ภาพรวมผลิตภัณฑ์

แหวนเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นส่วนประกอบที่ผลิตขึ้นอย่างแม่นยำจากเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง ด้วยคุณสมบัติที่โดดเด่น ได้แก่ ทนความร้อนสูง ทนการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม มีความแข็งแรงเชิงกลสูง และทนทานต่อการสึกหรอได้ดีเยี่ยม แหวนเซรามิก SiC จึงถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ระบบสุญญากาศ เตาอุณหภูมิสูง และการใช้งานทางอุตสาหกรรมที่ต้องการความแม่นยำ

ผ่านกระบวนการขึ้นรูป การเผาผนึก และการตัดเฉือนที่แม่นยำขั้นสูง ส่วนประกอบเหล่านี้สามารถบรรลุความคลาดเคลื่อนของมิติที่แม่นยำ รูปทรงที่ซับซ้อน และพื้นผิวที่ยอดเยี่ยม เพื่อตอบสนองความต้องการทางอุตสาหกรรมที่เข้มงวด

คุณสมบัติหลัก

1. ประสิทธิภาพอุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยม

• ทนทานต่อสภาพแวดล้อมอุณหภูมิสูงถึง1600°C+ขึ้นอยู่กับเกรดวัสดุและสภาวะการใช้งาน
• รักษาความแข็งแรงเชิงกลและความเสถียรของมิติที่อุณหภูมิสูง
• เหมาะสำหรับการแปรรูปด้วยความร้อน การปลูกผลึก การแพร่ และการใช้งานในเตาอุณหภูมิสูง

2. ความบริสุทธิ์สูงและการปนเปื้อนต่ำ

• ผลิตจากวัสดุซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูง
• สร้างอนุภาคต่ำและการปนเปื้อนของโลหะน้อยที่สุด
• เหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมห้องคลีนรูมเซมิคอนดักเตอร์และการใช้งานในการแปรรูปเวเฟอร์

3. ความต้านทานการกัดกร่อนที่โดดเด่น

• ทนทานต่อกรด ด่าง และสภาพแวดล้อมพลาสมาได้ดีเยี่ยม
• ประสิทธิภาพที่เสถียรต่อก๊าซกระบวนการที่รุนแรง เช่นCl₂, HCl และ NF₃
• เหมาะสำหรับอุปกรณ์การกัดเซาะเซมิคอนดักเตอร์, CVD และ PVD

4. ความแข็งแรงเชิงกลและความทนทานต่อการสึกหรอสูง

• ความแข็งของโมห์ประมาณ9
• ทนทานต่อการเสียดสีได้ดีเยี่ยมเพื่ออายุการใช้งานที่ยาวนาน
• เหมาะสำหรับโครงสร้างรองรับที่แม่นยำและส่วนประกอบเชิงกล

5. ความสามารถในการตัดเฉือนที่แม่นยำ

กระบวนการตัดเฉือนที่มีอยู่ ได้แก่:

• การตัดเฉือนเส้นผ่านศูนย์กลางภายนอกและเส้นผ่านศูนย์กลางภายใน
• การเจียระไนและการขัดเงาที่แม่นยำ
• การควบคุมความคลาดเคลื่อนของมิติและรูปทรงที่แม่นยำ
• โครงสร้างที่ซับซ้อนตามสั่ง

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์

การใช้งาน

อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์

• แหวนรองรับเวเฟอร์
• ส่วนประกอบห้องเซมิคอนดักเตอร์
• ชิ้นส่วนอุปกรณ์ CVD / PECVD
• ส่วนประกอบเตาปลูกผลึก
• ส่วนประกอบ RTP (Rapid Thermal Processing)
• ระบบจัดการและรองรับเวเฟอร์

อุตสาหกรรมเซลล์แสงอาทิตย์

• ส่วนประกอบเตาอุณหภูมิสูง
• อุปกรณ์จับยึดสำหรับการแปรรูปด้วยความร้อน
• ชิ้นส่วนรองรับเวเฟอร์ซิลิคอน

ระบบสุญญากาศและอุณหภูมิสูง

• ส่วนประกอบเตาสุญญากาศ
• ตัวรองรับระบบทำความร้อน
• โครงสร้างฉนวนกันความร้อน

การใช้งานทางอุตสาหกรรมที่แม่นยำ

• แหวนซีลทนการสึกหรอ
• ส่วนประกอบปั๊ม
• ส่วนประกอบการวางตำแหน่งและการรองรับ

คำถามที่พบบ่อย – แหวนเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (แหวนเซรามิก SiC)

คำถามที่ 1: แหวนเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์คืออะไร?

ตอบ: แหวนเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นส่วนประกอบเซรามิกที่ผลิตขึ้นอย่างแม่นยำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง มีคุณสมบัติทนความร้อนสูง ทนการกัดกร่อน มีความแข็งแรงเชิงกล และทนทานต่อการสึกหรอได้ดีเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบสุญญากาศ และการใช้งานที่อุณหภูมิสูง

คำถามที่ 2: ข้อดีหลักของแหวนเซรามิก SiC คืออะไร?

ตอบ: แหวนเซรามิก SiC มีข้อดีหลายประการ:

• ความเสถียรที่อุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยม (สูงสุด 1600°C+ ขึ้นอยู่กับเกรดวัสดุ)
• ทนทานต่อพลาสมาและการกัดกร่อนทางเคมีได้ดีเยี่ยม
• ความแข็งและความทนทานต่อการสึกหรอสูง
• การขยายตัวทางความร้อนต่ำและความเสถียรของมิติที่ยอดเยี่ยม
• การสร้างอนุภาคต่ำสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์

คำถามที่ 3: อุตสาหกรรมใดบ้างที่ใช้แหวนเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์?

ตอบ: แหวนเซรามิก SiC ถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายใน:

• อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์
• ระบบ CVD, PECVD และ PVD
• อุปกรณ์แปรรูปและจัดการเวเฟอร์
• ระบบการปลูกผลึก
• เตาสุญญากาศ
• อุปกรณ์อุตสาหกรรมอุณหภูมิสูง
• อุปกรณ์การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์