เทมเพลตบนไดมอนด์เวเฟอร์ Substrate AlN Epitaxial Films

รายละเอียดสินค้า

เวเฟอร์แม่แบบ AlN on Diamond ฟิล์ม epitaxial AlN บนวัสดุพิมพ์ Diamond AlN บนแซฟไฟร์ /AlN-on-SiC/ AlN-ON ซิลิคอน

ยินดีต้อนรับสู่รู้จักเทมเพลต AlN บน Diamond ~~

ข้อดีของ AlN
• Direct band gap ความกว้างของ band gap 6.2eV เป็นวัสดุเรืองแสงอัลตราไวโอเลตลึกและอัลตราไวโอเลตที่สำคัญ
• ความแรงของสนามไฟฟ้าที่สลายตัวสูง, การนำความร้อนสูง, ความเป็นฉนวนสูง, ค่าคงที่ไดอิเล็กตริกต่ำ, ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ, ประสิทธิภาพเชิงกลที่ดี, ต้านทานการกัดกร่อน, ใช้กันทั่วไปในอุณหภูมิสูงและความถี่สูง
อุปกรณ์พลังงานสูง
• ประสิทธิภาพเพียโซอิเล็กทริกที่ดีมาก (โดยเฉพาะตามแนวแกน C) ซึ่งเป็นหนึ่งในวัสดุที่ดีที่สุดสำหรับการเตรียมเซ็นเซอร์ ไดรเวอร์ และฟิลเตอร์ต่างๆ
• มีค่าคงที่ตาข่ายและค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนใกล้เคียงกับคริสตัล GaN ใกล้เคียงกันมาก และเป็นวัสดุพื้นผิวที่ต้องการสำหรับการเติบโตแบบเฮเทอโรพิแทกเชียลของอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ GaN

ผลิตภัณฑ์ AlN หลักสามรายการ

1. AlN-ON-ซิลิคอน
ฟิล์มบางอะลูมิเนียมไนไตรด์ (AlN) คุณภาพสูงถูกเตรียมบนพื้นผิวซิลิกอนโดยการทับถมของคอมโพสิตได้สำเร็จความกว้างสูงสุดครึ่งหนึ่งของเส้นโค้งโยก XRD (0002) น้อยกว่า 0.9 ° และความขรุขระของพื้นผิวการเจริญเติบโตคือ Ra<
ฟิล์มอะลูมิเนียมไนไตรด์คุณภาพสูง 1.5 นาโนเมตร (ความหนาของอะลูมิเนียมไนไตรด์ 200 นาโนเมตร) ช่วยในการเตรียมแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ในขนาดใหญ่ คุณภาพสูง และต้นทุนต่ำ

 แซฟไฟร์ที่ใช้ AlN-On-Sapphire

AlN คุณภาพสูงบนแซฟไฟร์ (อลูมิเนียมไนไตรด์จากแซฟไฟร์) เตรียมโดยการสะสมของคอมโพสิต ความกว้างครึ่งสูงสุดของ XRD (0002) เส้นโค้งการแกว่ง <0.05 ° ความขรุขระของพื้นผิวการเจริญเติบโต
Ra <1.2 นาโนเมตร (ความหนาของอะลูมิเนียมไนไตรด์คือ 200 นาโนเมตร) ซึ่งไม่เพียงทำให้การควบคุมคุณภาพของผลิตภัณฑ์มีประสิทธิภาพ ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์อย่างมาก ทำให้มั่นใจได้ถึงเสถียรภาพของผลิตภัณฑ์ แต่ยังช่วยลด
ต้นทุนสินค้าและรอบการผลิตลดลงการตรวจสอบจากลูกค้าแสดงให้เห็นว่า AlN คุณภาพสูงบนแซฟไฟร์ของ CSMC สามารถปรับปรุงผลผลิตและความเสถียรของผลิตภัณฑ์ UVC LED ได้อย่างมาก
เชิงคุณภาพช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์
3.AlN-On-Diamond ที่ใช้เพชร
CVMC เป็นรายแรกของโลกที่พัฒนาอะลูมิเนียมไนไตรด์จากเพชรอย่างสร้างสรรค์ความกว้างสูงสุดครึ่งหนึ่งของเส้นโค้งการแกว่ง XRD (0002) น้อยกว่า 3° และเพชรมีค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษ (ค่าการนำความร้อนที่อุณหภูมิห้องสามารถ
สูงถึง 2000W/m K) ความหยาบผิวของพื้นผิวการเจริญเติบโต Ra ＜ 2 นาโนเมตร (ความหนาของอะลูมิเนียมไนไตรด์คือ 200 นาโนเมตร) ช่วยในการประยุกต์ใช้อะลูมิเนียมไนไตรด์แบบใหม่

