 |
2-4 นิ้ว N / P TYPE เซมิคอนดักเตอร์พื้นผิว InAs คริสตัล Monocrystalline เวเฟอร์
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| หมายเลขรุ่น: | Indium arsenide (InAs) |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 3 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | แพ็คเกจเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด 1,000 เกรด |
| เวลาการส่งมอบ: | 2-4weeks |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T ตะวันตกสหภาพ |
| สามารถในการผลิต: | 500PCS |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | อินเดียมอาร์เซไนด์ (InAs) Monocrystalline crystal | วิธีการเจริญเติบโต: | vFG |
|---|---|---|---|
| ขนาด: | 2-4INCH | ความหนา: | 300-800um |
| ใบสมัคร: | วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบแบนด์แก็ป III-V โดยตรง | พื้นผิว: | เอสเอส / DSP |
| บรรจุภัณฑ์: | กล่องเวเฟอร์เดียว | ||
| แสงสูง: | พื้นผิวก๊าซ,พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ |
||
รายละเอียดสินค้า
2-4inch Gallium antimonide GaSb Substrate Single Crystal Monocrystal สำหรับสารกึ่งตัวนำ
InAsSb / In-AsPSb, InNAsSb และวัสดุ heterojunction อื่น ๆ สามารถปลูกได้บนผลึกเดี่ยว InAs เป็นพื้นผิวและสามารถประดิษฐ์อุปกรณ์เปล่งแสงอินฟราเรดที่มีความยาวคลื่น 2 ถึง 14 μmได้วัสดุโครงสร้าง Superlattice ของ AlGaSb ยังสามารถเติบโตได้โดยใช้พื้นผิวผลึกเดี่ยว InAsเลเซอร์ควอนตัมน้ำตกกลางอินฟราเรดอุปกรณ์อินฟราเรดเหล่านี้มีโอกาสในการใช้งานที่ดีในด้านการตรวจสอบก๊าซการสื่อสารด้วยเส้นใยที่มีการสูญเสียต่ำเป็นต้นนอกจากนี้ผลึกเดี่ยวของ InAs ยังมีความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูงและเป็นวัสดุที่เหมาะสำหรับการทำอุปกรณ์ Hall
การใช้งาน:
InAs คริสตัลเดี่ยวสามารถใช้เป็นวัสดุตั้งต้นเพื่อสร้างวัสดุโครงสร้างที่แตกต่างกันเช่น InAsSb / InAsPSb หรือ InAsPSb เพื่อประดิษฐ์อุปกรณ์เปล่งแสงอินฟราเรดที่มีความยาวคลื่น 2-12 μmวัสดุโครงสร้าง Superlattice InAsPSb ยังสามารถเติบโตได้โดยใช้พื้นผิวผลึกเดี่ยว InAs เพื่อสร้างเลเซอร์ควอนตัมน้ำตกระดับกลางอินฟราเรดอุปกรณ์อินฟราเรดเหล่านี้มีแนวโน้มการใช้งานที่ดีในด้านการตรวจจับก๊าซและการสื่อสารด้วยเส้นใยที่มีการสูญเสียต่ำนอกจากนี้ผลึกเดี่ยวของ InAs ยังมีความสามารถในการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูงและเป็นวัสดุที่เหมาะสำหรับการทำอุปกรณ์ Hall
คุณสมบัติ:
1. คริสตัลถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการวาดเส้นตรงปิดผนึกด้วยของเหลว (LEC) ด้วยเทคโนโลยีที่ครบถ้วนและประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่มั่นคง
2 โดยใช้เครื่องมือกำหนดทิศทาง X-ray เพื่อการวางแนวที่แม่นยำค่าเบี่ยงเบนการวางแนวคริสตัลอยู่ที่± 0.5 °เท่านั้น
3 เวเฟอร์ถูกขัดด้วยเทคโนโลยีการขัดเงาทางเคมี (CMP) ความหยาบของพื้นผิว <0.5 นาโนเมตร
4 เพื่อให้บรรลุข้อกำหนด "กล่องเปิดพร้อมใช้งาน"
5 ตามความต้องการของผู้ใช้การประมวลผลผลิตภัณฑ์ข้อกำหนดพิเศษ
| คริสตัล | ยาเสพติด | ชนิด |
ความเข้มข้นของตัวพาไอออน ซม. 3 |
การเคลื่อนไหว (cm2 / Vs) | MPD (ซม. 2) | ขนาด | |
| Inas | ยกเลิกการยาเสพติด | ยังไม่มีข้อความ | 5 * 1016 | ³2 * 104 | <5 * 104 |
Φ2 "× 0.5 มม Φ3 "× 0.5 มม |
|
| Inas | sn | ยังไม่มีข้อความ | (5-20) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 "× 0.5 มม Φ3 "× 0.5 มม |
|
| Inas | สังกะสี | P | (1-20) * 1017 | 100-300 | <5 * 104 |
Φ2 "× 0.5 มม Φ3 "× 0.5 มม |
|
| Inas | S | ยังไม่มีข้อความ | (1-10) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 "× 0.5 มม Φ3 "× 0.5 มม |
|
| ขนาด (มม.) | Dia50.8x0.5mm, 10 × 10 × 0.5mm, 10 × 5 × 0.5mm สามารถปรับแต่งได้ | ||||||
| RA | ความหยาบผิว (Ra): <= 5A | ||||||
| ขัด | ขัดด้านเดียวหรือสองด้าน | ||||||
| บรรจุภัณฑ์ | ถุงพลาสติกทำความสะอาดเกรด 100 ในห้องทำความสะอาด 1,000 ห้อง | ||||||
- คำถามที่พบบ่อย -
ถาม: คุณเป็น บริษัท การค้าหรือผู้ผลิตหรือไม่?
ตอบ: zmkj เป็น บริษัท การค้า แต่มีผู้ผลิตแซฟไฟร์
ในฐานะผู้จัดหาเวเฟอร์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย
ถาม: ระยะเวลาจัดส่งของคุณนานแค่ไหน?
ตอบ: โดยทั่วไปประมาณ 5-10 วันหากสินค้าอยู่ในสต็อกหรือ 15-20 วันถ้าสินค้าไม่
ในสต็อกเป็นไปตามปริมาณ