 |
4 นิ้ว การวิจัยเกรด 0.4 มิลลิเมตร ฟรียืน GaN วอฟเฟอร์สําหรับครึ่งตัวนํา
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | ประเทศจีน |
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| หมายเลขรุ่น: | เกรดวิจัย 2 นิ้ว |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 2pcs |
|---|---|
| ราคา: | 1000~2500usd/pc |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องเวเฟอร์เดี่ยวโดยแพ็คเกจสูญญากาศ |
| เวลาการส่งมอบ: | 1-5weeks |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, Wester N Union |
| สามารถในการผลิต: | 50 ชิ้นต่อเดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| วัสดุ: | คริสตัลเดียวของ GaN | ขนาด: | 2 นิ้ว |
|---|---|---|---|
| ความหนา: | 0.35~0.5มม | ประเภท: | Si-type/un-doped, Fe-doped |
| การใช้งาน: | จอแสดงผลการฉายภาพด้วยเลเซอร์, อุปกรณ์ไฟฟ้า | การเจริญเติบโต: | เอชวีพีอี |
| พื้นที่: | ssp หรือ dsp | การเรียนรู้: | 0001 |
| แพ็คเกจ: | ภาชนะเวเฟอร์เดียว | ||
| เน้น: | เวเฟอร์แกนตั้งอิสระ เวเฟอร์แกน 0.4 มม. สารกึ่งตัวนำบนเวเฟอร์ซิลิกอน,0.4mm gan wafer,semiconductors gan on silicon wafer |
||
รายละเอียดสินค้า
โครงสร้าง GaN substrate 2 นิ้ว โครงสร้าง GaN wafer สําหรับ LeD โครงสร้าง Gallium Nitride semiconductor สําหรับ ld โครงสร้าง GaN โครงสร้าง mocvd GaN wafer โครงสร้าง GaN substrate โดยขนาดที่กําหนดเองโวฟเวอร์ GaN ขนาดเล็กสําหรับ LED, mocvd กัลเลียมไนไตรด 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN วอฟเฟอร์, สับสราต GaN ที่ยืนอิสระที่ไม่เป็นขั้ว ((a-plane และ m-plane)
คุณลักษณะของ GaN Wafer
- III-ไนตริด ((GaN,AlN,InN)
กัลเลียมไนทริด (GaN) เป็นชนิดหนึ่งของสารประกอบครึ่งประสาทที่มีช่องว่างกว้าง สับสราตของกัลเลียมไนทริด (GaN) คือ
สารสับสราตแบบกระจกเดียวที่มีคุณภาพสูง ผลิตด้วยวิธีการ HVPE และเทคโนโลยีการแปรรูปแผ่นกระจกเดิม ซึ่งถูกพัฒนาในประเทศจีนมานานกว่า 10 ปีลักษณะของกระจกเป็นระดับสูงสารสับสราต GaN ใช้ในหลายประเภทการใช้งาน สําหรับ LED ขาวและ LD ((สีม่วง, สีฟ้าและสีเขียว)การพัฒนาได้ก้าวหน้าสําหรับพลังงานและความถี่สูงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์.
ความกว้างแดนที่ห้าม (การปล่อยแสงและการดูดซึม) ครอบคลุมแสงสว่าง Ultraviolet, แสงที่มองเห็นได้และแสงอินฟราเรด
การใช้งาน
GaN สามารถใช้ได้ในหลายสาขา เช่น จอ LED การตรวจจับพลังงานสูง และการถ่ายภาพ
เครื่องแสดงแสงเลเซอร์ เครื่องใช้พลังงาน เป็นต้น
- อุปกรณ์ไมโครเวฟความถี่สูง อุปกรณ์พลังงานสูง การตรวจจับและจินตนาการ
- พลังงานใหม่ เทคโนโลยีฮายโดรเจน สิ่งแวดล้อม การตรวจสอบและการแพทย์ชีววิทยา
- ระยะเทราเฮร์ตซ์ของแหล่งแสง
- จอฉายเลเซอร์ อุปกรณ์พลังงาน เป็นต้น
- ไฟประหยัดพลังงาน
- การ โปรเจคชั่น เลเซอร์ อุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์ ที่ มี ประสิทธิภาพสูง
2 นิ้ว สับสราต GaN ที่ยืนอิสระ รายละเอียด
วิสัยทัศน์ธุรกิจ Factroy ของเรา
เราจะให้ GaN สับสราตและเทคโนโลยีการใช้งานที่มีคุณภาพสูง สําหรับอุตสาหกรรมกับโรงงานของเรา
วัสดุ GaN ที่มีคุณภาพสูงเป็นปัจจัยจํากัดสําหรับการใช้ III-nitrides เช่นอายุการใช้งานยาว
และความมั่นคงสูง LDs พลังงานสูงและความน่าเชื่อถือสูง อุปกรณ์ไมโครเวฟ ความสว่างสูง
และ LED ประหยัดพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูง
รายละเอียดการส่ง
-FAQ
Q: คุณสามารถให้บริการด้าน logistics และค่าใช้จ่ายอย่างไร?
(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF และอื่น ๆ
(2) ถ้าคุณมีเบอร์ด่วนของคุณเอง มันดีมาก
ถ้าไม่ เราช่วยคุณในการจัดส่ง ค่าส่ง = USD25.0 ((น้ําหนักแรก) + USD12.0 / kg
Q: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
(1) สําหรับผลิตภัณฑ์มาตรฐาน เช่น วอฟเฟอร์ 2 นิ้ว 0.35 มิลลิเมตร
สําหรับคลังสินค้า: การจัดส่ง 5 วันทําการหลังจากสั่งซื้อ
สําหรับผลิตภัณฑ์ที่กําหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 หรือ 4 สัปดาห์ทํางานหลังจากสั่งซื้อ
Q: วิธีการชําระเงิน?
100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram การชําระเงินที่ปลอดภัยและการรับประกันการค้า
Q: MOQ คืออะไร?
(1) สําหรับคลังสินค้า MOQ คือ 1pcs
(2) สําหรับผลิตภัณฑ์ที่กําหนดเอง MOQ คือ 5pcs-10pcs
มันขึ้นอยู่กับปริมาณและเทคนิค
Q: คุณมีรายงานการตรวจสอบสําหรับวัสดุหรือไม่
เราสามารถจัดส่งรายงาน RoHS และรายงานถึงสําหรับผลิตภัณฑ์ของเรา