|
| ชื่อแบรนด์: | zmkj |
| เลขรุ่น: | 8 นิ้ว 6 นิ้ว AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer |
| ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1PCS |
| ราคา: | 1200~2500usd/pc |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เคสเวเฟอร์เดี่ยวโดยแพ็คเกจสูญญากาศ |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | ที/ที |
8 นิ้ว 6 นิ้ว AlGaN / GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer สําหรับ Micro-LED สําหรับการใช้งาน RF
คุณลักษณะของ GaN Wafer
กัลเลียมไนทริด (GaN) เป็นชนิดหนึ่งของสารประกอบครึ่งประสาทที่มีช่องว่างกว้าง สับสราทของกัลเลียมไนทริด (GaN) คือ
สารสับสราตแบบคริสตัลเดียวที่มีคุณภาพสูง ผลิตด้วยวิธีการ HVPE และเทคโนโลยีการแปรรูปแผ่นสับสราตแบบเดิม ซึ่งถูกพัฒนาในประเทศจีนมานานกว่า 10 ปีลักษณะของกระจกเป็นระดับสูงสารสับสราต GaN ใช้ในหลายประเภทการใช้งาน สําหรับ LED ขาวและ LD ((สีม่วง, สีฟ้าและสีเขียว)การพัฒนาได้ก้าวหน้าสําหรับพลังงานและความถี่สูงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์.
ความกว้างแดนที่ห้าม (การปล่อยแสงและการดูดซึม) ครอบคลุมแสงอัลตราไวโอเล็ต, แสงที่มองเห็นได้และแสงอินฟราเรด
การใช้งาน
GaN สามารถใช้ได้ในหลายสาขา เช่น จอ LED การตรวจจับพลังงานสูง และการถ่ายภาพ
เครื่องแสดงแสงเลเซอร์ เครื่องใช้พลังงาน เป็นต้น
รายละเอียดสินค้า
| รายการ | ค่า/ขอบเขต |
| สับสราต | ใช่ |
| กว้างของแผ่น | 4??/ 6?? / 8รางวัล |
| ความหนาของ Epi-layer | 4-5μm |
| กล่องวอล์ฟ | < 30μmแบบปกติ |
| ลักษณะพื้นผิว | RMS < 0.5nm ใน 5 × 5 μm² |
| ป้องกัน | อัลXกา1-XN, 0 |
| ผิวคลุม | In-situSiNหรือ GaN (แบบ D); p-GaN (แบบ E) |
| ความหนาแน่น 2DEG | > 9E12/cm2(20nm Al)0.25GaN) |
| ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอน | > 1800 ซม.2/Vs(20nm Al)0.25GaN) |
รายละเอียดผลิตภัณฑ์
| รายการ | ค่า/ขอบเขต |
| สับสราต | HR_Si/SiC |
| กว้างของแผ่น | 4/ 6 รายการSiC, 4/ 6/ 8HR_Si |
| อีพี-ความหนาชั้น | 2-3μm |
| กล่องวอล์ฟ | < 30μmแบบปกติ |
| ลักษณะพื้นผิว | RMS < 0.5nm ใน 5 × 5 μm² |
| ป้องกัน | AlGaNหรือAlNหรือInAlN |
| ผิวคลุม | In-situSiNหรือ GaN |
| รายการ | GaN-on-Si | GaN-on-Sapphire |
| 4/ 6/ 8รางวัล | 2/ 4/ 6 | |
| ความหนาของ Epi-layer | <4μm | < 7μm |
| ค่าเฉลี่ยสูงสุด/สูงสุดความยาวคลื่น | 400-420nm, 440-460nm510-530nm | 270-280nm, 440-460nm510-530nm |
| FWHM |
< 20nm สําหรับสีฟ้า/สี UV ใกล้ < 40nm สําหรับสีเขียว |
< 15nm สําหรับ UVC < 25nm สําหรับสีฟ้า < 40nm สําหรับสีเขียว |
| โวฟเฟอร์โบว์ | < 50μm | < 180μm |
เกี่ยวกับโรงงาน OEM ของเรา
วิสัยทัศน์ธุรกิจ Factroy ของเรา
เราจะให้ GaN สับสราตและเทคโนโลยีการใช้งานที่มีคุณภาพสูง สําหรับอุตสาหกรรมกับโรงงานของเรา
วัสดุ GaN ที่มีคุณภาพสูงเป็นปัจจัยจํากัดสําหรับการใช้ III-nitrides เช่นอายุการใช้งานยาว
และความมั่นคงสูง LDs อุปกรณ์ไมโครเวฟพลังงานสูงและความน่าเชื่อถือสูง ความสว่างสูง
และ LED ประหยัดพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูง
-FAQ
Q: คุณสามารถให้บริการด้าน logistics และค่าใช้จ่ายอย่างไร?
(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF และอื่น ๆ
(2) ถ้าคุณมีเบอร์ด่วนของคุณเอง มันดีมาก
ถ้าไม่ เราช่วยคุณในการจัดส่ง ส่งสินค้า = USD25.0 ((น้ําหนักแรก) + USD12.0 / kg
Q: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
(1) สําหรับผลิตภัณฑ์มาตรฐาน เช่น วอฟเฟอร์ 2 นิ้ว 0.33 มม.
สําหรับคลังสินค้า: การจัดส่ง 5 วันทําการหลังจากสั่งซื้อ
สําหรับผลิตภัณฑ์ที่กําหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 หรือ 4 สัปดาห์ทํางานหลังจากสั่งซื้อ
Q: วิธีการชําระเงิน?
100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram การชําระเงินที่ปลอดภัยและการรับประกันการค้า
Q: MOQ คืออะไร?
(1) สําหรับคลังสินค้า MOQ คือ 5pcs
(2) สําหรับผลิตภัณฑ์ที่กําหนดเอง MOQ คือ 5pcs-10pcs
มันขึ้นอยู่กับปริมาณและเทคนิค
Q: คุณมีรายงานการตรวจสอบสําหรับวัสดุหรือไม่
เราสามารถจัดส่งรายงาน RoHS และรายงานถึงสําหรับผลิตภัณฑ์ของเรา
