|
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| เลขรุ่น: | นิ้ว 2-4 นิ้ว |
| ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 3 ชิ้น |
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องเวเฟอร์เดียว |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | เวสเทิร์นยูเนี่ยน T / T ,, MoneyGram |
2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว S/Fe/Zn เจือ InP Indium Phosphide Single Crystal Wafer
อินเดียมฟอสไฟด์ (InP) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบผสมที่สำคัญซึ่งมีข้อดีของความเร็วการดริฟท์อิเล็กทรอนิคส์สูง ความต้านทานการแผ่รังสีที่ดีและการนำความร้อนที่ดีเหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูง ความเร็วสูง พลังงานสูง และวงจรรวมมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการส่องสว่างแบบโซลิดสเตต, การสื่อสารด้วยไมโครเวฟ, การสื่อสารด้วยไฟเบอร์ออปติก, เซลล์แสงอาทิตย์, การนำทาง/การนำทาง, ดาวเทียม และสาขาอื่นๆ ในการใช้งานพลเรือนและทางการทหาร
zmkj สามารถเสนอเวเฟอร์ InP –อินเดียมฟอสไฟด์ซึ่งปลูกโดย LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) หรือ VGF (Vertical Gradient Freeze) เป็นเกรด epi-ready หรือทางกลที่มีประเภท n ชนิด p หรือกึ่งฉนวนในทิศทางที่แตกต่างกัน (111) หรือ (100)
อินเดียมฟอสไฟด์ (InP) เป็นสารกึ่งตัวนำแบบไบนารีที่ประกอบด้วยอินเดียมและฟอสฟอรัสมีโครงสร้างผลึกลูกบาศก์ ("ซิงค์เบลนด์") ที่ใบหน้า เหมือนกับของ GaAs และเซมิคอนดักเตอร์ III-V ส่วนใหญ่ อินเดียมฟอสไฟด์สามารถเตรียมได้จากปฏิกิริยาของฟอสฟอรัสขาวและอินเดียมไอโอไดด์ [ต้องการความกระจ่าง] ที่ 400 °C.,[5] โดยการรวมกันโดยตรงของธาตุบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิและความดันสูง หรือโดยการสลายตัวทางความร้อนของส่วนผสมของสารประกอบไทรอยด์คิลอินเดียมและฟอสไฟด์InP ถูกใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูงและความถี่สูง[ต้องการอ้างอิง] เนื่องจากความเร็วของอิเล็กตรอนที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับสารกึ่งตัวนำซิลิคอนและแกลเลียมอาร์เซไนด์ทั่วไป
| การประมวลผล InP Wafer | |
|
|
| แท่งโลหะแต่ละอันถูกตัดเป็นแผ่นเวเฟอร์ซึ่งถูกขัด ขัดเงา และเตรียมพื้นผิวสำหรับอีพิแทกซีกระบวนการโดยรวมมีรายละเอียดในที่นี้ | |
|
|
| ข้อกำหนดและการระบุแบบแบน | การวางแนวถูกระบุบนเวเฟอร์โดยแฟลตสองอัน (แบนยาวสำหรับการปฐมนิเทศ แฟลตขนาดเล็กสำหรับการระบุ)ปกติจะใช้มาตรฐาน EJ (ยุโรป-ญี่ปุ่น)โครงร่างแบบแบนอื่น (สหรัฐฯ) ส่วนใหญ่จะใช้สำหรับเวเฟอร์ Ø 4" |
|
|
| ทิศทางของลูกเปตอง | มีการเสนอเวเฟอร์ที่แน่นอน (100) หรือผิดเพี้ยน |
|
|
| ความแม่นยำของการวางแนวของ OF | เพื่อตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมออปโตอิเล็กทรอนิกส์เรานำเสนอเวเฟอร์ที่มีความแม่นยำที่ยอดเยี่ยมของการวางแนว OF : < 0.02 องศาคุณลักษณะนี้เป็นประโยชน์สำคัญสำหรับลูกค้าที่ทำเลเซอร์แบบเปล่งขอบและสำหรับผู้ผลิตที่แยกตัวออกจากแม่พิมพ์ ช่วยให้นักออกแบบสามารถลด "อสังหาริมทรัพย์" ที่สูญเปล่าตามท้องถนนได้ |
|
|
| โปรไฟล์ขอบ | มีสองข้อกำหนดทั่วไป: การประมวลผลขอบเคมีหรือการประมวลผลขอบทางกล (ด้วยเครื่องเจียรขอบ) |
|
|
| ขัด | แผ่นเวเฟอร์ถูกขัดเงาด้วยกระบวนการทางเคมีและทางกล ส่งผลให้พื้นผิวเรียบและปราศจากความเสียหายเรามีทั้งแผ่นเวเฟอร์ขัดสองด้านและขัดด้านเดียว |
|
|
| การเตรียมพื้นผิวขั้นสุดท้ายและบรรจุภัณฑ์ | แผ่นเวเฟอร์ต้องผ่านขั้นตอนทางเคมีหลายขั้นตอนเพื่อขจัดออกไซด์ที่เกิดขึ้นระหว่างการขัดเงา และสร้างพื้นผิวที่สะอาดด้วยชั้นออกไซด์ที่เสถียรและสม่ำเสมอ ซึ่งพร้อมสำหรับพื้นผิวที่มีการขยายตัวของ epitaxial และลดองค์ประกอบติดตามให้อยู่ในระดับที่ต่ำมากหลังจากการตรวจสอบขั้นสุดท้าย แผ่นเวเฟอร์จะถูกบรรจุในลักษณะที่รักษาความสะอาดของพื้นผิว คำแนะนำเฉพาะสำหรับการกำจัดออกไซด์มีให้สำหรับเทคโนโลยี epitaxial ทุกประเภท (MOCVD, MBE) |
|
|
| ฐานข้อมูล | ในฐานะที่เป็นส่วนหนึ่งของโปรแกรมควบคุมกระบวนการทางสถิติ/การจัดการคุณภาพโดยรวม ฐานข้อมูลที่กว้างขวางจะบันทึกคุณสมบัติทางไฟฟ้าและทางกลของแท่งโลหะทุกแท่ง ตลอดจนคุณภาพผลึกและการวิเคราะห์พื้นผิวของเวเฟอร์ในแต่ละขั้นตอนของการผลิต ผลิตภัณฑ์จะได้รับการตรวจสอบก่อนส่งต่อไปยังขั้นตอนถัดไป เพื่อรักษาความสม่ำเสมอในคุณภาพระดับสูงตั้งแต่แผ่นเวเฟอร์ไปจนถึงแผ่นเวเฟอร์ และจากลูกบอลไปจนถึงลูกบอล |
s'pecification สำหรับ 2-4 นิ้ว
สินค้าอื่นๆ ที่เกี่ยวข้อง เวเฟอร์
ไพลินเวเฟอร์ sic เวเฟอร์ GaAs เวเฟอร์
