รายละเอียดสินค้า

บ้าน ผลิตภัณฑ์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

ประเภททั้งหมด

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

ติดต่อเรา

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

ชื่อแบรนด์:	ZMKJ
เลขรุ่น:	หุ่นจำลองพื้นผิว SiC ขนาด 6 นิ้ว
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1 ชิ้น
ราคา:	by case
รายละเอียดการบรรจุ:	แพ็คเกจเวเฟอร์เดี่ยวในห้องทำความสะอาด 100 เกรด
เงื่อนไขการจ่ายเงิน:	T / T, Western Union, MoneyGram

ข้อมูลรายละเอียด

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

จีน

ได้รับการรับรอง:

ROHS

วัสดุ:

โมโนคริสตัลไลน์ ซิลิคอน คาร์ไบด์

ความแข็ง:

9.4

แอปพลิเคชัน:

ศอ.บต. และ ศอ.บต

ความอดทน:

±0.1มม

พิมพ์:

4h-n 4h-semi 6h-semi

เส้นผ่านศูนย์กลาง:

150-160มม

ความหนา:

0.1-15มม

ความต้านทาน:

0.015~0 028 โอ-ซม

สามารถในการผลิต:

1-50 ชิ้น/เดือน

เน้น:

Monocrystalline SiC เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์

เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์เกรด Dummy

เวเฟอร์ Monocrystalline SiC

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

6 นิ้ว Dia153mm 156mm 159mm Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์พื้นผิว Dummy Grade

เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คริสตัล

พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์สามารถแบ่งออกเป็นประเภทนำไฟฟ้าและประเภทกึ่งฉนวนตามสภาพต้านทานอุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์นำไฟฟ้าส่วนใหญ่จะใช้ในยานพาหนะไฟฟ้า การผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ การขนส่งทางรถไฟ ศูนย์ข้อมูล การชาร์จ และโครงสร้างพื้นฐานอื่นๆอุตสาหกรรมยานยนต์ไฟฟ้ามีความต้องการพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์จำนวนมาก และในปัจจุบัน Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng และบริษัทรถยนต์พลังงานใหม่รายอื่นๆ ได้วางแผนที่จะใช้อุปกรณ์หรือโมดูลแยกซิลิคอนคาร์ไบด์

อุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวนส่วนใหญ่จะใช้ในการสื่อสาร 5G, การสื่อสารในยานพาหนะ, การใช้งานด้านการป้องกันประเทศ, การส่งข้อมูล, การบินและอวกาศ และสาขาอื่นๆด้วยการเพิ่มชั้น epitaxial ของแกลเลียมไนไตรด์บนซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวน เวเฟอร์ epitaxial ที่มีแกลเลียมไนไตรด์ที่ทำจากซิลิคอนสามารถนำไปผลิตเป็นอุปกรณ์ไมโครเวฟ RF ซึ่งส่วนใหญ่ใช้ในด้าน RF เช่น เพาเวอร์แอมป์ในการสื่อสาร 5G และ เครื่องตรวจจับวิทยุในการป้องกันประเทศ

การผลิตผลิตภัณฑ์ซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์เกี่ยวข้องกับการพัฒนาอุปกรณ์ การสังเคราะห์วัตถุดิบ การเติบโตของผลึก การตัดคริสตัล การแปรรูปแผ่นเวเฟอร์ การทำความสะอาดและการทดสอบ และการเชื่อมโยงอื่นๆ อีกมากมายในแง่ของวัตถุดิบ อุตสาหกรรมซงชานโบรอนจัดหาวัตถุดิบซิลิกอนคาร์ไบด์สำหรับตลาด และประสบความสำเร็จในการขายชุดเล็กวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามที่แสดงโดยซิลิกอนคาร์ไบด์มีบทบาทสำคัญในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ ด้วยการเร่งการเจาะของยานยนต์พลังงานใหม่และการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ ความต้องการสารตั้งต้นซิลิกอนคาร์ไบด์กำลังนำเข้าสู่จุดเปลี่ยน

