ผลึกเดี่ยว InP อินเดียมฟอสไฟด์เวเฟอร์ 350 - 650um ความหนา
รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: | จีน |
ชื่อแบรนด์: | zmkj |
หมายเลขรุ่น: | อินพี |
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 3 ชิ้น |
---|---|
ราคา: | by case |
รายละเอียดการบรรจุ: | แพ็คเกจเวเฟอร์เดี่ยวในห้องทำความสะอาด 1,000 เกรด |
เวลาการส่งมอบ: | 2-4 สัปดาห์ |
เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, เวสเทิร์นยูเนี่ยน |
สามารถในการผลิต: | 500 ชิ้น |
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
วัสดุ: | อินพี | วิธีการเติบโต: | วีเอฟจี |
---|---|---|---|
ขนาด: | 2 ~ 4 นิ้ว | ความหนา: | 350-650um |
แอปพลิเคชัน: | วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ bandgap โดยตรง III-V | พื้นผิว: | เอสเอสพี/ดีเอสพี |
บรรจุุภัณฑ์: | กล่องเวเฟอร์เดียว | ||
แสงสูง: | เวเฟอร์อินเดียมฟอสไฟด์คริสตัลเดี่ยว,เวเฟอร์อินเดียมฟอสไฟด์ 650um,เวเฟอร์พื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ InP |
รายละเอียดสินค้า
เวเฟอร์ InP 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว ประเภท N/P InP เซมิคอนดักเตอร์ ซับสเตรตเวเฟอร์ เจือ S+/ Zn+ /Fe + เวเฟอร์ Epitaxial อิงอินเดียมฟอสไฟด์ ผลึกเดี่ยวอินเดียมฟอสไฟด์เวเฟอร์ InP เวเฟอร์ 2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว 350-650 um InP คริสตัลเวเฟอร์ Dummy Prime เซมิคอนดักเตอร์ พื้นผิว
ขนาด (มม.)
|
สามารถปรับแต่ง Dia50.8x0.5mm, 10 × 10 × 0.5mm, 10 × 5 × 0.5mm
|
รา
|
ความหยาบผิว(Ra):<=5A
|
ขัด
|
ขัดด้านเดียวหรือสองด้าน
|
บรรจุุภัณฑ์
|
100 ขัดด้านเดียวหรือสองด้าน
|
มันมีข้อได้เปรียบของความเร็วดริฟท์จำกัดอิเล็กทรอนิกส์สูง ต้านทานการแผ่รังสีที่ดี และการนำความร้อนที่ดีเหมาะสำหรับ
การผลิตอุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูง ความเร็วสูง กำลังสูง และวงจรรวม
คุณสมบัติของเวเฟอร์ Inp
ผลงาน.
2. การใช้เครื่องมือกำหนดทิศทางด้วยรังสีเอกซ์เพื่อการวางแนวที่แม่นยำ ความเบี่ยงเบนของการวางแนวคริสตัลจะอยู่ที่ ±0.5° เท่านั้น
3. เวเฟอร์ถูกขัดด้วยเทคโนโลยีการขัดด้วยสารเคมีเชิงกล (CMP) โดยมีความหยาบผิว <0.5 นาโนเมตร
4. เพื่อให้บรรลุข้อกำหนด "เปิดกล่องพร้อมใช้งาน"
5. ตามความต้องการของผู้ใช้, การประมวลผลผลิตภัณฑ์ข้อกำหนดพิเศษ
เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์ (มม.)
|
50.8±0.3
|
76.2±0.3
|
100±0.3
|
ความหนา (หนอ)
|
350±25
|
625±25
|
625±25
|
ทีทีวี-พี/พี(หนอ)
|
≤10
|
≤10
|
≤10
|
TTv-P/E(หนอ)
|
≤10
|
≤15
|
≤15
|
วาร์ป(อืม)
|
≤15
|
≤15
|
≤15
|
ของ (มม.)
|
17±1
|
22±1
|
32.5±1
|
OF/IF(มิลลิเมตร)
|
7 ± 1
|
12±1
|
18±11
|
คำอธิบาย | แอปพลิเคชัน | ช่วงความยาวคลื่น |
InP ตาม Epi-wafer | เอฟพี เลเซอร์ | ~ 1310nm;~1550nm;~1900nm |
ดีเอฟบี เลเซอร์ | 1270nm~1630nm | |
เครื่องตรวจจับภาพถ่ายหิมะถล่ม | 1250nm~1600nm | |
เครื่องตรวจจับภาพถ่าย | 1250nm~1600nm/>2.0um (ชั้นดูดซับ InGaAs);<1.4μm (ชั้นดูดซับ InGaAsP) |
ชื่อผลิตภัณฑ์ |
แผ่นพื้นผิวโพลีคริสตัลไลน์อินเดียมฟอสไฟด์ความบริสุทธิ์สูง |
เหล็กเจืออินเดียมฟอสไฟด์คริสตัล |
N-type และ P-type อินเดียมฟอสไฟด์คริสตัล |
แท่งผลึกเดี่ยวอินเดียมฟอสไฟด์ 4 นิ้ว |
เวเฟอร์ Epitaxial ที่ใช้อินเดียมฟอสไฟด์ |
สารกึ่งตัวนำคริสตัลอินเดียมฟอสไฟด์ |
สารตั้งต้นผลึกเดี่ยวของอินเดียมฟอสไฟด์ |
สารตั้งต้นผลึกเดี่ยวของอินเดียมแอนติโมไนด์ |
สารตั้งต้นผลึกเดี่ยวของอินเดียมสารหนู |
---คำถามที่พบบ่อย –
ถาม: คุณเป็นบริษัทการค้าหรือผู้ผลิตหรือไม่
ตอบ: zmkj เป็นบริษัทการค้าแต่มีผู้ผลิตแซฟไฟร์
ในฐานะซัพพลายเออร์เวเฟอร์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย
ถาม: เวลาในการจัดส่งของคุณนานแค่ไหน?
ตอบ: โดยทั่วไปจะใช้เวลา 5-10 วันหากสินค้ามีในสต็อกหรือ 15-20 วันหากสินค้าไม่ได้
ในสต็อกเป็นไปตามปริมาณ