 
|
ความหนาขนาดใหญ่ SiO2 อะซไซด์ความร้อนบนซิลิคอนวอฟเฟอร์สําหรับระบบสื่อสารทางออนไลน์
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | ZMSH |
| ได้รับการรับรอง: | ROHS |
| หมายเลขรุ่น: | ซี เวเฟอร์ |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | by quantites |
| รายละเอียดการบรรจุ: | ภาชนะเวเฟอร์เดียว |
| เวลาการส่งมอบ: | 2-4 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | เวสเทิร์น ยูเนี่ยน, ที/ที |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | ซิลิคอนเวเฟอร์และ SiO2 | แอปพลิเคชัน: | สตาร์คัปเปอร์, สปลิตเตอร์ |
|---|---|---|---|
| SiO2 หนา: | 25um +/-6um | บรรจุุภัณฑ์: | ภาชนะเวเฟอร์เดียว |
| แสงสูง: | SiO2 อะไหล่ซิลิคอนอ๊อกไซด์ความร้อน,ระบบสื่อสารทางออนไลน์ SiO2 Wafer,ซิลิคอนครึ่งตัวบนวอฟเฟอร์ซะฟฟาย |
||
รายละเอียดสินค้า
Sapphi หนาขนาดใหญ่ อ๊อกไซด์ความร้อน (SiO2) บนซิลิคอนวอลเฟอร์สําหรับระบบสื่อสารทางออปติก
โดยทั่วไปความหนาชั้นออกไซด์ของแผ่นซิลิคอนมักจะเน้นอยู่ใต้ 3umและประเทศและภูมิภาคที่สามารถผลิตได้อย่างมั่นคง ผนังซิลิคอนชั้นหนาของคุณภาพสูง (มากกว่า 3um) ยังคงถูกนําโดยสหรัฐอเมริกาประเทศญี่ปุ่น เกาหลีใต้ และไต้หวัน ประเทศจีนขั้นต่ําความหนาของฟิล์มและคุณภาพการสร้างฟิล์มของฟิล์มออกไซด์ (SiO) ภายใต้กระบวนการการเติบโตชั้นออกไซด์ปัจจุบัน, และผลิตสูงสุดของ 25um ((+ 5%) ultra-หนา oxide layer silicon wafer ด้วยคุณภาพสูงและประสิทธิภาพสูงในเวลาที่ค่อนข้างสั้น.อัตราการหดของ 1550nm 1.4458+00001. สนับสนุนการท้องถิ่นของ 5G และการสื่อสารทางออปติก
สาเหตุของวัน หนึ่ง การ สื่อสาร ทาง สายแสง จะ ลง มา แทน การ สื่อสาร ผ่าน สาย และ ผ่าน ไมโครเวฟ และ จะ กลาย เป็น การ สื่อสาร หลัก
- อุปกรณ์สื่อสารทางออปติก เป็นพื้นฐานในการสร้างระบบและเครือข่ายสื่อสารทางออปติก
- อุปกรณ์ออปติกส์เปียกเป็นส่วนสําคัญของอุปกรณ์สื่อสารไฟเบอร์ออปติกส์ และยังเป็นส่วนประกอบที่จําเป็นของการใช้งานไฟเบอร์ออปติกส์อื่น ๆ
- อุปกรณ์ออนไลน์ออนไลน์ออนไลน์ออนไลน์ออนไลน์ออนไลน์ออนไลน์
- ในนั้นมี Splitter, Star coupler, Optical switch, Wavelength Division Multiplexer (WDM), Array WaveGuide Grating (AWG) เป็นต้นทั้งหมดเป็นอุปกรณ์ออทคติก ปาซิฟิค ที่ใช้เทคโนโลยีการนําคลื่นออทคติกแบบเรียบ.
- สําหรับสายวงจรแสง, ซิลิก้า (Sio) ที่มีคุณสมบัติทางแสงที่ดี, คุณสมบัติทางไฟฟ้าและความมั่นคงทางความร้อนถือว่าเป็นแนวทางทางเทคนิคที่เชิงปฏิบัติและสัญญาดีที่สุดสําหรับการบูรณาการทางออปติก passive.
การนําอ๊อกไซด์ความร้อน (SiO2) มาใช้ในซิลิคอนวอฟเฟอร์
- ในสภาพการพัฒนาอย่างรวดเร็วของ 5G และการสื่อสารทางออนไลน์ และความต้องการที่เพิ่มขึ้นของผู้คนในการถ่ายทอดและแลกเปลี่ยนข้อมูลการไล่ล่าความเร็วสูงและความช้าต่ํา ไม่สิ้นสุด
- ในฐานะตัวนําเส้นทางทางแสงที่ดีมาก ซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) ก็ได้นํามาซึ่งความต้องการที่สูงและต้องการมากขึ้นสําหรับความหนาและความบริสุทธิ์ของมันและซิลิคอนชั้นออกไซด์เป็นวัสดุที่จําเป็นที่จะสนับสนุนอุปกรณ์ออฟติกสื่อสารออฟติก.
- ประเทศและภูมิภาคที่สามารถผลิตชั้นออกไซด์หนา (มากกว่า 3um) ด้วยคุณภาพและความมั่นคงสูงยังคงเป็นสหรัฐอเมริกา, ญี่ปุ่น, เกาหลีใต้และไต้หวัน, จีน
วิธีการผลิต
ผงซิลิคอนสร้างชั้นซิลิกาผ่านท่อเตา ในตัวของสารออกซิเดนที่อุณหภูมิสูงกระบวนการที่รู้จักกันในชื่อการออกซิเดนทางความร้อนระยะอุณหภูมิควบคุมได้จาก 900 ถึง 1, 250 °C; อัตราส่วนของก๊าซออกซิเดน H2:O2 ระหว่าง 151 และ 31ตามขนาดของซิลิคอนวอลเฟอร์ จะมีการสูญเสียการไหลที่แตกต่างกันโดยไม่มีความหนาของการออกซิเดชั่น√ ผงซิลิคอนสับสราทเป็นซิลิคอนโมโนคริสตัลลิน 6 "หรือ 8" ด้วยความหนาชั้นออกไซด์ 0.1μm ถึง 25μm
ระเบียบมาตรฐาน
|
รายการ |
รายละเอียด |
| ความหนาชั้น | 20um士5% |
| ความเหมือนกัน (ภายในแผ่น) | 土0.5% |
| ความเหมือนกัน (ระหว่างโวฟเฟอร์) | 土0.5% |
| อัตราการหด (@1550nm) | 1.4458+00001 |
| อนุภาค | ≤50เฉลี่ยที่วัด <10 |
รายละเอียดของสินค้า