|
| ชื่อแบรนด์: | ZMSH |
| เลขรุ่น: | โวฟเฟอร์ควอตซ์ |
| ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 25 |
| ราคา: | 20USD |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องแบบกำหนดเอง |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T |
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์มีบทบาทสำคัญในการพัฒนาอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ เซมิคอนดักเตอร์ และออปติก พบได้ในสมาร์ทโฟนที่นำทาง GPS ของคุณ ฝังอยู่ในสถานีฐานความถี่สูงที่ขับเคลื่อนเครือข่าย 5G และรวมเข้ากับเครื่องมือที่ผลิตไมโครชิปรุ่นต่อไป แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์มีความจำเป็นอย่างยิ่ง สับสเตรตที่มีความบริสุทธิ์สูงเหล่านี้ช่วยให้เกิดนวัตกรรมในทุกสิ่งตั้งแต่ควอนตัมคอมพิวติ้งไปจนถึงโฟโตนิกส์ขั้นสูง แม้ว่าจะได้มาจากแร่ธาตุที่อุดมสมบูรณ์ที่สุดชนิดหนึ่งของโลก แต่แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมให้ได้มาตรฐานความแม่นยำและประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์เป็นแผ่นกลมบาง ๆ ที่สร้างจากคริสตัลควอตซ์สังเคราะห์บริสุทธิ์พิเศษ มีจำหน่ายในเส้นผ่านศูนย์กลางมาตรฐานตั้งแต่ 2 ถึง 12 นิ้ว แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์โดยทั่วไปมีความหนาตั้งแต่ 0.5 มม. ถึง 6 มม. ซึ่งแตกต่างจากควอตซ์ธรรมชาติที่ก่อตัวเป็นผลึกปริซึมที่ไม่สม่ำเสมอ ควอตซ์สังเคราะห์ถูกปลูกภายใต้สภาวะในห้องปฏิบัติการที่ควบคุมอย่างเข้มงวด ทำให้เกิดโครงสร้างผลึกที่สม่ำเสมอ
ความเป็นผลึกโดยธรรมชาติของแผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ให้ความทนทานต่อสารเคมี ความโปร่งใสทางแสง และความเสถียรภายใต้อุณหภูมิสูงและความเครียดทางกลที่ไม่เหมือนใคร คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์เป็นส่วนประกอบพื้นฐานสำหรับอุปกรณ์ที่มีความแม่นยำที่ใช้ในการส่งข้อมูล การตรวจจับ การคำนวณ และเทคโนโลยีที่ใช้เลเซอร์
| ชนิดควอตซ์ | 4 | 6 | 8 | 12 |
|---|---|---|---|---|
| ขนาด | ||||
| เส้นผ่านศูนย์กลาง (นิ้ว) | 4 | 6 | 8 | 12 |
| ความหนา (มม.) | 0.05–2 | 0.25–5 | 0.3–5 | 0.4–5 |
| ความคลาดเคลื่อนของเส้นผ่านศูนย์กลาง (นิ้ว) | ±0.1 | ±0.1 | ±0.1 | ±0.1 |
| ความคลาดเคลื่อนของความหนา (มม.) | ปรับแต่งได้ | ปรับแต่งได้ | ปรับแต่งได้ | ปรับแต่งได้ |
| คุณสมบัติทางแสง | ||||
| ดัชนีการหักเหของแสง @365 nm | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 |
| ดัชนีการหักเหของแสง @546.1 nm | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 |
| ดัชนีการหักเหของแสง @1014 nm | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 |
| การส่งผ่านภายใน (1250–1650 nm) | >99.9% | >99.9% | >99.9% | >99.9% |
| การส่งผ่านทั้งหมด (1250–1650 nm) | >92% | >92% | >92% | >92% |
| คุณภาพการตัดเฉือน | ||||
| TTV (การเปลี่ยนแปลงความหนารวม, µm) | <3 | <3 | <3 | <3 |
| ความเรียบ (µm) | ≤15 | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
| ความขรุขระของพื้นผิว (nm) | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 |
| การโก่งตัว (µm) | <5 | <5 | <5 | <5 |
| คุณสมบัติทางกายภาพ | ||||
| ความหนาแน่น (g/cm³) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 2.20 |
| มอดูลัสของยัง (GPa) | 74.20 | 74.20 | 74.20 | 74.20 |
| ความแข็งของโมห์ | 6–7 | 6–7 | 6–7 | 6–7 |
| มอดูลัสเฉือน (GPa) | 31.22 | 31.22 | 31.22 | 31.22 |
| อัตราส่วนปัวซอง | 0.17 | 0.17 | 0.17 | 0.17 |
| ความแข็งแรงอัด (GPa) | 1.13 | 1.13 | 1.13 | 1.13 |
| ความแข็งแรงดึง (MPa) | 49 | 49 | 49 | 49 |
| ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก (1 MHz) | 3.75 | 3.75 | 3.75 | 3.75 |
| คุณสมบัติทางความร้อน | ||||
