บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

บ้าน

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD แผนผังเว็บไซต์

บริษัท

เกี่ยวกับเรา

ติดต่อเรา

บล็อก

โซลูชั่น

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

แคลนควอตซ์ เหมาะสําหรับการใช้งานครึ่งประสาท วาคิวัม และห้องปฏิบัติการที่มีอุณหภูมิสูง

TGV สับสราทแก้ว ผ่านแก้ว ผ่านแก้ว sapphire

WS2 on Sapphire Wafer 2D Semiconductor Tungsten Disulfide Film on Sapphire Substrate ผนังวอล์ฟเมนดีซัลไฟด์ 2 มิติบนเซฟไฟร์

310 × 310 มิลลิเมตร Sapphire Heat Dissipation Substrate Ai แก้ว

พื้นผิวกระจกเคลือบแซฟไฟร์ ITO ที่มีการส่งผ่านแสงสูง ความต้านทานแผ่นต่ำและเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม

ไฟไฟ-ฟิวชั่น Sapphire Crystal (Morgan Pink) เครื่องประดับหินแท้ ชุดชุดนาฬิกา

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

BF33 สับสราทแก้วโบโรซิลิกาต สําหรับการใช้งานในระบบครึ่งตัวนํา, MEMS และออปติกส์

ส่วนประกอบของกระจก Optical Sapphire ผลิตตามสั่ง

การป้องกันทางแสงความแข็งแรงสูงสําหรับสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

แผ่นเวเฟอร์กระจก BF33 Borofloat 33 สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ MEMS Optical

ปริซึมผลึกเดี่ยว TiO₂ ขัดเงา 3 ด้าน และการวางแนว <001>/<110> สำหรับการวิจัยทางแสง

กระจกแซฟไฟร์คริสตัลนาฬิกาแบบสั่งทำพิเศษ Bezel Parts C-axis

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

เวเฟอร์จำลองเวเฟอร์ลูกบาศก์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 3C-SiC สำหรับการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์

CVD SiC Components for Semiconductor Equipment SiC Ring SiC Electrode Dry Etch สารประกอบ SiC สําหรับอุปกรณ์ครึ่งประจุ

SiC Dummy Wafer (EPI) กระบวนการ CVD ระบบ SiC epitaxy และ MOCVD

เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบเอพิแท็กเซีย (SiC Epi Wafer) ขนาด 8 นิ้ว

ซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 12 นิ้ว (300 มม.)

แผ่นเวเฟอร์ 4H-SiC ขนาด 12 นิ้ว สำหรับแว่นตา AR

หลอดไพลิน

โซลูชันการส่งสัญญาณแสงใยแก้วนำแสงแซฟไฟร์ ทนความร้อนสูง

รางกุหลาบ (รางกุหลาบคริสตัลเดียว) สําหรับการแพทย์, อุตสาหกรรม, ท้องอากาศ

รางซาฟฟายร์ที่ผลิตด้วยความละเอียด สารประกอบซาฟฟายร์คริสตัลเดียวความบริสุทธิ์สูง

ท่อแซฟไฟร์ EFG เติบโต แซฟไฟร์คริสตัลเดี่ยวประสิทธิภาพสูง ท่อแซฟไฟร์ ป้องกันเทอร์โมคัปเปิล ขัดเงา

หลอดแซฟไฟร์ KY (หลอดแซฟไฟร์ที่ปลูกด้วยวิธี Kyropoulos)

หลอดสีซาฟฟายร์ EFG ความบริสุทธิ์สูง ความแข็งแรงสูงและประสิทธิภาพทางความร้อนสูงกว่า

สารกึ่งตัวนำ

LNOI (Lithium Niobate on Insulator) เครื่องปรับแสง MEMS

เครื่องมือ-เกรด hBN เซ้งลิสต์ ◎ คุณภาพสูง Hexagonal Boron Nitride สําหรับวัสดุ 2 มิติ

ฟิล์มเพชรที่มีความสามารถในการนําไฟฟ้าสูง สําหรับ AI, RF และอุปกรณ์พลังงาน

YAG กระดานคริสตัลว่าง (Y3Al5O12)

TFLN / TFLT วัสดุโฟโตนิกฟิล์มบางบนฉนวน

LNOI (ลิทธิียมไนโอเบตบนไอโซเลเตอร์)

หินอัญมณีสังเคราะห์

คริสตัลแซฟไฟร์ฟิวชั่น (สีเหลืองเลมอน)

สีชมพู Sapphire หินแท้ Sakura สินค้าผสมสีชมพู สําหรับเครื่องประดับ ทําความแข็งแรงของ Mohs ของ 9

สีทองแดงทองแดงทองเหลืองทองเหลืองพรรณไครสตัล Fe / Ti / Cr

สีน้ําเงินสีราชมงคล สีสังเคราะห์ที่ปลูกในห้องปฏิบัติการ สําหรับเครื่องประดับหรู

หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้0

หินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหิน

ชิ้นส่วนเซรามิก

แผ่นหลุมหลายหลุมความแม่นยําสูง

อัลลูมิเนีย สต๊อปเซรามิกสําหรับอุปกรณ์ครึ่งประสาท อุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

