4H/6H ซีลิคอนคาร์ไบด์เซลมี่อิโซเลต สําหรับการผลิต / การวิจัย / เกรดดัมมี่
รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: | China |
ชื่อแบรนด์: | ZMSH |
หมายเลขรุ่น: | Silicon Carbide |
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 5 |
---|---|
เวลาการส่งมอบ: | 2 weeks |
เงื่อนไขการชำระเงิน: | 100%T/T |
สามารถในการผลิต: | 100000 |
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
เสร็จสิ้นพื้นผิว: | ขัดด้านเดียว / สองด้าน | ทีทีวี: | ≤2um |
---|---|---|---|
อนุภาค: | อนุภาคอิสระ/ต่ำ | ความขรุขระของพื้นผิว: | ≤1.2นาโนเมตร |
ความเรียบ: | แลมบ์ดา/10 | ปฐมนิเทศ: | บนแกน/นอกแกน |
วัสดุ: | ซิลิกอนคาร์ไบด์ | ประเภท: | 4H-N/ 6H-N/ 4H-กึ่งดูถูก/ 6H-กึ่งดูถูก |
แสงสูง: | ซิกวอฟเฟอร์ประเภทปลอม,6H ซีลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ครึ่งกันหนาว,วอฟเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์เกรดการผลิต |
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายสินค้า:
ในฐานะผู้ผลิตและจําหน่ายโวฟเวอร์สับสราต SiC (ซิลิคอนคาร์บائد), ZMSH ให้ราคาที่ดีที่สุดในตลาดสําหรับ2 นิ้วและ 3 นิ้ว การวิจัยเกรด Silicon Carbide ผงพื้นฐาน.
วอฟเฟอร์ซับสราต SiC ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานสูงและความถี่สูงเช่นไดโอ้ดปล่อยแสง (LED)และคนอื่นๆ
LED เป็นประเภทขององค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้การผสมผสานของอิเล็กตรอนและรูครึ่งประสาท เป็นแหล่งแสงที่ประหยัดพลังงานและเย็นที่มีข้อดีหลายอย่าง เช่นอายุการใช้งานยาว ขนาดเล็ก โครงสร้างง่าย และควบคุมง่าย
ลักษณะ:
ซิลิคอนคาร์ไบด (SiC) สัญลักษณ์คริสตัลเดียวมีคุณสมบัติการนําความร้อนที่ดีเยี่ยม ความเคลื่อนไหวอิเล็กตรอนความอิ่มสูง และความต้านทานความดันสูงมันเหมาะสําหรับการเตรียมความถี่สูง, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานสูง อุปกรณ์อุปกรณ์อุณหภูมิสูง และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทนต่อรังสี
SiC เซ็นคริสตัลเดียวมีคุณสมบัติที่ดีหลายอย่างรวมถึงความสามารถในการนําความร้อนสูง,ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนที่อิ่มสูง,ความเสียแรงต่อต้านความกระตุ้นเป็นต้น เหมาะสําหรับการเตรียมความถี่สูง,พลังงานสูง,อุณหภูมิสูงและกันรังสีอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ปริมาตรเทคนิค:
วิธีการปลูกของสับสราตซิลิคอนคาร์ไบด,ผงซิลิคอนคาร์ไบด์,SiC โวฟเฟอร์และSiC SubstrateคือMOCVDโครงสร้างคริสตัลสามารถเป็น6Hหรือ4 ชั่วโมง. ปารามิเตอร์เกตติกที่ตรงกับ6Hคือ (a=3.073 Å, c=15.117 Å) และสําหรับ4 ชั่วโมงคือ (a=3.076 Å, c=10.053 Å)6Hคือ ABCACB ส่วน4 ชั่วโมงคือ อัลบีซีบี คะแนนที่มีอยู่คือเกรดการผลิต,เกรดวิจัยหรือเกรดปลอม, ประเภทการนําไฟสามารถเป็นประเภท Nหรืออุปกรณ์ประกอบด้วย. ช่องแบนด์ของผลิตภัณฑ์คือ 3.23 eV, มีความแข็งแรง 9.2 (mohs), ความสามารถในการนําความร้อนที่ 300K ของ 3.2 ถึง 4.9 W / cm.K. นอกจากนี้ค่าคงที่ dielectric คือ e33. ความต้านทานของ4H-SiC-Nอยู่ในช่วง 0,015 ถึง 0,028 Ω·cm6H-SiC-Nคือ 0.02 ถึง 0.1 Ω·cm และ4H/6H-SiC-SIกว่า 1E7 Ω·cm. ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุในประเภท 100ถุงสะอาดในประเภท 1000ห้องสะอาด
การใช้งาน:
ซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ (SiC wafer) เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์, อุปกรณ์ optoelectronic, และอุตสาหกรรมสับสราต SiC ประเภท 4H-Nและซีซีซับสราตครึ่งกันหนาว.
