พื้นผิวไพลิน

• กัลเลียมไนไตรได บนซิลิคอนวอฟเฟอร์ GaN-on-Si 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว สําหรับเทคโนโลยี CMOS
• Sapphire Wafer 4 นิ้ว DSP SSP 0001 C Plane ต้อนรับ Custom Axis โมโนคริสตัล Al2O3
• Sapphire Wafer Monocrystal Al2O3 DSP SSP 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 12 นิ้ว A plane C plane
• ใบเหลืองทองแดง ความแข็งแรงสูง ลดความเสียหายต่อเนื้อเยื่อได้อย่างมีประสิทธิภาพ สําหรับการใช้ในทางการแพทย์

หินอัญมณีสังเคราะห์

• ทองเทียม sapphire หินแท้ หินแท้ โมฮส์ความแข็ง 9 ระดับคริสตัลสําหรับเครื่องประดับ
• โปรโมชั่นกระชับเพื่อความโปร่งใสและความแม่นยํา โปรโมชั่นอุตสาหกรรม ลูกเสาฟายร์ ความแข็งแรงและความทนทานสูง
• LSO ((Ce) Lutetium Oxyorthosilicate ((Ce) คริสตัลสติลเลาเตอร์สําหรับการถ่ายภาพทางการแพทย์ ประสิทธิภาพการสติลเลาที่สูง
• สีฟ้า สีเทียม สีซาฟิอร์แถว สีคริสตัลเพชร สีน้ําเงินอ่อน สําหรับเครื่องประดับ

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

• การป้องกันระบบเลเซอร์ ความโปร่งใสทางแสง การทํางานในอุณหภูมิสูง
• ความต้านทานแรงกระแทก ครึ่งโลก Sapphire Dome ความต้านทาน UV Sapphire
• โครงการพัฒนาเครื่องยนต์
• Dome Sapphire Optical Windows ความต้านทานทางเคมี ความสามารถในการนําความร้อนสูง ความหนา 1mm 2mm

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

• 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 3C-N SiC Wafer ซิลิคอนคาร์ไบด์ Optoelectronic แรงสูง RF LEDS
• 3C-N ประเภทซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว หรือ 5 * 5 10 * 10 มิลลิเมตร ขนาดเกรดการผลิต เกรดการวิจัย
• ซิลิคอนคาร์ไบด์วอฟเฟอร์ 3C-N ประเภท 5*5 10*10 มิลลิเมตร กว้าง 350 μm±25 μm
• 3C-N SiC wafer 4 นิ้ว Silicon Carbide Prime Grade Dummy Grade ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนสูง RF LED

หลอดไพลิน

• ท่ออุตสาหกรรมไพลินสังเคราะห์ที่กำหนดเองคริสตัล Al2O3 ขัดเงา
• ท่อสีซาฟีร์ที่สามารถปรับแต่งได้ ท่อสีซาฟีร์โปร่ง ความแข็งของท่อสีซาฟีร์ โมห์ส 9.0 ความทนทานต่อการสกัดสูง
• สามารถปรับแต่งได้ Sapphire irregular Rod การใช้งานอุตสาหกรรมที่มีความหมายพิเศษ ความแข็งแรงสูง
• 99.999% Al2O3 Tube With Polished Surface Quality Growth Technology EFG / KY ท่อที่มีผิวเคลือบ

สารกึ่งตัวนำ

• Al สับสราทอลูมิเนียมคริสตัลเดียว แนวโน้ม 111 100 111 5 × 5 × 0.5 มิลลิเมตร A = 4.040Ã
• ความหนาที่กําหนดเอง Al สับสราตอลูมิเนียมคริสตัลเดียว ความบริสุทธิ์ 99/99% 5×5×1/0.5 มม 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 มม
• ผงซิลิก้าหลอม JGS1 JGS2 BF33 ความหนา 8 นิ้ว 12 นิ้ว 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um
• ความกว้างแบนด์ของ N-InP substrate 02:2.5G ความยาวคลื่น 1270nm epi wafer สําหรับ FP ไดโอเดสเลเซอร์

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

• SiC โฟนการเติบโตของกระจกกระจกสําหรับการทําแผ่น SiC ขนาด 6 นิ้ว 8 นิ้ว
• อุปกรณ์เลเซอร์ไมโครเจ็ต การตัดแผ่นไวเฟอร์ความแม่นยําสูง การประมวลผลเลนส์ซิลิคอนคาร์ไบด์ AR
• อุปกรณ์เลเซอร์ไมโครเจ็ต เลเซอร์พลังงานสูง และเทคโนโลยีเจ็ตของเหลวไมโครเมตร
• เทคโนโลยีอุปกรณ์เลเซอร์ไมโครฟลิวไดซ์ที่ใช้ในการประมวลผลวัสดุที่แข็งและเปราะบางของเซอร์เมทซิลิคอนคาร์ไบด์