แนวทาง111 100 SSP DSP ความบริสุทธิ์สูง InP Semiconductor Wafer 6'4' InP Wafers

คําอธิบายสินค้า:

ของเราInP(อินเดียมฟอสฟิด) วอฟเฟอร์ครึ่งตัว, ที่มีชื่อเสียงสําหรับคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่โดดเด่นของพวกเขา, ได้พบการใช้งานที่กว้างขวางในการสื่อสาร, optics, และอิเล็กทรอนิกส์.การใช้เทคโนโลยีการเจริญเติบโตและการประมวลผลที่ก้าวหน้า, เรารับประกันความบริสุทธิ์สูงและความเหมือนกันของแผ่นของเรา, ให้การเคลื่อนไหวอิเล็กตรอนที่โดดเด่นและความหนาแน่นความบกพร่องต่ําเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดของการใช้งานระดับสูง.โวฟเฟอร์มีขนาดกว้างตั้งแต่ 2 ถึง 4 นิ้ว, ด้วยความหนาและความหยาบของพื้นผิวสามารถปรับเปลี่ยนตามความต้องการของลูกค้าเราให้การรับประกันคุณภาพที่ครบถ้วนและการสนับสนุนทางเทคนิค เพื่อให้แน่ใจว่าแต่ละแผ่นวอล์ฟจะตอบสนองความคาดหวังของลูกค้าของเราไม่ว่าจะเป็นใช้ในการผลิตส่วนประกอบการสื่อสารไฟเบอร์ออปติกความเร็วสูง หรือใช้เป็นพื้นฐานสําหรับเซลล์แสงอาทิตย์และเซ็นเซอร์InPโวฟเฟอร์เป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดของคุณ

ลักษณะ:

• ความเคลื่อนไหวอิเล็กตรอนสูงInPมีความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนที่สูงสุด ซึ่งหมายความว่า อิเล็กตรอนสามารถเคลื่อนไหวผ่านวัสดุได้อย่างรวดเร็วมากคุณลักษณะนี้ทําให้ InP เหมาะสมสําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูงและการใช้งานความถี่สูง.
• ช่องแดนตรง:InPเป็นครึ่งประสาทแบบแบนด์เกปโดยตรง ซึ่งหมายความว่ามันสามารถแปลงโฟตันได้โดยตรงระหว่างแบนด์การนําและแบนด์วาเลนซ์ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพสูงมากในเลเซอร์ไดโอเดสและฟอตดิเทคเตอร์.
• คุณสมบัติทางแสงที่พิเศษ:InPมีความโปร่งใสทางแสงที่ดีเยี่ยม โดยเฉพาะในภูมิภาคอินฟราเรด ทําให้มันถูกใช้อย่างแพร่หลายในอินฟราเรดออปติกส์และระบบสื่อสารไฟเบอร์ออปติกส์
• ความสามารถในการนําความร้อนสูงInPมีความสามารถในการขับเคลื่อนความร้อนที่ค่อนข้างสูง ช่วยในการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
• ความมั่นคงทางเคมี:InPมีความมั่นคงทางเคมีและทนทานต่อสารเคมีหลายชนิดในสิ่งแวดล้อม
• ความเหมาะสม:InPสามารถสร้างเฮเตโรสตรक्चर กับวัสดุกลุ่ม III-V อื่นๆ เช่น GaAs และ InGaAs ซึ่งมีความสําคัญในการผลิตอุปกรณ์ออฟโตอิเล็กทรอนิกส์และไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประสิทธิภาพสูง
• ความแข็งแรงทางกล: แม้ว่ามันจะเปราะบางกว่าซิลิคอนInPยังคงมีความแข็งแรงทางกลเพียงพอที่จะทนความดันของการผลิตและกระบวนการบรรจุ
• ความต้านทานรังสี:InPมีความทนทานต่อรังสีอย่างแข็งแรง ทําให้เหมาะสําหรับการใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น การใช้งานในอวกาศ
• โดยรวมแล้ว คุณลักษณะของInPสนับสนุนผลงานที่โดดเด่นในการใช้งานในออฟโตอิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูง ความถี่สูง และผลงานสูง

ปริมาตรเทคนิค:

การใช้งาน:

• การสื่อสารด้วยไฟเบอร์ออปติกInPเป็นวัสดุที่จําเป็นในการผลิตอุปกรณ์สื่อสารไฟเบอร์ออปติกความเร็วสูง เช่น ไดโอเดสเลเซอร์และเครื่องเสริมเสียงออปติกความสามารถในการส่งข้อมูลความกว้างขวางความถี่สูงทําให้มันเป็นองค์ประกอบสําคัญในการสร้างเครือข่ายสื่อสารที่ทันสมัย
• เครื่องตรวจแสง:InPสามารถใช้ในการสร้างเครื่องตรวจแสงที่แปลงสัญญาณแสงเป็นสัญญาณไฟฟ้า ซึ่งมีการใช้งานสําคัญในด้านการสื่อสารไฟเบอร์ออปติก การถ่ายภาพทางออปติก และเซ็นเซอร์
• เซลล์แสงอาทิตย์: ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนสูงและคุณสมบัติแบนด์เกปตรงของInPทํามันเป็นวัสดุที่เหมาะสมสําหรับการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะสําหรับการใช้งานในอวกาศและระบบไฟฟ้าฟอตโวแลติก
• เลเซอร์:InPใช้ในการผลิตเลเซอร์ประเภทต่าง ๆ ของเซมีคอนดักเตอร์ รวมถึงเลเซอร์ที่ใช้ในการสื่อสารกับความยาวคลื่นทางออปติกส์เฉพาะเจาะจง และเลเซอร์ที่ใช้ในอุปกรณ์การแพทย์
• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความเร็วสูง เนื่องจากความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนสูงInPเป็นวัสดุที่เลือกสําหรับการผลิตทรานซิสเตอร์ความเร็วสูง และวงจรบูรณาการ ซึ่งมีความสําคัญในวงจรราดาร์ การสื่อสาร และคอมพิวเตอร์
• อินฟราเรดออปติกInPมีความโปร่งใสในช่วงความยาวคลื่นอินฟราเรด ทําให้เหมาะสําหรับการผลิตส่วนประกอบออฟติกอินฟราเรด เช่น เลนส์และหน้าต่าง

