บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

แนะนําวีดีโอเหล่านี้ให้คุณ

รีเพลย์

วิดีโอต่อไป

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2023-11-21

32 ความเห็น

คุยตอนนี้

แบ่งปัน

#พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ #เวเฟอร์ sic #ซิลิคอนบนเวเฟอร์แซฟไฟร์

สรุป 4-Hอุปกรณ์ประกอบด้วย SiCสับสราทเป็นวัสดุครึ่งประสาทที่มีประสิทธิภาพสูงที่มีการใช้งานที่หลากหลาย มันได้รับชื่อจากการเติบโตของมันบนโครงสร้างคริสตัล 4Hสารสับสราทนี้แสดงถึงคุณสมบัติไฟฟ้าที่พิเศษ, รวม... ดูเพิ่มเติม

ข้อความจากผู้เข้าชม ปล่อยข้อความไว้

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

คุยตอนนี้

เรียนรู้เพิ่มเติม

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

Microfluidic Laser Equipment for Semiconductor Wafer Processing

Microfluidic Laser Equipment for Semiconductor Wafer Processing

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

สเปซเซอร์ซะฟายร์สําหรับออปติกส์ความแม่นยําและครึ่งประสาท

สเปซเซอร์ซะฟายร์สําหรับออปติกส์ความแม่นยําและครึ่งประสาท

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

อะไหล่เซรามิกซิรคอนิโอมิคส่วนประกอบที่กําหนดเอง อะไหล่ซิรคอนิโอมิคอ๊อกไซด์ความละเอียดสูง ผู้ผลิต

อะไหล่เซรามิกซิรคอนิโอมิคส่วนประกอบที่กําหนดเอง อะไหล่ซิรคอนิโอมิคอ๊อกไซด์ความละเอียดสูง ผู้ผลิต

ชิ้นส่วนเซรามิก

EFG Sapphire Tube (Surface Unpolished) สําหรับครึ่งประสาททางแสงแม่นยํา

EFG Sapphire Tube (Surface Unpolished) สําหรับครึ่งประสาททางแสงแม่นยํา

หลอดไพลิน

แผ่นสี่เหลี่ยมสีซาฟายร์ตามสั่ง (เคลือบสองด้าน)

แผ่นสี่เหลี่ยมสีซาฟายร์ตามสั่ง (เคลือบสองด้าน)

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

พล็อตธรรมดาสีซาฟายร์ (เลืองข้างเดียว)

พล็อตธรรมดาสีซาฟายร์ (เลืองข้างเดียว)

พื้นผิวไพลิน