สับสราท SiC แบบ 4H-N มีสับสราทแบบ n ที่แข็งแกร่งสูงสุดที่มีค่าต่อต้านที่สามารถคาดการณ์และซ้ําได้.สับสราท SiC นี้เหมาะสําหรับการใช้งานที่ท้าทายที่มีการทํางานความถี่สูงที่มีพลังงานทางอุณหภูมิและไฟฟ้าสูง
สารสับสราท SiC แบบครึ่งกันได้ มีระดับตัวรับค่าฐานที่ต่ํามากสับสราต SiC ประเภทนี้เหมาะสําหรับการใช้เป็นสับสราต Epitaxial และสําหรับการใช้งาน เช่น อุปกรณ์สลับพลังงานสูง, เซ็นเซอร์อุณหภูมิสูงและความมั่นคงทางความร้อนสูง
การสนับสนุนและบริการ:
เราภูมิใจที่จะให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ สําหรับสินค้า Silicon Carbide Wafer ของเราทีมงานผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์และมีความรู้ของเราพร้อมที่จะช่วยคุณกับคําถามหรือข้อสงสัยที่คุณอาจมีเราให้บริการหลายอย่าง รวมถึง:
- คําแนะนําและการสนับสนุนทางเทคนิคเพื่อช่วยให้คุณได้รับผลประโยชน์สูงสุดจากสินค้าของคุณ
- คู่มือในการเลือกวอฟเฟอร์ที่ดีที่สุดสําหรับความต้องการเฉพาะของคุณ
- การช่วยเหลือในการติดตั้งและการตั้งค่าของโอฟเฟอร์ของคุณ
- ช่วยในการแก้ไขปัญหาใด ๆ ที่คุณอาจมี
- การบํารุงรักษาและปรับปรุงต่อเนื่อง เพื่อให้กระเป๋าสะพายของคุณทํางานได้อย่างถูกต้อง
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการส่งของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ถูกส่งในบรรจุที่ปลอดภัยเพื่อให้แน่ใจว่ามันยังคงไม่เสียหาย. การบรรจุถูกออกแบบเพื่อรักษาความสมบูรณ์แบบของวอฟเฟอร์ระหว่างการขนส่ง. มันรวมถึง:- การใส่ฟองผงที่มีกระเป๋าซึมเพื่อปกป้องแต่ละโวฟเฟอร์- ถุงกันสแตตติกสําหรับเครื่องใส่ฟอง - ถุงกันความชื้น (ปิดด้วย Vakuum) - กล่องภายนอกเพื่อปกป้องบรรจุจากแรงภายนอกการบรรจุภัณฑ์ยังมีป้ายระบุข้อมูลของสินค้าการจัดส่งถูกทําผ่านบริการส่งสารที่น่าเชื่อถือด้วยข้อมูลการติดตามที่ให้FAQ:
- ถาม: ซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: ซิลิคอน คาร์บิด วอฟเฟอร์ เป็นวัสดุครึ่งประสาทที่ทําจากซิลิคอนและคาร์บอน. มันถูกใช้สําหรับการใช้งานด้านอิเล็กทรอนิกส์และออฟโตอิเล็กทรอนิกส์ที่กว้างขวาง.
- คําถาม: ชื่อแบรนด์ของซิลิคอน คาร์ไบด์ วอเฟอร์คืออะไร?
- A: ชื่อแบรนด์ของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือ ZMSH
- คําถาม: เลขรุ่นของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: ตัวอย่างของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือซิลิคอนคาร์ไบด์
- คําถาม: สถานที่กําเนิดของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: สถานที่กําเนิดของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือจีน
- คําถาม: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ําของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- A: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ําของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือ 5
- คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: ระยะเวลาการจัดส่งของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ คือ 2 สัปดาห์
- คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: เงื่อนไขการชําระเงินของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือ 100% T / T
- คําถาม: ความสามารถในการจําหน่ายของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คืออะไร?
- ตอบ: ความสามารถในการจําหน่ายของซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์คือ 100,000