| จุดความเครียด (10¹⁴.⁵ Pa·s) | 1000°C | 1000°C | 1000°C | 1000°C |
| จุดอบอ่อน (10¹³ Pa·s) | 1160°C | 1160°C | 1160°C | 1160°C |
| จุดอ่อนตัว (10⁷.⁶ Pa·s) | 1620°C | 1620°C | 1620°C | 1620°C |
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมตามความต้องการเพื่อตอบสนองการใช้งานที่ต้องการในอุตสาหกรรมต่างๆ ได้แก่:
มีเส้นทางการผลิตหลักสองเส้นทางสำหรับแผ่นเวเฟอร์ควอตซ์:
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์หลอมรวมทำโดยการหลอมเม็ดควอตซ์ธรรมชาติให้เป็นแก้วอสัณฐาน จากนั้นจึงหั่นและขัดบล็อกแข็งให้เป็นแผ่นเวเฟอร์บาง ๆ แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์เหล่านี้มี:
เหมาะสำหรับอุปกรณ์การพิมพ์หิน, เตาเผาอุณหภูมิสูง และหน้าต่างออปติคัล แต่ไม่เหมาะสำหรับการใช้งานเพียโซอิเล็กทริกเนื่องจากการขาดระเบียบของผลึก
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์เพาะเลี้ยงถูกปลูกสังเคราะห์เพื่อผลิตผลึกที่ปราศจากข้อบกพร่องพร้อมการวางแนวแลตทิซที่แม่นยำ แผ่นเวเฟอร์เหล่านี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมสำหรับการใช้งานที่ต้องการ:
กระบวนการผลิตเกี่ยวข้องกับการเจริญเติบโตแบบมีเมล็ดในหม้อนึ่งความดัน ตามด้วยการหั่น การวางแนว การอบอ่อน และการขัดเงา
ซัพพลายเออร์ระดับโลกที่เชี่ยวชาญด้านแผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ที่มีความแม่นยำสูง ได้แก่:
Heraeus(เยอรมนี) – ควอตซ์หลอมรวมและสังเคราะห์
Shin-Etsu Quartz(ญี่ปุ่น) – โซลูชันแผ่นเวเฟอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูง
WaferPro(สหรัฐอเมริกา) – แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์และสับสเตรตที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางกว้าง
Korth Kristalle(เยอรมนี) – แผ่นเวเฟอร์คริสตัลสังเคราะห์
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่องในฐานะส่วนประกอบสำคัญในภูมิทัศน์เทคโนโลยีที่เกิดขึ้นใหม่:
การย่อขนาด– แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์กำลังถูกผลิตขึ้นด้วยความคลาดเคลื่อนที่แคบลงสำหรับการรวมอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัด
อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูงขึ้น– การออกแบบแผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ใหม่กำลังผลักดันเข้าสู่โดเมน mmWave และ THz สำหรับ 6G และเรดาร์
การตรวจจับรุ่นต่อไป– ตั้งแต่ยานยนต์อัตโนมัติไปจนถึง IoT อุตสาหกรรม เซ็นเซอร์ที่ใช้ควอตซ์กำลังมีความสำคัญมากขึ้น
แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์เป็นแผ่นกลมบาง ๆ ที่ทำจากซิลิคอนไดออกไซด์ผลึก (SiO₂) โดยทั่วไปผลิตในขนาดเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐาน (เช่น 2", 3", 4", 6", 8" หรือ 12") เป็นที่รู้จักกันดีในเรื่องความบริสุทธิ์สูง ความเสถียรทางความร้อน และความโปร่งใสทางแสง แผ่นเวเฟอร์ควอตซ์ใช้เป็นสับสเตรตหรือตัวนำในแอปพลิเคชันที่มีความแม่นยำสูงต่างๆ เช่น การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ อุปกรณ์ MEMS ระบบออปติคัล และกระบวนการสุญญากาศ
ควอตซ์เป็นของแข็งผลึกของซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO₂) ในขณะที่ซิลิกาเจลเป็นรูปแบบอสัณฐานและมีรูพรุนของ SiO₂ ซึ่งใช้กันทั่วไปเป็นสารดูดความชื้นเพื่อดูดซับความชื้น
คริสตัลควอตซ์ถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออปติกเนื่องจากคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริก (พวกมันสร้างประจุไฟฟ้าภายใต้ความเครียดทางกล) การใช้งานทั่วไป ได้แก่:
ควอตซ์ถูกนำมาใช้ในการใช้งานที่เกี่ยวข้องกับไมโครชิปเนื่องจากมี:
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
หลอดแซฟไฟร์โปร่งใส Al2O3 99.995% พร้อมความทนทานสูง
Through Glass Vias (TGV) สำหรับ JGS1 JGS2 Sapphire Corning Glass สำหรับการผลิตและบรรจุภัณฑ์เซ็นเซอร์
