บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

แนะนําวีดีโอเหล่านี้ให้คุณ

รีเพลย์

วิดีโอต่อไป

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2025-08-29

126 ความเห็น

คุยตอนนี้

แบ่งปัน

#พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ #เวเฟอร์ sic #ซิลิคอนบนเวเฟอร์แซฟไฟร์

ภาพรวมโดยละเอียดของชิปพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. ชิปพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. เป็นวัสดุฐานเซมิคอนดักเตอร์ชนิดผลึกเดี่ยวขั้นสูง ซึ่งออกแบบมาเพื่อรองรับความต้องการของอ... ดูเพิ่มเติม

ข้อความจากผู้เข้าชม ปล่อยข้อความไว้

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

คุยตอนนี้

เรียนรู้เพิ่มเติม

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

6H ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สี่เหลี่ยม Substrate Wafer สําหรับพลังงานความถี่สูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

2 นิ้ว 4 นิ้ว Dummy Prime SiC พื้นผิวต้านทานความร้อนช็อกเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เดี่ยว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

10 x 10 x 0.5 มม. เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H - N SiC Crystal Chips

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

4H-N / Semi Type SiC Ingot และ Substrate Industrial Dummy 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ขัดเงาทรงกระบอกกลวงซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์เซรามิกองค์ประกอบออปติคอลSiC

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

โวฟเฟอร์ SiC ครึ่งกันหนาว 3 นิ้ว 76.2 มิลลิเมตร 4H ประเภท SiC สําหรับครึ่งตัวนํา

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดแซฟไฟร์ KY (หลอดแซฟไฟร์ที่ปลูกด้วยวิธี Kyropoulos)

หลอดแซฟไฟร์ KY (หลอดแซฟไฟร์ที่ปลูกด้วยวิธี Kyropoulos)

หลอดไพลิน

ไม้เลเซอร์รูบี้สังเคราะห์ (Cr:Al2O3) สําหรับอุปกรณ์เลเซอร์ ความยาวไม่เกิน 200 mm

ไม้เลเซอร์รูบี้สังเคราะห์ (Cr:Al2O3) สําหรับอุปกรณ์เลเซอร์ ความยาวไม่เกิน 200 mm

พื้นผิวไพลิน

เครื่องจักรแปรรูปด้วยเลเซอร์นำวิถีไมโครวอเตอร์เจ็ท

เครื่องจักรแปรรูปด้วยเลเซอร์นำวิถีไมโครวอเตอร์เจ็ท

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

อุปกรณ์เลเซอร์ไมโครฟลิวไดซ์สําหรับการประมวลผลแผ่นแผ่นครึ่งตัว

อุปกรณ์เลเซอร์ไมโครฟลิวไดซ์สําหรับการประมวลผลแผ่นแผ่นครึ่งตัว

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

สเปซเซอร์ซะฟายร์สําหรับออปติกส์ความแม่นยําและครึ่งประสาท

สเปซเซอร์ซะฟายร์สําหรับออปติกส์ความแม่นยําและครึ่งประสาท

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

อะไหล่เซรามิกซิรคอนิโอมิคส่วนประกอบที่กําหนดเอง อะไหล่ซิรคอนิโอมิคอ๊อกไซด์ความละเอียดสูง ผู้ผลิต

อะไหล่เซรามิกซิรคอนิโอมิคส่วนประกอบที่กําหนดเอง อะไหล่ซิรคอนิโอมิคอ๊อกไซด์ความละเอียดสูง ผู้ผลิต

ชิ้นส่วนเซรามิก