การปรับแต่ง:

ซีเอ็มเอสเอชให้บริการการปรับแต่งแผ่นไนตริดแกลเลียม ด้วยการรับประกันคุณภาพแผ่นไนตริดแกลเลียมของเราถูกทําจากอินเดียมฟอสฟิด (InP) และมีความทนทานต่อรังสีบางส่วนของลักษณะของ Gallium Nitride Wafer ของเราประกอบด้วย:

• ชื่อแบรนด์: ZMSH
• เลขรุ่น:InP
• สถานที่กําเนิด: จีน
• การบรรจุ: บรรจุด้วย Vakuum, Nitrogen Backfilled
• สารสกัด: แอนติโมเนียม (Sb), อินเดียม (In), ฟอสฟอรัส (P) เป็นต้น
• ความหนาแน่นของความบกพร่อง: ≤ 500 cm^-2
• กว้าง: 2-6 นิ้ว
• สภาพการเก็บรักษา: อุณหภูมิ 20-25°C ความชื้น ≤60%

ผงไนทรีดกัลเลียมของเรายังมีคุณภาพและความน่าเชื่อถือสูง มีการควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวดระหว่างกระบวนการผลิต เรานําเสนอราคาที่แข่งขันที่สุดและการจัดส่งที่รวดเร็วติดต่อเราในวันนี้เพื่อหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการปรับปรุง Gallium Nitride Wafer ของเรา!

การสนับสนุนและบริการ:

ในบริษัท XYZ เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ สําหรับสินค้า Gallium Nitride Wafer ของเราทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมที่จะตอบทุกคําถามที่คุณอาจมีเกี่ยวกับสินค้าของคุณเรายังพร้อมที่จะช่วยในการแก้ไขปัญหา, ให้อะไหล่สํารอง, และให้บริการบํารุงรักษาประจํา

เราให้การสนับสนุน ผ่านทางเว็บไซต์บริการลูกค้าออนไลน์, อีเมล, หรือโทรศัพท์. ทีมงานบริการลูกค้าของเราสามารถตอบคําถามและให้ความช่วยเหลือได้ตลอด 24 ชั่วโมง.เรายินดีที่จะช่วยและจะทําความดีของเราเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ของคุณทํางานถูกต้อง.

หากคุณต้องการการสนับสนุนทางเทคนิคเพิ่มเติม, เราให้บริการแพคเกจการบริการเพิ่มเติม ซึ่งรวมถึงเอกสารทางเทคนิครายละเอียด, การเข้าถึงทีมวิศวกรของเรา, และการขยายการรับประกันสินค้าของคุณ.ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะช่วย และสามารถตอบคําถามที่คุณอาจมี.

เราภูมิใจในคุณภาพของผลิตภัณฑ์และบริการของเรา และเราพยายามที่จะทําให้ลูกค้าของเราพอใจกับการซื้อของกรุณาไม่ลังเลที่จะติดต่อเรา.

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่งของแกลเลียมไนทรีดวอฟเฟอร์:

วอฟเฟอร์ไนทรีดกัลเลียม (GaN) โดยทั่วไปถูกส่งในถังที่ปิดในระยะว่างหรือปิดด้วยก๊าซไนโตรเจนและวันที่ผลิตในระหว่างการขนส่ง คอนเทนเนอร์ควรถูกบรรจุในแผ่นพับหรือสไตรโฟมเพื่อความอ่อนแอเพิ่มเติม คอนเทนเนอร์ควรถูกติดตามเพื่อให้แน่ใจว่ามันมาถึงอย่างปลอดภัย

FAQ:

• Q:ชื่อแบรนด์ของแกเลียมไนตริดวอฟเฟอร์คืออะไร?
  A:ชื่อแบรนด์ของ Gallium Nitride Wafer คือ ZMSH
• Q:เลขรุ่นของแกลเลียมไนตริดวอฟเฟอร์คืออะไร?
  A:เลขรุ่นของแกลเลียมไนตริดวอฟเฟอร์คือ InP
• Q:กัลเลียมไนทไรด์วอฟเฟอร์ผลิตที่ไหน
  A:แกลเลียมไนตริดวอฟเฟอร์ถูกผลิตในจีน
• Q:กัลเลียมไนตริดวอฟเฟอร์ใช้ในสิ่งที่?
  A:วอฟเฟอร์ไนตริดแกลเลียมถูกใช้สําหรับการใช้งานต่าง ๆ เช่น อิเล็กทรอนิกส์พลังงานและความถี่สูง ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ และอุปกรณ์ไมโครเวฟ
• Q:ข้อดีของแกลเลียมไนตริดวอฟเฟอร์คืออะไร?
  A:วาเฟอร์ไนตริดกัลเลียมมีข้อดีมากมาย รวมถึงความแรงดันการแยกที่สูงขึ้น ความสามารถในการนําไฟฟ้าและความร้อนสูง และการทํางานในอุณหภูมิสูง