1. คำอธิบาย

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
โพลีไทป์	4H -SiC	6H- SiC
เส้นผ่านศูนย์กลาง	2 นิ้ว \|3 นิ้ว \|4 นิ้ว \|6 นิ้ว	2 นิ้ว \|3 นิ้ว \|4 นิ้ว \|6 นิ้ว
ความหนา	330 ไมโครเมตร ~ 350 ไมโครเมตร	330 ไมโครเมตร ~ 350 ไมโครเมตร
การนำไฟฟ้า	N – ประเภท / กึ่งฉนวน	N – ประเภท / กึ่งฉนวน N型导电片 / 半绝缘片
เจือปน	N2 ( ไนโตรเจน )V ( วานาเดียม )	N2 ( ไนโตรเจน ) V ( วานาเดียม )
ปฐมนิเทศ	บนแกน <0001> ปิดแกน <0001> ปิด 4°	บนแกน <0001> ปิดแกน <0001> ปิด 4°
ความต้านทาน	0.015 ~ 0.03 โอห์ม-ซม (4H-N)	0.02 ~ 0.1 โอห์ม-ซม (6H-N)
ความหนาแน่นของไมโครไปป์ (MPD)	≤10/ซม.2 ~ ≤1/ซม.2	≤10/ซม.2 ~ ≤1/ซม.2
ทีทีวี	≤ 15 ไมครอน	≤ 15 ไมครอน
โบว์/วาร์ป	≤25ไมครอน	≤25ไมครอน
พื้นผิว	ดีเอสพี/เอสเอสพี	ดีเอสพี/เอสเอสพี
ระดับ	เกรดการผลิต / การวิจัย	เกรดการผลิต / การวิจัย
ลำดับการซ้อนคริสตัล	เอบีซีบี	เอบีซีบีซี
พารามิเตอร์ขัดแตะ	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
เช่น/eV(แบนด์-ช่องว่าง)	3.27 โวลต์	3.02 อีโวลต์
ε (ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก)	9.6	9.66
ดัชนีหักเห	n0 =2.719 เน่ =2.777	n0 =2.707 , เน่ =2.755

การประยุกต์ใช้ SiC ในอุตสาหกรรมอุปกรณ์ไฟฟ้า

เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ซิลิกอน อุปกรณ์ไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) สามารถบรรลุประสิทธิภาพสูง ลดขนาด และน้ำหนักเบาของระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังได้อย่างมีประสิทธิภาพการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ไฟฟ้า SiC นั้นมีเพียง 50% ของอุปกรณ์ Si และการสร้างความร้อนนั้นมีเพียง 50% ของอุปกรณ์ซิลิคอน นอกจากนี้ SiC ยังมีความหนาแน่นกระแสสูงกว่าอีกด้วยที่ระดับพลังงานเดียวกัน โมดูลพลังงาน SiC มีขนาดเล็กกว่าโมดูลพลังงานซิลิคอนอย่างมากยกตัวอย่างโมดูลพลังงานอัจฉริยะ IPM โดยใช้อุปกรณ์พลังงาน SiC ปริมาตรโมดูลสามารถลดลงเหลือ 1/3 ถึง 2/3 ของโมดูลพลังงานซิลิกอน

เพาเวอร์ไดโอด SiC มีสามประเภท: ไดโอด Schottky (SBD), ไดโอด PIN และไดโอด Schottky ที่ควบคุมสิ่งกีดขวางทางแยก (JBS)เนื่องจากสิ่งกีดขวาง Schottky ทำให้ SBD มีความสูงของสิ่งกีดขวางทางแยกที่ต่ำกว่า ดังนั้น SBD จึงมีข้อได้เปรียบจากแรงดันไฟไปข้างหน้าต่ำการเกิดขึ้นของ SiC SBD ได้ขยายขอบเขตการใช้งานของ SBD จาก 250V เป็น 1200Vนอกจากนี้ ลักษณะเฉพาะที่อุณหภูมิสูงยังดี กระแสไฟรั่วย้อนกลับไม่เพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องถึง 175 °C ในด้านการประยุกต์ใช้วงจรเรียงกระแสที่สูงกว่า 3kV ไดโอด SiC PiN และ SiC JBS ได้รับความสนใจอย่างมากเนื่องจากแรงดันพังทลายที่สูงกว่า ความเร็วในการเปลี่ยนที่เร็วกว่า ขนาดที่เล็กกว่า และน้ำหนักเบากว่าวงจรเรียงกระแสแบบซิลิคอน

