|
| ชื่อแบรนด์: | ZMKJ |
| เลขรุ่น: | GaN-ไพลิน 4 นิ้ว |
| ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 2PCS |
| ราคา: | by case |
| รายละเอียดการบรรจุ: | ภาชนะเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, PayPal |
2 นิ้ว 4 นิ้ว 4" 2'' เทมเพลต GaN ที่ใช้แซฟไฟร์ ฟิล์ม GaN บนพื้นผิวแซฟไฟร์ เวเฟอร์ GaN-On-Sapphire GaN พื้นผิว GaN หน้าต่าง GaN
1) ที่อุณหภูมิห้อง GaN ไม่ละลายในน้ำ กรด และด่าง
2) ละลายในสารละลายด่างร้อนในอัตราที่ช้ามาก
3) NaOH, H2SO4 และ H3PO4 สามารถกัดกร่อน GaN ที่มีคุณภาพต่ำได้อย่างรวดเร็ว สามารถใช้สำหรับการตรวจจับข้อบกพร่องคริสตัล GaN ที่มีคุณภาพต่ำเหล่านี้
4) GaN ใน HCL หรือไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิสูงมีลักษณะที่ไม่เสถียร
5) GaN เสถียรที่สุดภายใต้ไนโตรเจน
1) คุณสมบัติทางไฟฟ้าของ GaN เป็นปัจจัยที่สำคัญที่สุดที่ส่งผลต่ออุปกรณ์
2) GaN ที่ไม่มีการเติมคือ n ในทุกกรณี และความเข้มข้นของอิเล็กตรอนของตัวอย่างที่ดีที่สุดคือประมาณ 4*(10^16)/c㎡
3) โดยทั่วไป ตัวอย่าง P ที่เตรียมไว้จะได้รับการชดเชยสูง
1) วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ผสมช่องว่างวงกว้างที่มีความกว้างแบนด์สูง (2.3 ~ 6.2eV) สามารถครอบคลุมสเปกตรัมสีแดงสีเหลืองสีเขียวสีน้ำเงินสีม่วงและรังสีอัลตราไวโอเลตจนถึงขณะนี้คือวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อื่น ๆ ไม่สามารถทำได้
2) ส่วนใหญ่ใช้ในอุปกรณ์เปล่งแสงสีน้ำเงินและสีม่วง
1) คุณสมบัติความถี่สูงมาถึง 300G Hz(Si คือ 10G และ GaAs คือ 80G)
2) คุณสมบัติอุณหภูมิสูง, ทำงานปกติที่ 300 ℃, เหมาะมากสำหรับการบินและอวกาศ, การทหารและสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงอื่น ๆ
3) การเลื่อนของอิเล็กตรอนมีความเร็วอิ่มตัวสูง ค่าคงที่ไดอิเล็กตริกต่ำ และการนำความร้อนที่ดี
4) กรดและด่างต้านทาน ทนต่อการกัดกร่อน สามารถใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง
5) ลักษณะไฟฟ้าแรงสูง ทนต่อแรงกระแทก ความน่าเชื่อถือสูง
6) พลังงานขนาดใหญ่ อุปกรณ์สื่อสารมีความกระตือรือร้นมาก
1) ไดโอดเปล่งแสง, แอลอีดี
2) ทรานซิสเตอร์สนามผล FET
3) เลเซอร์ไดโอด, แอลดี
| โครงสร้างคริสตัล |
วูร์ตไซต์ |
| ค่าคงที่แลตทิซ (Å) | ก=3.112, ค=4.982 |
| ประเภทวงดนตรีคอนดักชั่น | bandgap โดยตรง |
| ความหนาแน่น (g/cm3) | 3.23 |
| ความแข็งระดับไมโครของพื้นผิว (การทดสอบ Knoop) | 800 |
| จุดหลอมเหลว (℃) | 2750 (10-100 บาร์ใน N2) |
| การนำความร้อน (W/m·K) | 320 |
| พลังงานช่องว่างของแบนด์ (eV) | 6.28 |
| การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน (V·s/cm2) | 1100 |
| สนามสลายไฟฟ้า (MV/ซม.) | 11.7 |
