รายละเอียดสินค้า

บ้าน ผลิตภัณฑ์

สารกึ่งตัวนำ

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate

ประเภททั้งหมด

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

ติดต่อเรา

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate

ชื่อแบรนด์:	ZMKJ
เลขรุ่น:	UTI-AlN-10x10 ผลึกเดี่ยว
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1pcs
ราคา:	by case
รายละเอียดการบรรจุ:	ภาชนะเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด
เงื่อนไขการจ่ายเงิน:	T / T, wester N Union, Paypal

ข้อมูลรายละเอียด

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

ประเทศจีน

วัสดุ:

AlN คริสตัล

ความหนา:

400um

ปฐมนิเทศ:

0001

แอปพลิเคชัน:

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง/ความถี่สูง

ใบสมัคร2:

เครื่องเลื่อย 5G/อุปกรณ์ BAW

รา:

0.5nm

ขัดพื้นผิว:

Al face cmp, N-face mp

ประเภทคริสตัล:

สามารถในการผลิต:

10pcs / เดือน

เน้น:

เส้นผ่านศูนย์กลาง 10 มม. aln substrate

5G เห็น Semiconductor Substrate

single crystal aln substrate

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

10x10mm หรือเส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN substrate AlN single crystal wafers

แอปพลิเคชันของเทมเพลต AlN

เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ซิลิคอนมาถึงขีดจำกัดแล้วและไม่สามารถตอบสนองความต้องการของอนาคตได้

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์.เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่ 3/4 ทั่วไป อะลูมิเนียมไนไตรด์ (AlN) มี

คุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เหนือกว่า เช่น ช่องว่างกว้าง การนำความร้อนสูง การสลายตัวสูง

ความคล่องตัวทางอิเล็กทรอนิกส์สูงและทนต่อการกัดกร่อน/รังสี และเป็นสารตั้งต้นที่สมบูรณ์แบบสำหรับอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

อุปกรณ์ความถี่วิทยุ (RF) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง/ความถี่สูง ฯลฯ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง สารตั้งต้น AlN คือ

ผู้สมัครที่ดีที่สุดสำหรับ UV-LED, เครื่องตรวจจับ UV, เลเซอร์ UV, อุปกรณ์ RF กำลังสูง/ความถี่สูง 5G และ 5G SAW/BAW

อุปกรณ์ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการปกป้องสิ่งแวดล้อม, อิเล็กทรอนิกส์, การสื่อสารไร้สาย, การพิมพ์,

ชีววิทยา การดูแลสุขภาพ การทหาร และสาขาอื่นๆ เช่น การทำให้บริสุทธิ์/การฆ่าเชื้อด้วยแสงยูวี การบ่มด้วยแสงยูวี การเร่งปฏิกิริยาด้วยแสง

การตรวจจับ Terfeit, การจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูง, การส่องไฟทางการแพทย์, การค้นพบยา, การสื่อสารแบบไร้สายและปลอดภัย,

การตรวจจับการบินและอวกาศ / ห้วงอวกาศและสาขาอื่น ๆ

เราได้พัฒนาอนุกรมของกระบวนการและเทคโนโลยีที่เป็นกรรมสิทธิ์เพื่อประดิษฐ์

เทมเพลต AlN คุณภาพสูงปัจจุบัน OEM ของเราเป็นบริษัทเดียวในโลกที่สามารถผลิต AlN . ขนาด 2-6 นิ้ว

แม่แบบในความสามารถในการผลิตภาคอุตสาหกรรมขนาดใหญ่ที่มีกำลังการผลิต 300,000 ชิ้นในปี 2020 เพื่อตอบสนองการระเบิด

ความต้องการของตลาดจาก UVC-LED, การสื่อสารไร้สาย 5G, เครื่องตรวจจับ UV และเซ็นเซอร์ ฯลฯ

ขณะนี้เราให้บริการลูกค้าด้วยไนโตรเจนคุณภาพสูงขนาด 10x10 มม. / Φ10มม. / Φ15มม. / Φ20มม. / Φ25.4มม. / Φ30มม. / Φ50.8มม.
ผลิตภัณฑ์พื้นผิวผลึกเดี่ยวอะลูมิเนียม และยังสามารถให้ลูกค้า 10-20 มม.ไม่มีขั้ว
พื้นผิวผลึกเดี่ยวอะลูมิเนียมไนไตรด์ M-plane หรือปรับแต่งขนาด 5mm-50.8mm ที่ไม่ได้มาตรฐานให้กับลูกค้า
พื้นผิวผลึกเดี่ยวอะลูมิเนียมไนไตรด์ขัดเงาผลิตภัณฑ์นี้ใช้กันอย่างแพร่หลายในฐานะวัสดุพื้นผิวระดับไฮเอนด์
ใช้ในชิป UVC-LED, เครื่องตรวจจับ UV, เลเซอร์ UV และพลังงานสูงต่างๆ
/ อุณหภูมิสูง / ฟิลด์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

ข้อกำหนดลักษณะ

แบบอย่างUTI-AlN-10x10B-ผลึกเดี่ยว
เส้นผ่านศูนย์กลาง 10x10±0.5mm；
ความหนาของพื้นผิว (µm) 400± 50
ปฐมนิเทศแกน C [0001] +/- 0.5°

เกรดคุณภาพ เกรด S(ซุปเปอร์) เกรด P(การผลิต) เกรด R(วิจัย)

รอยแตกไม่มี ไม่มี <3mm
FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
ความหยาบผิว [5×5µm] (นาโนเมตร)อัลใบหน้า CMP <0.5nm;N-face (พื้นผิวด้านหลัง) MP <1.2um;
พื้นที่ใช้สอย 90%
การดูดซับ <50 ； <70 ； <100；
การวางแนวความยาวครั้งแรก {10-10} ±5°；
TTV (µm)≤30
โบว์ (µm)≤30
วิปริต (µm)-30~30
หมายเหตุ: ผลการจำแนกลักษณะเหล่านี้อาจแตกต่างกันเล็กน้อยขึ้นอยู่กับอุปกรณ์และ/หรือซอฟต์แวร์ที่ใช้

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate 1

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate 2

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate 3

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate 4

ธาตุเจือปน CO Si B นา WPS Ti Fe

PPMW27 90 5.4 0.92 0.23 <0.1 <0.1 <0.5 0.46 <0.5

โครงสร้างคริสตัล	Wurtzite
ค่าคงที่ขัดแตะ (Å)	a=3.112, c=4.982
ประเภทแถบนำไฟฟ้า	bandgap โดยตรง
ความหนาแน่น (g/cm3)	3.23
ความแข็งระดับไมโครของพื้นผิว (การทดสอบคนุป)	800
จุดหลอมเหลว (℃)	2750 (10-100 บาร์ใน N2)
ค่าการนำความร้อน (W/m·K)	320
พลังงานช่องว่างวง (eV)	6.28
การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน (V·s/cm2)	1100
สนามสลายไฟฟ้า (MV/ซม.)	11.7

แท็ก:

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

รายละเอียดสินค้า

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

5G Saw เส้นผ่านศูนย์กลาง 10mm Single Crystal AlN Semiconductor Substrate

เส้นผ่านศูนย์กลาง 10 มม. aln substrate

5G เห็น Semiconductor Substrate

single crystal aln substrate