อุปกรณ์ SiC power MOSFET มีความต้านทานเกตที่เหมาะสม ประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูง ความต้านทานเปิดต่ำ และความเสถียรสูงเป็นอุปกรณ์ที่ต้องการในด้านอุปกรณ์ไฟฟ้าต่ำกว่า 300Vมีรายงานว่า MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีแรงดันบล็อก 10kV ได้รับการพัฒนาสำเร็จแล้วนักวิจัยเชื่อว่า SiC MOSFETs จะได้เปรียบในด้าน 3kV - 5kV

SiC Insulated Gate Bipolar Transistors (SiC BJT, SiC IGBT) และ SiC Thyristor (SiC Thyristor), อุปกรณ์ IGBT ชนิด P ของ SiC ที่มีแรงดันบล็อค 12 kV มีความสามารถในการจ่ายกระแสไปข้างหน้าได้ดีเมื่อเปรียบเทียบกับทรานซิสเตอร์สองขั้วของ Si ทรานซิสเตอร์สองขั้วของ SiC มีการสูญเสียการสลับลดลง 20-50 เท่าและแรงดันตกคร่อมเมื่อเปิดเครื่องต่ำกว่าSiC BJT แบ่งออกเป็นตัวส่งสัญญาณ epitaxial BJT และตัวปล่อยไอออนฝังตัว BJT ซึ่งอัตราขยายโดยทั่วไปอยู่ระหว่าง 10-50

เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ

ZMKJ สามารถจัดหาเวเฟอร์ SiC ผลึกเดี่ยวคุณภาพสูง (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ให้กับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์เวเฟอร์ SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไปที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์และคุณสมบัติทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม เมื่อเทียบกับเวเฟอร์ซิลิคอนและ GaAs เวเฟอร์ SiC นั้นเหมาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูงและพลังงานสูงSiC เวเฟอร์มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2-6 นิ้ว มีทั้ง SiC 4H และ 6H, N-type, Nitrogen doped และ Semi-insulatingโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม

1--SiC เวเฟอร์มีขนาดเท่าใดเรามี 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้วในสต็อกตอนนี้
2--เวเฟอร์ SiC มีราคาเท่าไหร่?จะขึ้นอยู่กับความต้องการของคุณ
3--เวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์หนาแค่ไหน?โดยทั่วไปความหนาของเวเฟอร์ SiC คือ 0.35 และ 0.5 มม.นอกจากนี้เรายังยอมรับการปรับแต่ง
4-- SiC เวเฟอร์มีประโยชน์อย่างไร?SBD, MOS และอื่นๆ

คำถามที่พบบ่อย:

ถาม: วิธีการจัดส่งและค่าใช้จ่ายคืออะไร

A:(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, EMS เป็นต้น

(2) ไม่เป็นไร หากคุณมีบัญชีด่วนของคุณเอง หากไม่มี เราสามารถช่วยคุณจัดส่งและ

ค่าขนส่งคือฉันน ตามข้อยุติที่แท้จริง

ถาม: วิธีการชำระเงิน

A: T/T 100％ เงินฝากก่อนส่งมอบ

ถาม: MOQ ของคุณคืออะไร

A: (1) สำหรับสินค้าคงคลัง MOQ คือ 1 ชิ้นถ้า 2-5 ชิ้นจะดีกว่า

(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ commen ที่กำหนดเอง MOQ คือ 10 ชิ้นขึ้นไป

ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?

A: (1) สำหรับสินค้ามาตรฐาน

สำหรับสินค้าคงคลัง: การจัดส่งคือ 5 วันทำการหลังจากที่คุณสั่งซื้อ

สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งคือ 2 -4 สัปดาห์หลังจากที่คุณสั่งซื้อติดต่อ

ถาม: คุณมีผลิตภัณฑ์มาตรฐานหรือไม่?

A: สินค้ามาตรฐานของเราในสต็อกเช่นเดียวกับพื้นผิว 4 นิ้ว 0.35 มม.

แท็ก:

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

รายละเอียดสินค้า

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

Monocrystalline SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์พื้นผิวเวเฟอร์ Dummy เกรด Dia153mm 156mm 159mm

Monocrystalline SiC เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์

เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์เกรด Dummy

เวเฟอร์ Monocrystalline SiC

เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คริสตัล

1. คำอธิบาย

การประยุกต์ใช้ SiC ในอุตสาหกรรมอุปกรณ์ไฟฟ้า

เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ

คำถามที่พบบ่อย: