สารกึ่งตัวนำ โรงงาน, ซื้อคุณภาพดี สารกึ่งตัวนำ ผลิตภัณฑ์ จากจีน

Thai

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

ขออ้าง

ประเภท

รายชื่อผู้ติดต่อ

รายชื่อผู้ติดต่อ:	Mr. Wang
โทร:	+8615801942596

ติดต่อ

ความกว้างแบนด์ของ N-InP substrate 02:2.5G ความยาวคลื่น 1270nm epi wafer สําหรับ FP ไดโอเดสเลเซอร์
ราคาถูกที่สุด
2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว 12 นิ้ว Si wafer Silicon wafer Polishing Undoped P type N type Semiconductor
ราคาถูกที่สุด
N-GaAs Substrate ความหนา 6 นิ้ว 350um สําหรับ VCSEL ใช้ OptiWave VCSEL EpiWafer
ราคาถูกที่สุด
InP DFB Epiwafer ความยาวคลื่น 1390nm InP substrate 2 4 6 นิ้วสําหรับ 2.5 ~ 25G DFB ไดโอเดสเลเซอร์
ราคาถูกที่สุด
2 นิ้ว 3 นิ้ว InP เลเซอร์ Epitaxial วาเฟอร์อินเดียมฟอสฟิด epi วาเฟอร์ครึ่งตัวนํา
ราคาถูกที่สุด
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 นิ้ว ความหนา 350-650um
ราคาถูกที่สุด
MgO Wafer 111 100 โมโนคริสตัลครึ่งประสาทมะกนีเซียมออกไซด์เคลือบ
ราคาถูกที่สุด
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P ประเภท N ประเภท Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Grade การทดสอบ
ราคาถูกที่สุด
ผลึกเดี่ยว Monocrystal Semiconductor Substrate Indium Arsenide InAs Substrate
ราคาถูกที่สุด
สับสราตซ้อน SiC-On-Si ที่ประกอบกันครึ่ง 4H แสดง LED ความต้านทานสูง
ราคาถูกที่สุด
GaP Wafer ขนาด 2 นิ้ว N ประเภท Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ ความบริสุทธิ์สูง 5N 99.999%
ราคาถูกที่สุด
ซีวอฟเฟอร์ 4 นิ้ว สวย CZ Dopant Arsenic ((As) Boron ((B)) Phosphorus ((Ph)) (100)
ราคาถูกที่สุด
หลอดควอตซ์หลอมแสง SiO2 กระจกคริสตัลตามต้องการโปร่งทั้งสองปลายเปิดปลายหนึ่งปิด
ราคาถูกที่สุด
สับสราต GaN-on-Si Epitaxy Si 8 นิ้ว 110 111 110 สําหรับปฏิกิริยา MOCVD หรือการใช้พลังงาน RF
ราคาถูกที่สุด
GaN-on-Si ((111) N/P T แบบ Substrate Epitaxy 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว สําหรับ LED หรืออุปกรณ์พลังงาน
ราคาถูกที่สุด

<<
<
1
2
3
4
5
6
7
8
>
>>