- ทรานซิสเตอร์หนังบาง:ใช้ในการผลิตเครื่อง TFT
- โซลาร์เซลล์:ใช้เป็นพื้นฐานหรือชั้นกันแสงในเทคโนโลยีไฟฟ้าไฟฟ้า
- MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) ระบบที่ใช้ไฟฟ้าขนาดเล็กสําคัญสําหรับการพัฒนาอุปกรณ์ MEMS
- เครื่องตรวจจับสารเคมี:ใช้สําหรับการตรวจจับสารเคมีที่ nhạy cảm
- อุปกรณ์ทางการแพทย์ชีวภาพใช้ในสาขาชีววิทยาต่างๆ
- พลังงานไฟฟ้าไฟฟ้า:รองรับเทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์เพื่อการแปลงพลังงาน
- การปรับปรุงผิว:เครื่องช่วยในการปกป้องพื้นผิวของครึ่งตัวนํา
- คู่นําคลื่น:ใช้ในการสื่อสารทางออปติก และฟอตอนิกส์
- สายไฟฟ้าออปติก:เป็นส่วนหนึ่งของระบบสื่อสารทางออนไลน์
- เซ็นเซอร์แก๊ส:ใช้ในการตรวจจับและวิเคราะห์ก๊าซ
- โครงสร้างนาโน:ใช้เป็นพื้นฐานสําหรับการพัฒนา nanostructure
- เครื่องปรับความร้อน:ใช้ในอุปกรณ์ไฟฟ้าต่างๆ
- การเรียงลําดับ DNA:สนับสนุนการใช้งานในงานวิจัยพันธุกรรม
- บิโอเซ็นเซอร์:ใช้ในการวิเคราะห์ทางชีววิทยาและเคมี
- ไมโครฟลิวไดซ์:เป็นส่วนสําคัญในการผลิตอุปกรณ์ไมโครฟลิวิด
- ไดโอเดสปล่อยแสง (LED)รองรับเทคโนโลยี LED ในการใช้งานต่าง ๆ
- เครื่องประมวลผลขนาดเล็ก:สําคัญสําหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครโปรเซสเซอร์
การปรับแต่ง:
ชื่อแบรนด์ZMSH
เลขรุ่น:ผงซิลิคอนอ๊อกไซด์หนาเกิน
สถานที่กําเนิด:จีน
สับสราทครึ่งประสาทของเราถูกออกแบบด้วยความสามารถในการนําความร้อนสูง การออกซิเดชั่นบนพื้นผิว และวอลเฟอร์ซิลิคอนอ๊อกไซด์ ultra-หนา4 W/(m·K) @ 300K และจุดละลาย 1ความร้อน 2,230 °C และทิศทาง <100><11><110> น้ําหนักโมเลกุลของสับสราทนี้คือ 6009.
การสนับสนุนและบริการ:
เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์เซมคอนดักเตอร์ สับสราทของเรา ทีมงานผู้เชี่ยวชาญของเราพร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์และคุณสมบัติของมันเรายังสามารถให้ความช่วยเหลือในการแก้ไขปัญหาใด ๆ ที่คุณพบระหว่างการใช้สินค้า. เรายังให้บริการการช่วยเหลือทางไกลสําหรับผู้ที่ต้องการ. ทีมงานสนับสนุนของเราสามารถติดต่อได้ในช่วงเวลาทําการปกติ และเราสามารถติดต่อได้ทางโทรศัพท์, อีเมล, หรือผ่านเว็บไซต์ของเรา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการขนส่งสําหรับเซมคอนดักเตอร์ สับสราท:
- สินค้าที่บรรจุไว้ ควรใช้ความรอบคอบ ใช้เครื่องปกป้อง เช่น ผนังกระโปรงหรือฟองเมื่อเป็นไปได้
- ถ้าเป็นไปได้ ใช้ผ้าปกป้องหลายชั้น
- แพ็คเกจติดป้ายด้วยเนื้อหาและจุดหมาย
- ส่งพัสดุโดยใช้บริการส่งที่เหมาะสม พิจารณาใช้บริการที่มีความสามารถในการติดตาม
FAQ:
- Q: ชื่อแบรนด์ของ Semiconductor Substrate คืออะไร?
- A: ชื่อแบรนด์คือ ZMSH
- คําถาม: เลขรุ่นของ Semiconductor Substrate คืออะไร?
- ตอบ: เลขรุ่นคือ วอฟเฟอร์ซิลิคอนออกไซด์ Ultra-thick
- ถาม: สารสับสราทครึ่งประสาทถูกผลิตที่ไหน?
- ตอบ: ผลิตในจีน
- คําถาม: มีวัตถุประสงค์อะไรของ Substrate Semiconductor?
- A: สับสราทครึ่งตัวนําใช้ในการผลิตวงจรบูรณาการ ระบบไมโครไฟฟ้าและโครงสร้างไมโครอื่น ๆ
- คําถาม: คุณสมบัติของเซมคอนดักเตอร์ สับสราทคืออะไร?
- ตอบ: คุณสมบัติของเซมคอนดักเตอร์สับสราท ได้แก่ คอเปิเซนต์การขยายความร้อนต่ํา, ความสามารถในการนําความร้อนสูง, ความแข็งแรงทางกลสูง และความทนทานอุณหภูมิที่ดีเยี่ยม