บ้าน

เกี่ยวกับเรา

ข้อมูลบริษัท

302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50);

ควบคุมคุณภาพ

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

สารกึ่งตัวนำ

หินอัญมณีสังเคราะห์

ชิ้นส่วนเซรามิก

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

กล่องใส่เวเฟอร์

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

โซลูชั่น

บล็อก

ติดต่อเรา

อ้างอิง

บ้าน

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD แผนผังเว็บไซต์

บริษัท

เกี่ยวกับเรา

ติดต่อเรา

บล็อก

โซลูชั่น

ผลิตภัณฑ์

พื้นผิวไพลิน

Sapphire Wafer Monocrystal Al2O3 DSP SSP 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 12 นิ้ว A plane C plane

Sapphire Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG วิธีการเติบโต KY สําหรับการแปรรูปองค์ประกอบ Sapphire

โคเนสเลเซอร์ไซฟ์เฟียร์ขนาดเล็ก ใช้ในการตัดเลเซอร์ เลเซอร์ทางการแพทย์ และการวิจัยทางวิทยาศาสตร์

หินหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุมหลุม

ใบมีดสีซาฟฟายร์ สําหรับอุปกรณ์การแพทย์ การตัดแม่นยํา O การฉีกชิป ภายใต้กล้องจุลทรรศน์

ผ่าตัดแบบผ่าตัด

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

ปรับแต่ง JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 หน้าต่างสระแก้ว

องค์ประกอบออปติกคาร์ทซ์ JGSI JGS2 ที่สามารถปรับแต่งได้ ความมั่นคงทางความร้อนที่แข็งแรง

ไม่เคลือบ /เคลือบ SapphireTech ระดับความละเอียด Windows ความโปร่งใสสูง วิศวกรรมความละเอียด

25um-65um Sapphire Fiber อัตราการส่งสูง ความเร็วสูงมาก ความเร็วต่ํา

เลนส์กระจก Sapphire ที่สามารถปรับแต่งได้

การป้องกันระบบเลเซอร์ ความโปร่งใสทางแสง การทํางานในอุณหภูมิสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

SiC Wafer 4 นิ้ว 12 นิ้ว 4H N ประเภท Semi ประเภท เกรดการผลิต เกรดการวิจัย เกรด Dummy DSP การปรับแต่ง

8 นิ้ว 12 นิ้ว 4H-N ประเภท SiC หนา 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime เกรดการวิจัย

SiC Wafers 2/3/4/6/8 /12Inch 4H-N ประเภท Z/P/D/R เกรด

12 นิ้ว SiC วอฟเฟอร์ 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC สับสราต ซิลิคอนคาร์ไบด์ วอฟเฟอร์

ความหนาของวอฟเฟอร์ SiC 4H-N 8 นิ้ว 500±25μm หรือปรับแต่ง N-Doped Dummy การผลิตเกรดวิจัย

ซีซีวอฟเฟอร์คุณภาพสูง 2/3/4/6/8 นิ้ว 4H-N ประเภท Z/P/D/R เกรดไม่ผสม

หลอดไพลิน

OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm ท่อสีซาฟฟีร์ อุณหภูมิสูงและทนทานการสวมใส่ สามารถปรับแต่งได้

ท่ออุตสาหกรรมไพลินสังเคราะห์ที่กำหนดเองคริสตัล Al2O3 ขัดเงา

ท่อสีซาฟีร์ที่สามารถปรับแต่งได้ ท่อสีซาฟีร์โปร่ง ความแข็งของท่อสีซาฟีร์ โมห์ส 9.0 ความทนทานต่อการสกัดสูง

สามารถปรับแต่งได้ Sapphire irregular Rod การใช้งานอุตสาหกรรมที่มีความหมายพิเศษ ความแข็งแรงสูง

99.999% Al2O3 Tube With Polished Surface Quality Growth Technology EFG / KY ท่อที่มีผิวเคลือบ

99.995% Al2O3 ท่อซาฟฟายร์โปร่งใสที่มีความละเอียดความละเอียดสูง

สารกึ่งตัวนำ

InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P ประเภท N ประเภท Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Grade การทดสอบ

