logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

ชื่อแบรนด์: ZMSH
เลขรุ่น: โวฟเฟอร์ SiC 4 นิ้ว
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10ชิ้น
รายละเอียดการบรรจุ: แพ็คเกจทั่วไป
เงื่อนไขการจ่ายเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
ได้รับการรับรอง:
RoHS
พิมพ์:
4 ชม
ระดับ:
หุ่นจำลอง/วิจัย/ผลิต
ความหนา:
350ไมโครเมตร±25ไมโครเมตร
งอ:
≤40 ไมโครเมตร
ความหยาบ:
Ra≤1 นาโนเมตร
เส้นผ่านศูนย์กลาง:
4 นิ้ว, 99.5 มม.~ 100.0 มม
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust