ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์ โรงงาน, ซื้อคุณภาพดี ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์ ผลิตภัณฑ์ จากจีน

Thai

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

ขออ้าง

ประเภท

รายชื่อผู้ติดต่อ

รายชื่อผู้ติดต่อ:	Mr. Wang
โทร:	+8615801942596

ติดต่อ

SiC เมล็ดคริสตัล กว้าง 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT
ราคาถูกที่สุด
คริสตัลเมล็ด SiC โดยเฉพาะอย่างยิ่งที่มีกว้าง 153, 155, 205, 203 และ 208 มม
ราคาถูกที่สุด
ขนาดความบริสุทธิ์สูง HPSI SiC Powder / 99.9999% ความบริสุทธิ์ การเติบโตของคริสตัล
ราคาถูกที่สุด
SIC ขนาด 6 นิ้ว ส่งสติวเดียวบน SUBSTRATE สติวประกอบ POLYCRYSTALLINE
ราคาถูกที่สุด
SiC Wafer 12 นิ้ว 300 มิลลิเมตร ความหนา 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade สําหรับครึ่งตัวนํา
ราคาถูกที่สุด
4h-N 100um ซิลิคอนคาร์ไบด์ปูนบดสําหรับ SIC การเติบโตคริสตัล
ราคาถูกที่สุด
12 นิ้ว SiC Wafer ซิลิคอนคาร์ไบด Wafer 300 มิลลิเมตร สับสราท 750 ± 25um 4H-N ประเภททิศทาง 100 เกรดการวิจัยการผลิต
ราคาถูกที่สุด
4H N แบบ Semi type SiC Wafer 6 นิ้ว 12 นิ้ว SiC Wafer SiC substrate ((0001) ดับเบิ้ลไซด์เลียน Ra≤1 nm การปรับแต่ง
ราคาถูกที่สุด
SiC Wafer 4 นิ้ว 12 นิ้ว 4H N ประเภท Semi ประเภท เกรดการผลิต เกรดการวิจัย เกรด Dummy DSP การปรับแต่ง
ราคาถูกที่สุด
8 นิ้ว 12 นิ้ว 4H-N ประเภท SiC หนา 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime เกรดการวิจัย
ราคาถูกที่สุด
SiC Wafers 2/3/4/6/8 /12Inch 4H-N ประเภท Z/P/D/R เกรด
ราคาถูกที่สุด
12 นิ้ว SiC วอฟเฟอร์ 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC สับสราต ซิลิคอนคาร์ไบด์ วอฟเฟอร์
ราคาถูกที่สุด
ความหนาของวอฟเฟอร์ SiC 4H-N 8 นิ้ว 500±25μm หรือปรับแต่ง N-Doped Dummy การผลิตเกรดวิจัย
ราคาถูกที่สุด
ซีซีวอฟเฟอร์คุณภาพสูง 2/3/4/6/8 นิ้ว 4H-N ประเภท Z/P/D/R เกรดไม่ผสม
ราคาถูกที่สุด
SiC Epitaxial Wafer ซิลิคอนคาร์ไบด 4H 4 นิ้ว 6 นิ้ว อุตสาหกรรม Semiconductor ความต้านทานสูง
ราคาถูกที่สุด

<<
<
1
2
3
4
5
6
7
8
>
>>