ผลึกเดี่ยว Monocrystal Semiconductor Substrate Indium Arsenide InAs Substrate

สับสราตซ้อน SiC-On-Si ที่ประกอบกันครึ่ง 4H แสดง LED ความต้านทานสูง

GaP Wafer ขนาด 2 นิ้ว N ประเภท Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ ความบริสุทธิ์สูง 5N 99.999%

ซีวอฟเฟอร์ 4 นิ้ว สวย CZ Dopant Arsenic ((As) Boron ((B)) Phosphorus ((Ph)) (100)

หลอดควอตซ์หลอมแสง SiO2 กระจกคริสตัลตามต้องการโปร่งทั้งสองปลายเปิดปลายหนึ่งปิด

หินอัญมณีสังเคราะห์

Cr Al2O3 Ruby Rod Sapphire Laser Single Crystal Optical Rod ขนาดที่กําหนดเอง แพคเกจความปลอดภัย

หินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหินหิน

หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้สีเขียวมะเขือเทศ หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้หินแท้0

หินแท้ซาฟิร์ ผลิตในห้องปฏิบัติการ สินค้าแท้ซับเทติก ระดับมอห์ส 9 สําหรับเครื่องประดับ

สีเขียวเรืองมูซานิต SiC กระจกเดียว ความแข็งของมอห์ส 9.25

โมซซานิต หินแท้ หินแท้ มะรูดป่าเขียว ความแข็งแรงสูง คาร์ไบด์ซิลิคอนสริสตัลเดียวสําหรับชาวยิว

ชิ้นส่วนเซรามิก

SiC เซรามิค เทรย์เพลตสําหรับ 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว Wafer การประมวลผลและขนาดตามสั่ง

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

บีโอนิค แอนติสลิปแพด สําหรับอุตสาหกรรมไฟฟ้าและจอแสดงภาพ

เครื่องตรวจจับอุณหภูมิไฟเบอร์ออปติกสําหรับอุตสาหกรรม -200°C ถึง +250°C

โฟนการเติบโต SiC Boule PVT HTCVD และเทคโนโลยี LPE สําหรับการผลิต SiC Boule กระจกเดียว

เครื่องตัด SiC Ingot สําหรับ 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 10 นิ้ว SiC ความเร็วการตัด 0.3 มิลลิเมตร/นาที

SiC Ingot การเติบโตเตาอบ PVT HTCVD LPE เซลล์คริสตัลเดียว SiC Boule การเติบโตเตาอบสําหรับ 6 นิ้ว 8 นิ้ว SiC วอฟเฟอร์สินค้า

วิธีการต่อต้านการเติบโตโมโนคริสตัลลีนของเตาอบซิลิคคาร์ไบด 6 8 12 นิ้ว SiC หมึกเตาอบเติบโต

กล่องใส่นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์

นาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์ความบริสุทธิ์สูงใบหน้าปรับแต่งขนาดขัดมันพื้นผิว

39/40/45 มม. A แกนหน้าปัดนาฬิกาคริสตัลแซฟไฟร์, หน้าปัดนาฬิกาคริสตัล

หน้าต่างกระจกแซฟไฟร์แบบกำหนดเองโปร่งใสพื้นผิวขัดสีขาวใสมีความบริสุทธิ์สูง

ความหนา 3.75 มม. ไพลินคริสตัลนาฬิกาสีน้ำเงินกรณี 9H ความแข็งสูงทนต่อการขัดถู

กล่องใส่เวเฟอร์

Polypropylene Single Wafer Shipping Box 4" 101.6mm

ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline

10x10mmt ยิ่งยวดพื้นผิวบาง Monocrystalline Terbium Gallium Garnet สำหรับอุปกรณ์เลเซอร์

MgAl2O4 ตัวนำยิ่งยวดพื้นผิว Monocrystalline บาง 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

ผลึกเดี่ยวตัวนำยิ่งยวดแผ่นฐานบาง Monocrystalline 10X10 มม. การวางแนวสังกะสี

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

ขนาดที่กำหนดเอง 5x10mm M แกนยืนฟรี HVPE แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

Si Fe Doped Undoped Gallium Nitride Wafer 2 นิ้วเลเซอร์ฉาย

2 นิ้ว DSP SSP Gallium Nitride เวเฟอร์ A ไพลินแซฟไฟร์แม่แบบ Epitaxial GaN

4 5 6 7 8 9 10 11