สารกึ่งตัวนำ โรงงาน, ซื้อคุณภาพดี สารกึ่งตัวนำ ผลิตภัณฑ์ จากจีน

Thai

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

ขออ้าง

ประเภท

รายชื่อผู้ติดต่อ

รายชื่อผู้ติดต่อ:	Mr. Wang
โทร:	+8615801942596

ติดต่อ

SiC ประเภท N บน Si Compound Wafer 6 นิ้ว 150 มิลลิเมตร SiC ประเภท 4H-N Si ประเภท N หรือ P
ราคาถูกที่สุด
ซิลิคอนวอฟเฟอร์ N ประเภท P Dopant 2 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว ความต้านทาน 0-100 โอม-เซนติเมตร
ราคาถูกที่สุด
2 นิ้ว ซิลิคอนวอฟเฟอร์ P-type N-type CZ วิธีการเติบโต BOW ≤30 สําหรับ LED Lighting
ราคาถูกที่สุด
SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Layer 0.4-3 การตั้งทิศทางของสับสราท 100 111
ราคาถูกที่สุด
SOI Wafer Silicon On Insulator 100 มิลลิเมตร 150 มิลลิเมตร P ประเภท Dopant B อุปกรณ์ 220 ความต้านทาน: 8.5-11.5 โอม-ซม.
ราคาถูกที่สุด
ซิลิคอนบนไอโซเลเตอร์ SOI Wafer 6 ", 2.5 "m (P-doped) + 1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron Doped)
ราคาถูกที่สุด
สายทิศทางของซิลิคอนวอฟเฟอร์ CZ111 ความต้านทาน: 1-10 (ohm.cm) ด้านเดียวหรือสองด้านเลน
ราคาถูกที่สุด
ซิลิคอนวอฟเฟอร์ ความหนา 4 นิ้ว 500+/-20 ความต้านทาน 1-10 โอเอ็ม·ซม ออริเอนเตชั่น100 โปลิศด้านคู่
ราคาถูกที่สุด
3 นิ้ว InP Indium Phosphide Substrate N-Type Semiconductor วิธีการเติบโตของ VGF 111 100 แนวทาง
ราคาถูกที่สุด
Epi Ready 4inch InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 ด้วยความหนาของ 325mm±50mm
ราคาถูกที่สุด
โครงการอิเล็กทรอนิกส์เครื่องมือสับสราท โฟโตลิโตกราฟีชั้น 2 3"4"6"8"
ราคาถูกที่สุด
ความบริหารของซิลิคอนเวเฟอร์ความบริสุทธิ์สูง เซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์ครึ่งประสาทพลังงาน
ราคาถูกที่สุด
4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว SOI โวฟเฟอร์ที่เข้ากันได้กับ CMOS สารสร้างสามชั้น
ราคาถูกที่สุด
หนาคลื่นอ๊อกไซด์ความร้อน SiO2 หนาคลื่น 20um ระบบสื่อสารทางออนไลน์ MEMS
ราคาถูกที่สุด
6 นิ้ว 8 นิ้ว SIO2 ซิลิคอนไดออกไซด์ หนา 10um-25um ผิว Micromachining
ราคาถูกที่สุด

<<
<
1
2
3
4
5
6
7
8
>
>>