บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

บ้าน

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD แผนผังเว็บไซต์

บริษัท

เกี่ยวกับเรา

ติดต่อเรา

บล็อก

โซลูชั่น

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

สตาร์ดเลเซอร์รูบี้ที่กําหนดเอง Al2O3:Cr3+ กว้าง 2 มม / 4 มม ความยาว 10 มม / 20 มม

ไม้ยางกุหลาบสังเคราะห์ Cr:Al2O3 มีในความยาว 2 มม / 4 มม Dia10 มม / 20 มม

GS1 Grade Synthetic Fused Quartz Plate กระจกแสงควอตซ์

ผ่านช่องแก้ว (TGV) สําหรับ JGS1 JGS2 กระจกโค้ง sapphire สําหรับการผลิตและการบรรจุเซนเซอร์

ซาฟฟายร์วอฟเฟอร์ 2 นิ้ว 4 นิ้ว Single Side Double Side Polish 350um ความหนาคริสตัล Orientation C-plane

สารสับสราทคริสตัลควอตซ์ในขนาดต่าง ๆ 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว ด้วยความหนาตามสั่ง

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

แผ่นควอตซ์หล่อหลอมแบบกําหนดเองที่มีรูผ่านแสง

เลเซอร์ส่งแสงอินฟราเรด UV SiO2

โฟมควาตซ์ออปติกส์แบบไม่เรียบร้อย

ช่องมองออปติกอล์ค ควาร์ทซ์กล๊าส ช่องมองออปติกอล์ค UV Fused Silica Custom Size Coating

กล่องแก้วควอตซ์ CNC เครื่องแปรรูปแผ่นซิลิก้าหลอมไม่ปกติสําหรับระบบออปติกและเลเซอร์

หลุมเล็กๆในชั้นรองกระจก TGV ที่เจาะได้ด้วยประสิทธิภาพสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4H-SiC Epitaxial Wafers สําหรับ MOSFETs ความดันสูงสุด (100 500 μm, 6 นิ้ว)

แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) กึ่งฉนวนบริสุทธิ์สูงสำหรับแว่นตา AR

แผ่นรองซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 10×10 มม. / ชิปสี่เหลี่ยมขนาดเล็ก - SiC ประสิทธิภาพสูง

แผ่นเวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวนความบริสุทธิ์สูงสำหรับแว่นตา AR

หลอดไพลิน

ท่อหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอดหลอด

ขนาดใหญ่ ID ผนังบางหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อหล่อ

หลอดเส้นเลือดฝอยฟิวส์ซิลิกา SiO2 อัลตราไฟน์ ชีวการแพทย์ เซมิคอนดักเตอร์

อัลลูมิเนียมอ๊อกไซด์ท่อซาฟฟายร์ประเภทออทคิตร

หลอดซาฟฟายร์ปิด อลูมิเนียมออกไซด์ สีกระจกกระจกเดียว ทนทานต่อการกัดกร่อน

โปรแกรม EFG Anti-Scratch Sapphire Tube Oxide Polished

สารกึ่งตัวนำ

ZnTe Crystal Substrate Orientation 110 10x10x0.5mm 10x10x1mm สําหรับการผลิตการตรวจจับ THz

SiC สับสราท 2/3/4/6/8 นิ้ว HPSI การผลิต

Si Wafer ความหนา 8 นิ้ว 675 Μm ถึง 775 ΜmP ประเภท N ประเภท 111 ด้านสองเลือง / ด้านเดียวเลือง

Si Wafer / Substrate ความหนา 8 นิ้ว 675-775 Μm, P/N ประเภท, การตั้งทิศทาง 111, ดับเบิ้ล / ด้านเดียวเคลือบ

ซิลิคอนวอฟเฟอร์ ซีวอฟเฟอร์ 8 นิ้ว N ประเภท P ประเภท<111><100><110> SSP DSP เกรดไพรม์ เกรด Dummy

8 นิ้ว Si Wafer CZ 200 มิลลิเมตร ไพรม์เกรดซิลิคอนเวเฟอร์ <111>, SSP,DSP P ประเภท,B Dopant สําหรับวัสดุครึ่งตัวนํา

