logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. ผลิตภัณฑ์ Created with Pixso.
สารกึ่งตัวนำ
Created with Pixso.

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate

ชื่อแบรนด์: zmkj
เลขรุ่น: เวเฟอร์ Inp 2 นิ้ว
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: 3pcs
ราคา: by case
รายละเอียดการบรรจุ: แพ็คเกจภาชนะเวเฟอร์เดี่ยวในห้องทำความสะอาดเกรด 100
เงื่อนไขการจ่ายเงิน: T / T, Wester N Union
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
ประเทศจีน
วัสดุ:
InP คริสตัล
วิธีการเจริญเติบโต:
vFG
ขนาด:
2 นิ้ว / 3 นิ้ว / 4 นิ้ว
ความหนา:
350-650um
ใบสมัคร:
อุปกรณ์ LED / LD
พื้นผิว:
เอสเอส / DSP
บรรจุภัณฑ์:
ภาชนะเวเฟอร์เดียว
เจือ:
S / Zn / Fe หรือไม่เจือ
TTV:
<10um
คันธนู:
<10um
สามารถในการผลิต:
500pcs
เน้น:

Dummy Prime Semiconductor Substrate

,

InP Crystal Semiconductor Substrate

,

SSP Semiconductor Substrate

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

เวเฟอร์ InP 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว N / P TYPE InP เซมิคอนดักเตอร์พื้นผิวเวเฟอร์เจือ S + / Zn + / Fe +

 

 

การเจริญเติบโต (วิธี VFG ที่ปรับเปลี่ยน) ใช้เพื่อดึงผลึกเดี่ยวผ่านสารห่อหุ้มของเหลวบอริกออกไซด์โดยเริ่มจากเมล็ด

สารเจือปน (Fe, S, Sn หรือ Zn) จะถูกเพิ่มเข้าไปในเบ้าหลอมพร้อมกับโพลีคริสตัลใช้แรงดันสูงภายในห้องเพื่อป้องกันการสลายตัวของอินเดียมฟอสไฟด์เขาเป็น บริษัท ได้พัฒนากระบวนการเพื่อให้ได้ stoechiometric อย่างเต็มที่มีความบริสุทธิ์สูงและความหนาแน่นของความคลาดเคลื่อนต่ำ inP single crystal

เทคนิค VFG ได้รับการปรับปรุงตามวิธีการ LEC ด้วยเทคโนโลยีแผ่นกั้นความร้อนที่เกี่ยวข้องกับตัวเลข

การสร้างแบบจำลองสภาพการเติบโตทางความร้อนtCZ เป็นเทคโนโลยีสำหรับผู้ใหญ่ที่คุ้มค่าพร้อมความสามารถในการทำซ้ำที่มีคุณภาพสูงตั้งแต่ลูกเปตองถึงลูกเปตอง

 

 

คุณสมบัติ:
1. คริสตัลเติบโตโดยเทคโนโลยีการวาดเส้นตรงปิดผนึกด้วยของเหลว (LEC) ด้วยเทคโนโลยีที่ครบกำหนดและประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่มั่นคง


2 โดยใช้เครื่องมือกำหนดทิศทาง X-ray เพื่อการวางแนวที่แม่นยำค่าเบี่ยงเบนการวางแนวคริสตัลอยู่ที่± 0.5 °เท่านั้น


3 เวเฟอร์ขัดด้วยเทคโนโลยีการขัดเงาทางเคมี (CMP) ความหยาบผิว <0.5 นาโนเมตร


4 เพื่อให้บรรลุข้อกำหนด "กล่องเปิดพร้อมใช้งาน"


5 ตามความต้องการของผู้ใช้การประมวลผลผลิตภัณฑ์ข้อกำหนดพิเศษ

 

 

การใช้งาน:
IIt มีข้อได้เปรียบของความเร็วในการดริฟท์ จำกัด อิเล็กทรอนิกส์สูงทนต่อรังสีได้ดีและการนำความร้อนได้ดีเหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูงความเร็วสูงและวงจรรวม

 

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 0

 

 

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 1

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 23 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 3

2 นิ้ว SCN / S เจือด้วย InP WAFERS

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 4

 

2 นิ้ว SCN / Fe + จุ่ม InP WAFERS

 

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 5

 

3 นิ้ว InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate 6

- คำถามที่พบบ่อย -

ถาม: คุณเป็น บริษัท การค้าหรือผู้ผลิตหรือไม่?

ตอบ: zmkj เป็น บริษัท การค้า แต่มีผู้ผลิตแซฟไฟร์
ในฐานะผู้จัดหาเวเฟอร์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

ถาม: ระยะเวลาจัดส่งของคุณนานแค่ไหน?

ตอบ: โดยทั่วไปประมาณ 5-10 วันหากสินค้าอยู่ในสต็อกหรือ 15-20 วันถ้าสินค้าไม่

ในสต็อกเป็นไปตามปริมาณ

ถาม: คุณให้ตัวอย่างหรือไม่ฟรีหรือพิเศษ?

ตอบ: ได้เราสามารถเสนอตัวอย่างได้ฟรี แต่ไม่ต้องเสียค่าขนส่ง

ถาม: เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร?

A: ชำระเงิน <= 1,000USD ล่วงหน้า 100%การชำระเงิน> = 1,000USD,
50% T / T ล่วงหน้าให้สมดุลก่อนจัดส่ง
หากคุณมีคำถามอื่นโปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเราดังต่อไปนี้:

สินค้าที่เกี่ยวข้อง
รับราคาที่ดีที่สุด