ข้อดีของการสมัคร

• พื้นผิว UVC LED
ขับเคลื่อนโดยต้นทุนกระบวนการและข้อกำหนดของผลผลิตสูงและความสม่ำเสมอสูง พื้นผิวของชิป LED UVC ที่ใช้ AlGaN มีความหนาขนาดใหญ่ ขนาดใหญ่ และความลาดเอียงที่เหมาะสม พื้นผิวแซฟไฟร์ลบมุมเป็นทางเลือกที่ดีซับสเตรตที่หนาขึ้นสามารถบรรเทาการบิดเบี้ยวผิดปกติของเวเฟอร์ epitaxial ที่เกิดจากความเข้มข้นของความเครียดระหว่าง epitaxy ได้อย่างมีประสิทธิภาพ
สามารถปรับปรุงความสม่ำเสมอของแผ่นเวเฟอร์ epitaxial ได้วัสดุพิมพ์ขนาดใหญ่สามารถลดเอฟเฟกต์ขอบได้อย่างมากและลดต้นทุนโดยรวมของชิปได้อย่างรวดเร็วมุมลบมุมที่เหมาะสมสามารถ
เพื่อปรับปรุงสัณฐานวิทยาของพื้นผิวของชั้น epitaxial หรือรวมกับเทคโนโลยี epitaxial เพื่อสร้างเอฟเฟกต์การแปลพาหะที่อุดมไปด้วย Ga ในพื้นที่แอคทีฟของหลุมควอนตัม เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการส่องสว่าง
• ทรานซิชันเลเยอร์
การใช้ AlN เป็นชั้นบัฟเฟอร์สามารถปรับปรุงคุณภาพ epitaxial คุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของฟิล์ม GaN ได้อย่างมีนัยสำคัญตาข่ายที่ไม่ตรงกันระหว่างพื้นผิว GaN และ AIN คือ 2.4% ความไม่ตรงกันทางความร้อนเกือบเป็นศูนย์ ซึ่งไม่เพียงสามารถหลีกเลี่ยงความเครียดจากความร้อนที่เกิดจากการเติบโตที่อุณหภูมิสูง แต่ยังช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตอย่างมาก
• แอพพลิเคชั่นอื่นๆ
นอกจากนี้ ฟิล์มบาง AlN ยังสามารถใช้กับฟิล์มบางแบบเพียโซอิเล็กทริกของอุปกรณ์คลื่นเสียงพื้นผิว (SAW), ฟิล์มบางแบบเพียโซอิเล็กทริกของอุปกรณ์คลื่นอะคูสติกจำนวนมาก (FBAR), ฉนวนชั้นฝังของวัสดุ SOI และการทำความเย็นแบบสีเดียว
วัสดุแคโทด (ใช้สำหรับการแสดงการปล่อยภาคสนามและหลอดสุญญากาศขนาดเล็ก) และวัสดุเพียโซอิเล็กทริก อุปกรณ์นำความร้อนสูง อุปกรณ์อะคูสติกออปติก เครื่องตรวจจับรังสีอัลตราไวโอเลตและเอ็กซ์เรย์
การปล่อยอิเล็กโทรดของตัวสะสมที่ว่างเปล่า วัสดุไดอิเล็กตริกของอุปกรณ์ MIS ชั้นป้องกันของสื่อบันทึกแบบแมกนีโตออปติก

 

 

การประมวลผลไพลิน

ตัวแซฟไฟร์→การหั่น→การลบมุมขอบ→การขัด→การหลอม→การขัด→การตรวจสอบ→การทำความสะอาดและการบรรจุ

 

 

รายละเอียดสินค้า

รายละเอียดข้อกำหนด:

 

คำถามที่พบบ่อย & ติดต่อ

 

ถาม: ความต้องการสั่งซื้อขั้นต่ำของคุณคืออะไร?
ตอบ: MOQ: 1 ชิ้น

ถาม: การดำเนินการตามคำสั่งของฉันจะใช้เวลานานแค่ไหน?
ตอบ: หลังจากยืนยันการชำระเงินแล้ว

ถาม: คุณสามารถให้การรับประกันผลิตภัณฑ์ของคุณได้หรือไม่?
A:เราสัญญาคุณภาพ ถ้าคุณภาพมีปัญหาใด ๆ เราจะผลิตใหม่ผลิต หรือคืนเงิน

ถาม: วิธีการชำระเงิน
A:T/T, Paypal, West Union, การโอนเงินผ่านธนาคารและหรือการชำระเงินประกันอาลีบาบาและอื่น ๆ

ถาม: คุณสามารถผลิตเลนส์แบบกำหนดเองได้หรือไม่?
ตอบ: ได้ เราสามารถผลิตเลนส์แบบกำหนดเองได้
ถาม: หากคุณมีคำถามอื่น ๆ โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อฉัน
A:โทร+:86-15801942596 หรือ skype:wmqeric@sina.cn