พื้นผิวไพลิน

• วอฟเฟอร์ซะฟาย 2 นิ้ว C-plane ((0001) DSP SSP 99,999% โมโนคริสตัล Al2O3 LEDS ครึ่งนํา
• วัสดุแซฟฟายร์ AL2O3 โมโนคริสตัล 80KG 200KG 400KG KY วิธี LED ครึ่งประสาท
• Sapphire Wafer 12 นิ้ว AL2O3 การปรับแต่ง DSP SSP C plane A plane M plane LED สับสราต Sapphire
• Sapphire Wafer Al2O3 8 นิ้ว C ระเบียง A ระเบียง M ระเบียง KY Double Slide Polished SSP

หินอัญมณีสังเคราะห์

• คอรัล / โรส พองสีชมพู ซาฟิอร์ดิบ / รูฟเกม คริสตัลแล็บที่ทําเพื่อเครื่องประดับ
• สีเทียม สีม่วงสีม่วง สีแซฟฟายร์ Al2O3
• ความสามารถสูงเลเซอร์ปั๊มแซฟฟายร์คริสตัล แซฟฟายร์เทียมคริสตัลบล็อก
• ไลเซอร์ความถี่สูง ทิตานีโอ้ด ซาฟฟายร์ คริสตัลเดียว 4 ระดับ Vibronic

หน้าต่างออฟติคอลแซฟไฟร์

• ไม่เคลือบ /เคลือบ SapphireTech ระดับความละเอียด Windows ความโปร่งใสสูง วิศวกรรมความละเอียด
• องค์ประกอบออปติกคาร์ทซ์ JGSI JGS2 ที่สามารถปรับแต่งได้ ความมั่นคงทางความร้อนที่แข็งแรง
• ปรับแต่ง JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 หน้าต่างสระแก้ว
• เลนส์กระจก Sapphire ที่สามารถปรับแต่งได้

ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

• ซีซีวอฟเฟอร์คุณภาพสูง 2/3/4/6/8 นิ้ว 4H-N ประเภท Z/P/D/R เกรดไม่ผสม
• SiC Epitaxial Wafer ซิลิคอนคาร์ไบด 4H 4 นิ้ว 6 นิ้ว อุตสาหกรรม Semiconductor ความต้านทานสูง
• SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145.5 mm~150.0 mm Z เกรด P เกรด D เกรด
• DSP ขัดเงา 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 0.35 มม. 4 ชั่วโมงกึ่ง SiC ซิลิคอนคาร์ไบด์เวเฟอร์

หลอดไพลิน

• ท่อซาฟฟายร์ 99.999% AL2O3 สีเลือง ความแข็งแรงสูง แหล่งไอออนการปรับปรุง
• ท่อซาฟฟายร์โปร่ง AL2O3 ความแข็งแรงสูง KY EFG สวย Lon Source การปรับแต่ง
• วิธี KY หลอดสีสีสีโปร่งกระจ่าง Sapphire ขนาดที่กําหนดเอง ความแข็งแรงสูง ทนทานการสกัดสูง
• OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm ท่อสีซาฟฟีร์ อุณหภูมิสูงและทนทานการสวมใส่ สามารถปรับแต่งได้

แกลเลียมไนไตรด์เวเฟอร์

• 2 นิ้ว DSP SSP Gallium Nitride เวเฟอร์ A ไพลินแซฟไฟร์แม่แบบ Epitaxial GaN

สารกึ่งตัวนำ

• Mg Substrate แมกนีเซียมแครสตัลเดียวทรงหกเหลี่ยม 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm ความบริสุทธิ์ 99.99%
• หน่วยงานประกอบการประกอบการประกอบการ
• สับสราททองแดง วอฟเฟอร์ / สับสราททองแดง Cubic 100 110 111 Orientaiton SSP DSP ความบริสุทธิ์ 99.99%
• สับสราททองแดง วอฟเฟอร์ Cu กระจกกระจกเดียว 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A

อุปกรณ์ห้องปฏิบัติการวิทยาศาสตร์

• โฟนการเติบโต SiC Boule PVT HTCVD และเทคโนโลยี LPE สําหรับการผลิต SiC Boule กระจกเดียว
• เครื่องตัด SiC Ingot สําหรับ 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 10 นิ้ว SiC ความเร็วการตัด 0.3 มิลลิเมตร/นาที
• SiC Ingot การเติบโตเตาอบ PVT HTCVD LPE เซลล์คริสตัลเดียว SiC Boule การเติบโตเตาอบสําหรับ 6 นิ้ว 8 นิ้ว SiC วอฟเฟอร์สินค้า
• วิธีการต่อต้านการเติบโตโมโนคริสตัลลีนของเตาอบซิลิคคาร์ไบด 6 8 12 นิ้ว SiC หมึกเตาอบเติบโต