บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

แนะนําวีดีโอเหล่านี้ให้คุณ

รีเพลย์

วิดีโอต่อไป

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2022-09-21

24 ความเห็น

คุยตอนนี้

แบ่งปัน

#พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ #เวเฟอร์ sic #ซิลิคอนบนเวเฟอร์แซฟไฟร์

เจือ 4h-Semi ความบริสุทธิ์สูงขนาดที่กำหนดเองแท่งคริสตัลเซรามิก Sic เส้นผ่านศูนย์กลางเลนส์ 2 มม. ความยาว 10 มมความแม่นยำสูง 1 มม. 2 มม. 3 มม. 4 มม. 5 มม. 6 มม. 24 มม. เป็นต้น ลูกบอลเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบ... ดูเพิ่มเติม

ข้อความจากผู้เข้าชม ปล่อยข้อความไว้

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

คุยตอนนี้

เรียนรู้เพิ่มเติม

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ไม้ยางกุหลาบ (Single Crystal Ruby Rod)

ไม้ยางกุหลาบ (Single Crystal Ruby Rod)

หลอดไพลิน

เลนส์ซิลิคอน (Si) ที่มีประสิทธิภาพสูง พร้อมเคลือบกันการสะท้อนแสง IR สําหรับการใช้งาน MWIR

เลนส์ซิลิคอน (Si) ที่มีประสิทธิภาพสูง พร้อมเคลือบกันการสะท้อนแสง IR สําหรับการใช้งาน MWIR

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

Custom Sapphire Through-Hole Plate (Shaped Multi-Hole Sapphire Window)

Custom Sapphire Through-Hole Plate (Shaped Multi-Hole Sapphire Window)

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ระบบตัดเพชรด้วยเลเซอร์สีเขียวสําหรับวัสดุที่แข็งแรงมาก CVD, PCD, MCD, CBN

ระบบตัดเพชรด้วยเลเซอร์สีเขียวสําหรับวัสดุที่แข็งแรงมาก CVD, PCD, MCD, CBN

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนเคลือบโลหะ Ti/Cu (ไทเทเนียม/ทองแดง)

แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนเคลือบโลหะ Ti/Cu (ไทเทเนียม/ทองแดง)

สารกึ่งตัวนำ

หลอดแซฟไฟร์ KY (หลอดแซฟไฟร์ที่ปลูกด้วยวิธี Kyropoulos)

หลอดแซฟไฟร์ KY (หลอดแซฟไฟร์ที่ปลูกด้วยวิธี Kyropoulos)

หลอดไพลิน