โฟมโครงสร้างสมรรถนะสูงสำหรับงานอากาศยานและคอมโพสิต

อะไหล่เซรามิกซิรคอนิโอมิคส่วนประกอบที่กําหนดเอง อะไหล่ซิรคอนิโอมิคอ๊อกไซด์ความละเอียดสูง ผู้ผลิต

อุปกรณ์ประสิทธิภาพปลายหุ่นยนต์เซรามิกคุณภาพสูง ที่ออกแบบมาเพื่อการใช้งานในอุตสาหกรรมอัตโนมัติ

CVD/SSiC Silicon Carbide Tray สําหรับการประมวลผลแผ่นแผ่นครึ่งตัวนํา

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

สถานที่สํารวจ Chuck การตรวจสอบและการทดสอบไฟฟ้า

อุปกรณ์การปลูกถ่ายไอออนเซมิคอนดักเตอร์

8/6/4/2 นิ้ว LPCVD เตาเผาออกซิเดชั่น อัตโนมัติเต็ม การควบคุมออกซิเจนต่ํา

ระบบตัดเพชรด้วยเลเซอร์สีเขียวสําหรับวัสดุที่แข็งแรงมาก CVD, PCD, MCD, CBN

สายการผลิตอัตโนมัติขัดผิวเวเฟอร์ซิลิคอน / ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบเชื่อมต่อสี่ขั้นตอน (สายการจัดการหลังการขัดผิวแบบบูรณาการ)

บริการขัดเงาเพชรแบบครบวงจรและการเจียรละเอียด | โซลูชันการตัดเฉือนที่แม่นยำ

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

แผ่นเคสนาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์ใสขนาด 30-50 มม. สำหรับนาฬิกาข้อมือแก้วแสง

น้ํากันรอย ทนทานราง นาฬิกา Sapphire Case สีชมพู สีน้ําเงิน 0.5 - 200mm ความหนา

กลมสี่เหลี่ยมโอวาลทรงหกเหลี่ยม รางนาฬิกา Sapphire Case กันน้ํา กันขีดข่วน

ใส / สีฟ้า / เขียวกลมสี่เหลี่ยม วงกลม วงกลม นาฬิกา ซาฟิอร์ ทนทาน ทนต่อน้ํา ทนต่อกระแทก

การปรับแต่ง กระเป๋านาฬิกา Sapphire Case กันน้ํา กันขีดข่วน กันแรงกด

ความหนา 3.75 มิลลิเมตร กล่องนาฬิกาคริสตัลซาฟฟายร์ สีฟ้า 9H ความแข็งแรงสูง ทนต่อการบด

กล่องใส่เวเฟอร์

กล่องใส่เวเฟอร์เดี่ยว 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว โพลีคาร์บอเนต 10 ชิ้น / แพ็ค

6 นิ้ว โฟร์เดี่ยวพกพากับคลิปล็อค

1.5-Inch Wafer Cassette Box Precision Storage Solution for Miniature Wafers

1 นิ้ว คาเซ็ท กล่องโวฟเวอร์สําหรับ SIC Sapphire Si โวฟเวอร์

กล่องกระดาษแผ่นที่ปรับได้ กระดาษแผ่นพีซีโปร่งใส สําหรับการป้องกันครึ่งตัวนํา

กล่องกระดาษแผ่นที่ปรับได้ กระดาษแผ่นพีซีโปร่งใส สําหรับการป้องกันครึ่งตัวนํา

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

2 นิ้ว GSGG Gd3 (Sc2Ga3) O12 วัสดุพื้นผิวคริสตัล SGGG CaMgZr GGG TGG

แกโดลิเนียมแกลเลียม 2 นิ้ว GGG, วัสดุคริสตัลพื้นผิว Gd3Ga5O12

ไม่มีสี SrLaAlO4 MgAl2O4 Wafer Substrate Crystal สำหรับจุดต่อตัวนำยิ่งยวด

0.5mm LaAlO3 Crystal Wafers LAO พื้นผิวคริสตัลเดี่ยว

10x10x0.5mmt LaSrAlTaO3 แทนทาลัม LSAT เวเฟอร์พื้นผิวคริสตัลอุตสาหกรรม

เทลเลียมออกไซด์ 10x10 mmt TeO2 ผลึกผลึกเวเฟอร์พื้นผิว TeO2

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

5x5 / 10x10 มิลลิเมตรแกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์ HVPE แม่แบบยืนชิปฟรีอุตสาหกรรม

พื้นผิว GaN แบบยืนฟรี HVPE GaN Wafers อุปกรณ์ผง GaN-On-Sapphire GaN-On-SiC

4 นิ้ว การวิจัยเกรด 0.4 มิลลิเมตร ฟรียืน GaN วอฟเฟอร์สําหรับครึ่งตัวนํา

2 นิ้ว 4 นิ้วบนพื้นฐาน GaN สีฟ้า สีเขียว LED ที่เติบโตบนพื้นที่เรียบหรือ PPS Sapphire MOCVD DSP SSP

8 นิ้ว GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N ประเภท P ประเภทการปรับแต่ง Semiconductor RF LED

GaN แกลเลียมไนไตรด์ วอฟเฟอร์ ความเคลื่อนไหวอิเล็กตรอนสูง อุปกรณ์ RF ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ และ LED

1 2 3 4 5 6 7 8