 
|
10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | ZMKJ |
| หมายเลขรุ่น: | 10x10x0.5mmt |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 5PCS |
|---|---|
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | แพ็คเกจแผ่นเวเฟอร์เดี่ยวในห้องทำความสะอาดเกรด 100 |
| เวลาการส่งมอบ: | 2-3 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 1-50 ชิ้น / เดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | SiC ผลึกเดี่ยว 4H-N ประเภท | ระดับ: | หุ่นจำลอง /การผลิต / เกรดวิจัย |
|---|---|---|---|
| Thickkss: | 0.5mm | Suraface: | ขัดเงา |
| แอปพลิเคชัน: | การทดสอบแบริ่ง | เส้นผ่านศูนย์กลาง: | 10x10x0.5mmt |
| สี: | ชาเขียว | ||
| แสงสูง: | ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์ 10x10x0.5mm,SiC Chips ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์,SiC Wafer Window Piece |
||
รายละเอียดสินค้า
ขนาดที่กำหนดเอง/10x10x0.5mmt/2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว/6 นิ้ว 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC แท่ง/ความบริสุทธิ์สูง 4H-N 4 นิ้ว 6 นิ้ว dia 150 มม. ซิลิกอนคาร์ไบด์คริสตัลเดี่ยว (sic) พื้นผิวเวเฟอร์S/ Customzied as-cut sic wafers SiC หน้าต่าง/เลนส์/แว่นตา
เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)Crystal
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) หรือที่เรียกว่าคาร์บอรันดัม เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีซิลิกอนและคาร์บอนที่มีสูตรทางเคมี SiCSiC ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ที่ทำงานที่อุณหภูมิสูงหรือไฟฟ้าแรงสูง หรือทั้งสองอย่าง SiC เป็นหนึ่งในส่วนประกอบ LED ที่สำคัญ เป็นสารตั้งต้นที่ได้รับความนิยมสำหรับอุปกรณ์ GaN ที่กำลังเติบโต และยังทำหน้าที่เป็นตัวกระจายความร้อนใน ไฟ LED
| คุณสมบัติ | 4H-SiC, ผลึกเดี่ยว | 6H-SiC, ผลึกเดี่ยว |
| พารามิเตอร์ตาข่าย | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| ลำดับการซ้อน | ABCB | ABCACB |
| ความแข็ง Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| ความหนาแน่น | 3.21 ก./ซม.3 | 3.21 ก./ซม.3 |
| เทอร์ม.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว | 4-5×10-6/พัน | 4-5×10-6/พัน |
| ดัชนีหักเหที่ 750nm |
ไม่ = 2.61 |
ไม่ = 2.60 |
| ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | ค~9.66 | ค~9.66 |
| ค่าการนำความร้อน (ชนิด N, 0.02 โอห์ม.ซม.) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| การนำความร้อน (กึ่งฉนวน) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| Band-gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| สนามไฟฟ้าพังทลาย | 3-5×106V/ซม. | 3-5×106V/ซม. |
| ความเร็วของความอิ่มตัวของความอิ่มตัว | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
ข้อมูลจำเพาะพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีความบริสุทธิ์สูงขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 4 นิ้ว
|
ประเภท 4H-N / เวเฟอร์ SiC ความบริสุทธิ์สูง/แท่ง
2 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง
3 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์ 4 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง 6 นิ้ว 4H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง |
เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4 นิ้ว 4 นิ้ว 2 นิ้ว
เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวนขนาด 3 นิ้ว 4H เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน 4 นิ้ว 4 นิ้ว เวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวนขนาด 6 นิ้ว 4H |
|
6H N-Type SiC เวเฟอร์
2 นิ้ว 6H N-Type SiC เวเฟอร์/แท่ง |
ขนาดที่กำหนดเองสำหรับ 2-6 นิ้ว
|
เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ
ZMKJ สามารถจัดหาแผ่นเวเฟอร์ SiC ผลึกเดี่ยวคุณภาพสูง (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ให้กับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์เวเฟอร์ SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไป โดยมีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์และมีคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เมื่อเทียบกับซิลิคอนเวเฟอร์และเวเฟอร์ GaAs เวเฟอร์ SiC นั้นเหมาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูงและกำลังสูงSiC wafer มีจำหน่ายในขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2-6 นิ้ว มีทั้ง SiC 4H และ 6H SiC ชนิด N ไนโตรเจนเจือ และชนิดกึ่งฉนวนโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม
สินค้าสัมพันธ์ของเรา
เลนส์เวเฟอร์ไพลิน / LiTaO3 Crystal / SiC เวเฟอร์ / LaAlO3 / SrTiO3 / เวเฟอร์ / Ruby Ball