หินอัญมณีสังเคราะห์

Al2o3 ทับทิมสังเคราะห์สีไทเทเนียมเจือแซฟไฟร์สำหรับกระจกแซฟไฟร์สีน้ำเงินออปติคัลบลูแซฟไฟร์สีน้ำเงิน

การเคลือบขนาดที่กำหนดเองเลเซอร์แซฟไฟร์คริสตัลความแข็งสูงป้องกันการกัดกร่อน

คริสตัลแซฟไฟร์เจือด้วยเลเซอร์สี Al2o3 สังเคราะห์

การเคลือบขนาดที่กำหนดเองเลเซอร์คริสตัลแซฟไฟร์ความแข็งสูงป้องกันการกัดกร่อน

เส้นผ่าศูนย์กลาง 1 มม. ความยาว 100 มม. เลเซอร์คริสตัลแซฟไฟร์แท่งเจือคริสตัลแซฟไฟร์

เลเซอร์ความถี่สูงคริสตัลแซฟไฟร์ไททาเนียมไดโอชั่นเดี่ยว 4 ระดับ

ชิ้นส่วนเซรามิก

อลูมิเนีย เซรามิค / แอร์เมคานิค / ถ้วยดูด / ส่วนโครงสร้างเซรามิค Al2O3

ถาดกราไฟท์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ SiC ขนาด 6 นิ้ว แผ่นกราไฟต์ทนต่ออุณหภูมิสูง

ธาตุซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC ผง ธาตุแผ่นสําหรับ ICP etching MOCVD Susceptor Wear ทนทาน

ตู้เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ใช้ในการสนับสนุนวัสดุ ผงครึ่งตัวนํา ความทนทานต่อการกัดกรองที่ดี

ตู้เซรามิกซิลิคคาร์ไบด์ที่มี CVD SiC Coating ขนาดที่กําหนดเอง การซินเตอร์อุณหภูมิสูง

SiC เซรามิค เทรย์ พลาต ผงถือสําหรับกระบวนการถัก ICP ในการประมวลผลการเติบโต epitaxial

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

ท่อโพลีอิไมด์ PI ความยืดหยุ่นสูง แรงดึงสูง OD 0.3 0.4 0.4

เครื่องตัดแบบเส้นเดี่ยวด้วยเพชรสามสถานีสำหรับ เซรามิก SiC แซฟไฟร์

เครื่องมือวัดทิศทางผลึกด้วยรังสีเอกซ์สำหรับการจัดแนวระนาบอ้างอิง

ระบบเครื่องหมายเลเซอร์ไฟเบอร์ฉลาด รหัสลําดับ โลโก้ สามารถติดตามได้

เครื่องมาร์กไฟเบอร์เลเซอร์ขนาดกะทัดรัด ทำความสะอาดง่าย ไม่ต้องบำรุงรักษา

อุปกรณ์ยกเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับลดความหนาของแท่งโลหะโดยไม่ทำลาย

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์ความบริสุทธิ์สูงใบหน้าปรับแต่งขนาดขัดมันพื้นผิว

39/40/45 มม. A แกนหน้าปัดนาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์, หน้าปัดนาฬิกาคริสตัล

หน้าต่างกระจกแซฟไฟร์แบบกำหนดเองโปร่งใสพื้นผิวขัดสีขาวใสมีความบริสุทธิ์สูง

ความหนา 3.75 มม. ไพลินคริสตัลนาฬิกาสีน้ำเงินกรณี 9H ความแข็งสูงทนต่อการขัดถู

กล่องใส่เวเฟอร์

Polypropylene Single Wafer Shipping Box 4" 101.6mm

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

10x10mmt ยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline Terbium Gallium Garnet สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์

MgAl2O4 ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิว Monocrystalline บาง 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

ผลึกเดี่ยวตัวนำยิ่งยวดแผ่นฐานบาง Monocrystalline 10X10 มม. การวางแนวสังกะสี

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

ขนาดที่กำหนดเอง 5x10mm M แกนยืนฟรี HVPE แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

Si Fe Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2 นิ้วเลเซอร์ฉาย

2 นิ้ว DSP SSP Gallium Nitride เวเฟอร์ A ไพลินแซฟไฟร์แม่แบบ Epitaxial GaN

1 2 3 4 5 6 7 8